Силовые IGBT и SIC модули Infineon, Mitsubishi, Leapers, Starpower купить для частотных преобразователей, характеристики

Код: 2014953373

Infineon

FF100R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 100A 555Вт

30 шт 13 апреля

9900.00	/шт от 1 шт
9800.00	/шт от 2 шт

Код: 2015970087

Infineon

FF150R12KE3G, Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 225А

1 шт 9 апреля

7707.83	/шт от 1 шт
7632.38	/шт от 2 шт

Код: 2017233745

Greegoo

FF150R12RT4, IGBT модуль 150А 1200В, полумост [HALF-BRIDGE 1]

9 шт 13 апреля

9200.00	/шт от 1 шт
9100.00	/шт от 2 шт

Код: 2001377910

Infineon

FF150R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт

209 шт 9 апреля

6847.13	/шт от 1 шт
6585.65	/шт от 2 шт

Код: 2011040801

Infineon

FF200R12KE3HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт

3 шт 9 апреля

19330.63	/шт от 1 шт
18486.88	/шт от 2 шт

Код: 2000394300

Infineon

FF200R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт

92 шт 9 апреля

6251.55	/шт от 1 шт
5966.87	/шт от 2 шт

Код: 2017283045

Greegoo

FF300R12KE3, IGBT модуль 300А 1200В, полумост [AG-62MMHB.]

20 шт 13 апреля

13200.00	/шт от 1 шт
13000.00	/шт от 2 шт

Код: 2014953449

Infineon

FF300R12KE3HOSA1, IGBT модуль 300А 1200В, полумост [AG-62MMHB.]

20 шт 13 апреля

26200.00	/шт от 1 шт
25900.00	/шт от 2 шт

Код: 2000322886

Infineon

FF300R12KE3HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 300 А, 1450Вт

15 шт 9 апреля

14677.10	/шт от 1 шт
14056.46	/шт от 2 шт

Код: 2015583145

Infineon

FF300R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT 1200В 300А

50 шт 9 апреля

6420.89	/шт от 1 шт
6128.59	/шт от 2 шт

Код: 2011485749

Infineon

FF400R12KE3HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 400 А

41 шт 9 апреля

10801.85	/шт от 1 шт
10331.69	/шт от 2 шт

Код: 2010989450

Infineon

FF450R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 450А

14 шт 9 апреля

8596.03	/шт от 1 шт
8213.51	/шт от 2 шт

Код: 2015883551

Infineon

FF450R12ME3BOSA1, Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 600А 2100Вт 11-Pin ECONOD-3 лоток

1 шт 9 апреля

10539.97	/шт от 1 шт
10456.36	/шт от 2 шт

Код: 2015460868

Infineon

FF600R12ME4BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 600А

10 шт 9 апреля

16931.26	/шт от 1 шт
16187.69	/шт от 2 шт

Код: 2002854001

Infineon

FP25R12W2T4BOMA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 25A, 175Вт

11 шт 9 апреля

3634.39	/шт от 1 шт
3449.18	/шт от 2 шт

Код: 2014949975

Infineon

FP25R12W2T4BOMA1, Модуль IGBT 1200V 39A 175Вт

20 шт 13 апреля

5700.00	/шт от 1 шт
5610.00	/шт от 2 шт

Код: 2015547998

Infineon

FP35R12W2T4BOMA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 35A

179 шт 9 апреля

3049.96	/шт от 1 шт
2918.77	/шт от 4 шт

Код: 2015060237

Infineon

FP40R12KT3, Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 55А 210Вт 24-Pin ECONO2-5 лоток

75 шт 9 апреля

5440.33	/шт от 1 шт
5187.62	/шт от 2 шт

Код: 2010989396

Infineon

FP75R12KE3BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 A, 355Вт

7 шт 9 апреля

23542.51	/шт от 1 шт
23335.04	/шт от 2 шт

Код: 2014953372

Infineon

FP75R12KE3BOSA1, Модуль IGBT 1200V 105A 355Вт.

