Силовые IGBT и SIC модули Infineon, Mitsubishi, Leapers, Starpower купить для частотных преобразователей, характеристики

Код: 2015842610

starpower

GD900HFX120P1SA, IGBT модуль, Half Bridge, 1200V, 900A, замена для GD900HFX120P1S

11 шт

26000.00	/шт от 1 шт
24000.00	/шт от 2 шт

Код: 2016392343

MG600HF12TLE3, IGBT модуль, 1200В, 600A, (C1) =(CRRC) TG600HF12M1-G3A00

4 шт

6000.00	/шт от 1 шт
5890.00	/шт от 3 шт

Код: 2015369575

Mitsubishi

PM75CVA120, модуль 6 IGBT 1200В 75A 3 поколение В серия

2 шт

4400.00	/шт от 1 шт
4230.00	/шт от 2 шт

Код: 2015510896

Microchip

2ASC-17A1HP, Интеллектуальные модули (IPM)

4 шт 8 апреля

19500.00	/шт от 1 шт
19400.00	/шт от 5 шт

Код: 2016826876

ATELECT

2ATC32R, Интеллектуальные модули (IPM)

247 шт 8 апреля

3000.00	/шт от 1 шт
2950.00	/шт от 5 шт

Код: 2015510898

Microchip

62EM1-00001, Интеллектуальные модули (IPM)

4 шт 8 апреля

29100.00	/шт от 1 шт
28800.00	/шт от 5 шт

Код: 2016907087

APEMIC

APMTI450HB17ED3M, IGBT модуль 1700В, 450A, корпус Econodual 3

9 шт 9 апреля

8310.94	/шт от 1 шт
8249.13	/шт от 2 шт

Код: 2015931652

BYD

BG100B12UX4-I, Модули IGBT

24 шт 8 апреля

1500.00	/шт от 1 шт
1390.00	/шт от 5 шт

Код: 2016017987

BYD

BG150B12LY4-I, Модули IGBT

20 шт 8 апреля

2800.00	/шт от 1 шт
2690.00	/шт от 5 шт

Код: 2016017986

BYD

BG150B12UX2S-I, Модули IGBT

7 шт 8 апреля

1900.00	/шт от 1 шт
1800.00	/шт от 5 шт

Код: 2016017988

BYD

BG150B12UY4-I, Модули IGBT

18 шт 8 апреля

2600.00	/шт от 1 шт
2510.00	/шт от 5 шт

Код: 2015953909

BYD

BG200B12LY4-I, Модули IGBT

8 шт 8 апреля

3000.00	/шт от 1 шт
2940.00	/шт от 5 шт

Код: 2015953908

BYD

BG50B12UX3-I, Модули IGBT

20 шт 8 апреля

980.00	/шт от 1 шт
968.00	/шт от 5 шт

Код: 2015931654

BYD

BG600B12ME4D, Модули IGBT

5 шт 8 апреля

15100.00	/шт от 1 шт
15000.00	/шт от 5 шт

Код: 2015931653

BYD

BG75B12UX4-I, Модули IGBT

22 шт 8 апреля

1300.00	/шт от 1 шт
1190.00	/шт от 5 шт

Код: 2017233743

Greegoo

BSM50GD120DN2, IGBT модуль 72А 1200В, 3-фазный мост [ECONOPACK 2K]

10 шт 13 апреля

20400.00	/шт от 1 шт
20200.00	/шт от 2 шт

Код: 2014953450

Infineon

BSM50GX120DN2BOSA1, Модуль IGBT 1200V 80A 360Вт. [EOL]

3 шт 13 апреля

17900.00	/шт от 1 шт
17600.00	/шт от 2 шт

Код: 2017233744

Greegoo

BSM75GB120DN2, IGBT модуль 105А 1200В, полумост [HALF-BRIDGE 1]

20 шт 13 апреля

4000.00	/шт от 1 шт
3870.00	/шт от 2 шт

Код: 2011403144

Infineon

BSM75GB120DN2, Биполярный транзистор IGBT, 625Вт

8 шт 9 апреля

8802.60	/шт от 1 шт
8391.07	/шт от 2 шт

Код: 2010050394

Infineon

BSM75GB120DN2, Силовой IGBT модуль, полумостовой, 1200В, 105А. [EOL]

