Силовые IGBT и SIC модули Infineon, Mitsubishi, Leapers, Starpower купить для частотных преобразователей, характеристики

Код: 751434304

SLIMDIP-L#500, DIPIPM модуль на 600В

под заказ

1540.00	/шт от 2 шт
1472.29	/шт от 8 шт

Код: 2016852540

SHYsemi

SYMFF600R12F2G4, IGBT модуль, 1200В, 600А, 3330Вт

под заказ

14400.00	/шт от 2 шт
13725.95	/шт от 8 шт

Код: 2016852541

SHYsemi

SYMT1200DSD170T3H, IGBT модуль, 1700В, 1200А, 6265Вт

под заказ

54800.00	/шт от 2 шт
52286.97	/шт от 8 шт

Код: 2016020262

Infineon

TD330N16AOF

под заказ

34500.00	/шт от 2 шт
33163.95	/шт от 8 шт

Код: 2014943686

CRRC

TG1400HF12H1-S300, IGBT модуль

под заказ

17900.00	/шт от 2 шт
16402.14	/шт от 8 шт

Код: 2014943687

CRRC

TG1400HF17H1-S300, IGBT модуль

под заказ

29100.00	/шт от 2 шт
25858.32	/шт от 8 шт

Код: 2014518549

CRRC

TG450HF17M1-S300, IGBT модуль

под заказ

13500.00	/шт от 4 шт
13223.68	/шт от 16 шт

Код: 2014943684

CRRC

TG600HF17M1-S300, IGBT модуль

под заказ

19400.00	/шт от 2 шт
18745.82	/шт от 8 шт

Код: 2014943685

CRRC

TG650HF17H2-S300, IGBT модуль

под заказ

22400.00	/шт от 2 шт
20891.74	/шт от 8 шт

Код: 2016860566

CRRC

TG900HF12H2-S300, Модуль IGBT 900А 1200В

под заказ

39300.00	/шт от 10 шт
38644.23	/шт от 40 шт

Код: 2014943690

CRRC

TIM1000NSM33-PSA011, IGBT модуль

под заказ

19400.00	/шт от 2 шт
17777.07	/шт от 8 шт

Код: 2014519563

CRRC

TIM1200DDM17-TSA, IGBT модуль 1700В 1200A

под заказ

53500.00	/шт от 2 шт
51429.04	/шт от 8 шт

Код: 2015683768

CRRC

TIM1200DDM17-TSA000, IGBT модуль 1700В 1200A = CM1200DC-34N

6-8 нед.

77700.00	/шт от 10 шт
74893.39	/шт от 40 шт

Код: 2014943692

CRRC

TIM1500ESM33-PSA012, IGBT модуль 1500А 3300В

под заказ

135000.00	/шт от 2 шт
132604.46	/шт от 8 шт

Код: 2015751541

CRRC

TIM1600FSM17-PSA011, IGBT модуль 1700В 1600A

под заказ

130000.00	/шт от 2 шт
125968.19	/шт от 8 шт

Код: 2015721201

CRRC

TIM2400ESM17-TSA000, IGBT модуль 1700В 2400A = CM2400HCB-34N

под заказ

108000.00	/шт от 2 шт
107236.48	/шт от 8 шт

Код: 2016423802

CRRC

TIM2400NSM17-TSA000, IGBT модуль корпус 140х130 2400А 1700В

под заказ

115000.00	/шт от 2 шт
113037.28	/шт от 8 шт

Код: 2014943688

CRRC

TIM750ASM65-PSA011, IGBT модуль 750А 6500В

под заказ

187000.00	/шт от 2 шт
182937.87	/шт от 8 шт

Код: 2014943689

CRRC

TIM800DDM17-PSA000, IGBT модуль

под заказ

19400.00	/шт от 2 шт
17777.07	/шт от 8 шт

Код: 2016975725

TSINGSEMI

TS-ASC40L6500IC, IGCT модуль 6500V, 4000A

под заказ

564000.00	/шт от 2 шт
557853.09	/шт от 8 шт

Код: 2015785705

Taixin

TXFF300R12MMT, IGBT модуль, 1200В, 300А, 1499Вт [M] = CM300DX-24T (Mitsubishi) = XNG300B24KC5A5 (Xin

под заказ

9910.00	/шт от 2 шт
9455.17	/шт от 8 шт

Код: 2015785706

Taixin

TXFF450R12MMT, IGBT модуль, 1200В, 450А, 2265Вт [M] = CM450DX-24T (Mitsubishi) = XNG450B24KC5A5 (Xin

под заказ

11800.00	/шт от 2 шт
11244.17	/шт от 8 шт

Код: 2015785707

Taixin

TXFF600R12MMT, IGBT модуль, 1200В, 600А, 3950Вт [M] = XNG600B24KC5A5 (Xiner Semi) = GD600HFY120C6S