6 шт 13 апреля

13200.00	/шт от 1 шт
13100.00	/шт от 2 шт

Код: 2015276153

Mitsubishi

CM100TX-24S, Биполярный транзистор IGBT, 100 А, 1200 В

1 шт 9 апреля

5081.27	/шт от 1 шт
5029.81	/шт от 2 шт

Код: 2016020457

LEAPERS

DFI150HF12DE1, Модули IGBT

4 шт 8 апреля

3000.00	/шт от 1 шт
2930.00	/шт от 5 шт

Код: 2016019334

LEAPERS

DFI200HF12DF1, Модули IGBT

44 шт 8 апреля

3200.00	/шт от 1 шт
3090.00	/шт от 5 шт

Код: 2016019333

LEAPERS

DFI200HF17DF1, Модули IGBT

39 шт 8 апреля

4200.00	/шт от 1 шт
4130.00	/шт от 5 шт

Код: 2016980006

Leapers Semiconductor

DFI300HF12I4ME1, IGBT Модуль 1200В, 300А, полумостовой

990 шт 9 апреля

2463.65	/шт от 1 шт
2339.09	/шт от 2 шт

Код: 2016020440

LEAPERS

DFI300HF12I4ME1, Модули IGBT

45 шт 8 апреля

1600.00	/шт от 1 шт
1520.00	/шт от 5 шт

Код: 2016020454

LEAPERS

DFI300HF17DF1, Модули IGBT

30 шт 8 апреля

4900.00	/шт от 1 шт
4790.00	/шт от 5 шт

Код: 2016020455

LEAPERS

DFI300HF17I4RE1, Модули IGBT

22 шт 8 апреля

6200.00	/шт от 1 шт
6070.00	/шт от 5 шт

Код: 2016019330

LEAPERS

DFI450HF12DF1, Модули IGBT

29 шт 8 апреля

7600.00	/шт от 1 шт
7520.00	/шт от 5 шт

Код: 2015941461

Leapers Semiconductor

DFI450HF12I4ME1, IGBT Модуль 1200В, 450А, полумостовой

3205 шт 9 апреля

3727.42	/шт от 1 шт
3547.71	/шт от 2 шт

Код: 2016020431

LEAPERS

DFI450HF12I4ME1, Модули IGBT

75 шт 8 апреля

2300.00	/шт от 1 шт
2270.00	/шт от 5 шт

Код: 2015941459

Leapers Semiconductor

DFI450HF17I4RE1, IGBT Модуль 1700В, 450А, полумостовой

3945 шт 9 апреля

4942.44	/шт от 1 шт
4711.09	/шт от 2 шт

Код: 2016020417

LEAPERS

DFI450HF17I4RE1, Модули IGBT

39 шт 8 апреля

6100.00	/шт от 1 шт
5990.00	/шт от 5 шт

Код: 2016019331

LEAPERS

DFI500HF17DFRE1, Модули IGBT

30 шт 8 апреля

7100.00	/шт от 1 шт
6990.00	/шт от 5 шт

Код: 2015554941

Infineon

FD250R65KE3KNOSA1, Модуль силовой IGBT 6500В 250А

1 шт 9 апреля

39787.21	/шт от 1 шт
39526.75	/шт от 2 шт

Код: 2010017731

Infineon

FF100R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт

10 шт 9 апреля

6400.11	/шт от 1 шт
6107.58	/шт от 2 шт

Производитель
ABB APEMIC AST TECHNOLOGY ATELECT ATS BYD BYD MICROELECTR CRRC FUJI FUJITSU GREEGOO HITACHI HUAJING HYPERSEMI INFINEON IXYS LEAPERS LEAPERS SEMICONDUCTOR LGE MARCHING POWER MICROCHIP MITSUBISHI NEDITEK ONS RED POWER SEMIKRON SHYSEMI STARPOWER STM TAIXIN TECHSEM TSINGSEMI VISHAY WXDH XINER YJ ZHM SEMI РОССИЯ
Макс.напр.к-э,В
25 75 100 150 200 220 250 350 600 650 750 820 1200 1350 1400 1500 1600 1700 1800 2200 2500 3300 4500 6500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
1.2 1.5 1.55 1.6 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 2 2.1 2.15 2.2 2.35 2.4 2.5 2.6 2.65 2.7 2.75 2.8 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.6 3.8 4.4 5 5.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
0.015 0.1 0.35 0.5 0.7 1.5 1.75 2 3 4 5 5.7 6 7.2 8 8.7 8.8 10 11 12 13 15 20 22 24 25 27 29 30 35 39 40 48 50 60 70 75 80 100 105 110 120 130 140 150 160 165 200 220 225 250 260 300 350 400 440 450 500 540 600 650 660 700 720 750 800 820 900 950 1000 1200 1400 1500 1600 1700 1800 2400 3600 4000
Структура модуля
2 транзистора+2 диода 3-ф.выпр-ль+3ф мост 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом 3-фазный мост 3-фазный мост+тормозной транзистор Boost Dual Boost H-мост одиночный транзистор полумост чоппер с диодом
Максимальная частота модуляции,кГц
1.6 5 10 15 20 25 30 40 60 100
Мощность привода, кВт
0.1 0.2 0.4 0.75 1.5 2 2.2 3 3.7 5.24 7 7.5 11 15 17.5 20 22 30 37 50 55 70 75
Драйвер управления

Защита по току
есть нет
Защита от короткого замыкания
есть нет
Защита от перегрева
есть нет
Защита от пониженного напряжения питания
есть нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
21.3 23 36 38.3 39 43 50 51.2 56.8 63 100 131 138 250 255 284 290 320 328 338 350 390 400 416 430 450 455 480 500 520 540 541 560 590 595 600 620 650 668 672 730 735 780 781 830 890 960 1040 1041 1100 1130 1160 1260 1340 1470 1500 1550 1560 1562 1600 1785 1860 1890 1950 1980 2000 2010 2080 2100 2350 2500 2710 2800 2900 3000 3400 3670 3780 3900 4100 4300 4800 5800 6250 6500 6700 6900 8900 9200 10000 10400 12500 13100 13800 14700 15600 17800
Максимальный ток эмиттера, А
10 11 20 22 26 30 40 48 50 60 100 140 150 200 220 300 330 400 450 600 700 800 900 1000 1200 1600 1800 2000 2400 2800 3200 3600 4800
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
4 5.5 6 6.5 7 20
Напряжение эмиттер-коллектор,В
1.2 1.63 1.66 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 1.98 2 2.1 2.25 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.85 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.4 4 4.6 5
Напряжение изоляции, В
1500 2500 3500 4000 4500 5000 6000 10200
Температурный диапазон,С

Серия
CM1200DC-34N HPD T-series

Силовые IGBTи SiC модули , стр.3 1319

Силовые IGBTи SiC модули , стр.3 ₁₃₁₉