под заказ

15500.00	/шт от 2 шт
14768.85	/шт от 8 шт

Код: 2015627104

Vishay

VS-40MT120PHAPBF, Модуль, IGBT - MTP SWITCH

под заказ

6690.00	/шт от 20 шт
6480.79	/шт от 80 шт

Код: 548112430

Vishay

VS-40MT120UHAPBF, IGBT модуль NPT поколение 1200В 80А MTP серия

под заказ

2740.00	/шт от 2 шт
2645.79	/шт от 8 шт

Код: 560594500

Vishay

VS-50MT060WHTAPBF, модуль 2 IGBT 50А 600В 20 100кГц MTP

под заказ

3430.00	/шт от 2 шт
3345.30	/шт от 8 шт

Код: 42826

Vishay

VS-CPV362M4FPBF, модуль 3 IGBT 600В 8.8А 1 8кГц IMS2

под заказ

3820.00	/шт от 2 шт
3687.24	/шт от 8 шт

Код: 36740

Vishay

VS-CPV362M4UPBF, модуль 3 IGBT 600В 7.2А 8 60кГц IMS2

под заказ

3920.00	/шт от 2 шт
3784.30	/шт от 8 шт

Код: 13006

Vishay

VS-CPV363M4KPBF, IGBT модуль 600В 11А IMS2

под заказ

2880.00	/шт от 2 шт
2653.63	/шт от 8 шт

Код: 47262

Vishay

VS-CPV364M4KPBF, Биполярный транзистор IGBT, 24 A, 600 В

под заказ

2820.00	/шт от 2 шт
2762.56	/шт от 8 шт

Код: 33519

Vishay

VS-CPV364M4UPBF, IGBT модуль 600В IMS2

под заказ

4900.00	/шт от 2 шт
4776.67	/шт от 8 шт

Код: 347025971

Vishay

VS-GA200SA60UP, IGBT модуль 600B 200А 40кГц SOT227

под заказ

2550.00	/шт от 2 шт
2505.34	/шт от 8 шт

Код: 37911

Vishay

VS-GA200TS60UPBF, модуль 2 IGBT 600В 200А 40кГц

под заказ

8010.00	/шт от 2 шт
7813.84	/шт от 8 шт

Код: 849548314

Vishay

VS-GB75YF120N, IGBT модуль 1200В 75А Econo 2

под заказ

12900.00	/шт от 2 шт
12461.20	/шт от 8 шт

Код: 850215156

IXYS

VUB120-16NO2, IGBT модуль 1200В 140А

под заказ

21200.00	/шт от 1 шт
20400.00	/шт от 3 шт

Код: 2015891291

Xiner

XN2001S, DriVer IC SOP8 Half-bridge

под заказ

2350.00	/шт от 10 шт
2289.39	/шт от 40 шт

Производитель
ABB APEMIC AST TECHNOLOGY ATELECT ATS BYD BYD MICROELECTR CHIPOWN CRRC FUJI FUJITSU HITACHI HUAJING HYPERSEMI INFINEON IXYS LEAPERS LEAPERS SEMICONDUCTOR LGE MARCHING POWER MICROCHIP MITSUBISHI NEDITEK ONS RED POWER SEMIKRON SHYSEMI STARPOWER STM SUNCO TAIXIN TECHSEM TSINGSEMI VISHAY WXDH XINER YJ ZHM SEMI РОССИЯ
Макс.напр.к-э,В
25 75 100 150 200 220 250 350 600 650 750 820 1200 1350 1400 1500 1600 1700 1800 2200 2500 3300 4500 6500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
1.2 1.5 1.55 1.6 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 2 2.1 2.15 2.2 2.35 2.4 2.5 2.6 2.65 2.7 2.75 2.8 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.6 3.8 4.4 5 5.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
0.015 0.1 0.35 0.5 0.7 1.5 1.75 2 3 4 5 5.7 6 7.2 8 8.7 8.8 10 11 12 13 15 20 22 24 25 27 29 30 35 40 48 50 60 70 75 80 100 105 110 120 130 140 150 160 165 200 220 225 250 260 300 350 400 450 500 540 600 650 660 700 720 750 800 820 900 950 1000 1200 1400 1500 1600 1700 1800 2400 3600 4000
Структура модуля
2 транзистора+2 диода 3-ф.выпр-ль+3ф мост 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом 3-фазный мост 3-фазный мост+тормозной транзистор Boost Dual Boost H-мост одиночный транзистор полумост чоппер с диодом
Максимальная частота модуляции,кГц
1.6 5 10 15 20 25 30 40 60 100
Мощность привода, кВт
0.1 0.2 0.4 0.75 1.5 2 2.2 3 3.7 5.24 7 7.5 11 15 17.5 20 22 30 37 50 55 70 75
Драйвер управления

Защита по току
есть нет
Защита от короткого замыкания
есть нет
Защита от перегрева
есть нет
Защита от пониженного напряжения питания
есть нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
21.3 23 36 38.3 39 43 50 51.2 56.8 63 100 131 138 250 255 284 290 320 328 338 350 390 400 416 430 450 455 480 500 520 540 541 560 590 595 600 620 650 668 672 730 735 780 781 830 890 960 1040 1041 1100 1130 1160 1260 1340 1470 1500 1550 1560 1562 1600 1785 1860 1890 1950 1980 2000 2010 2080 2100 2350 2500 2710 2800 2900 3000 3400 3670 3780 3900 4100 4300 4800 5800 6250 6500 6700 6900 8900 9200 10000 10400 12500 13100 13800 14700 15600 17800
Максимальный ток эмиттера, А
10 11 20 22 26 30 40 48 50 60 100 140 150 200 220 300 330 400 450 600 700 800 900 1000 1200 1600 1800 2000 2400 2800 3200 3600 4800
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
4 5.5 6 6.5 7 20
Напряжение эмиттер-коллектор,В
1.2 1.63 1.66 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 1.98 2 2.1 2.25 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.85 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.4 4 4.6 5
Напряжение изоляции, В
1500 2500 3500 4000 4500 5000 6000 10200
Температурный диапазон,С

Серия
CM1200DC-34N HPD T-series

Силовые IGBTи SiC модули , стр.32 1302

Силовые IGBTи SiC модули , стр.32 ₁₃₀₂