20 шт 13 апреля

32200.00	/шт от 1 шт
31900.00	/шт от 2 шт

Код: 2013048488

Infineon

FS75R12KE3BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В 105 А 350 Вт

10 шт 9 апреля

16602.11	/шт от 1 шт
16451.39	/шт от 2 шт

Код: 2015927063

Infineon

FS820R08A6P2LBBPSA1, IGBT модуль 750B 820А 33-Pin HYBRIDD-1

3 шт 9 апреля

61573.25	/шт от 1 шт
61071.30	/шт от 2 шт

Код: 2015759172

STARPOWER

GD100CUY120C1S, Модули IGBT

65 шт 8 апреля

2000.00	/шт от 1 шт
1990.00	/шт от 5 шт

Код: 2016906733

Starpower

GD100HFU120C1S, IGBTмодуль 1200V, 100A 2 in one-package

5 шт 9 апреля

4373.47	/шт от 1 шт
4154.12	/шт от 2 шт

Код: 2015834585

STARPOWER

GD100HFU120C8S, Модули IGBT

10 шт 8 апреля

2700.00	/шт от 1 шт
2620.00	/шт от 5 шт

Код: 2015811714

STARPOWER

GD100HFX170C1S, Модули IGBT

500 шт 8 апреля

2400.00	/шт от 1 шт
2290.00	/шт от 5 шт

Код: 2015901339

Starpower

GD100HFX170C1S, Модуль IGBT 1700В 168A

3 шт 9 апреля

2522.86	/шт от 1 шт
2499.70	/шт от 2 шт

Код: 2015892613

Starpower

GD100HFY120C1S, IGBT модуль 1200В 155А 511Вт 150 С

30 шт 9 апреля

2466.51	/шт от 1 шт
2335.61	/шт от 2 шт

Код: 2015759131

STARPOWER

GD100HFY120C1S, Модули IGBT

72 шт 8 апреля

2100.00	/шт от 1 шт
2040.00	/шт от 5 шт

Код: 2015761087

STARPOWER

GD100HFY120C2S, Модули IGBT

11 шт 8 апреля

3100.00	/шт от 1 шт
3030.00	/шт от 5 шт

Код: 2015761088

STARPOWER

GD150CUY120C1S, Модули IGBT

69 шт 8 апреля

5300.00	/шт от 1 шт
5230.00	/шт от 5 шт

Код: 2015901348

Starpower

GD150CUY120C1S, Модуль IGBT 1200В 150А

4 шт 9 апреля

5699.64	/шт от 1 шт
5421.96	/шт от 2 шт

Код: 2015901349

Starpower

GD150HFU120C2S, Модуль IGBT 1200В 150А

1 шт 9 апреля

7606.23	/шт от 1 шт
7245.82	/шт от 2 шт

Код: 2015902420

STARPOWER

GD150HFX170C2S, Модули IGBT

22 шт 8 апреля

5400.00	/шт от 1 шт
5330.00	/шт от 5 шт

Код: 2015761090

STARPOWER

GD150HFX65C1S, Модули IGBT

142 шт 8 апреля

2600.00	/шт от 1 шт
2520.00	/шт от 5 шт

Код: 2017290475

Starpower

GD150HFX65C1S, Модуль транзисторный IGBT 650В 180А

8 шт 9 апреля

2432.69	/шт от 1 шт
2369.51	/шт от 2 шт

Производитель
ABB APEMIC AST TECHNOLOGY ATELECT ATS BYD BYD MICROELECTR CRRC FUJI FUJITSU GREEGOO HITACHI HUAJING HYPERSEMI INFINEON IXYS LEAPERS LEAPERS SEMICONDUCTOR LGE MARCHING POWER MICROCHIP MITSUBISHI NEDITEK ONS RED POWER SEMIKRON SHYSEMI STARPOWER STM TAIXIN TECHSEM TSINGSEMI VISHAY WXDH XINER YJ ZHM SEMI РОССИЯ
Макс.напр.к-э,В
25 75 100 150 200 220 250 350 600 650 750 820 1200 1350 1400 1500 1600 1700 1800 2200 2500 3300 4500 6500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
1.2 1.5 1.55 1.6 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 2 2.1 2.15 2.2 2.35 2.4 2.5 2.6 2.65 2.7 2.75 2.8 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.6 3.8 4.4 5 5.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
0.015 0.1 0.35 0.5 0.7 1.5 1.75 2 3 4 5 5.7 6 7.2 8 8.7 8.8 10 11 12 13 15 20 22 24 25 27 29 30 35 39 40 48 50 60 70 75 80 100 105 110 120 130 140 150 160 165 200 220 225 250 260 300 350 400 440 450 500 540 600 650 660 700 720 750 800 820 900 950 1000 1200 1400 1500 1600 1700 1800 2400 3600 4000
Структура модуля
2 транзистора+2 диода 3-ф.выпр-ль+3ф мост 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом 3-фазный мост 3-фазный мост+тормозной транзистор Boost Dual Boost H-мост одиночный транзистор полумост чоппер с диодом
Максимальная частота модуляции,кГц
1.6 5 10 15 20 25 30 40 60 100
Мощность привода, кВт
0.1 0.2 0.4 0.75 1.5 2 2.2 3 3.7 5.24 7 7.5 11 15 17.5 20 22 30 37 50 55 70 75
Драйвер управления

Защита по току
есть нет
Защита от короткого замыкания
есть нет
Защита от перегрева
есть нет
Защита от пониженного напряжения питания
есть нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
21.3 23 36 38.3 39 43 50 51.2 56.8 63 100 131 138 250 255 284 290 320 328 338 350 390 400 416 430 450 455 480 500 520 540 541 560 590 595 600 620 650 668 672 730 735 780 781 830 890 960 1040 1041 1100 1130 1160 1260 1340 1470 1500 1550 1560 1562 1600 1785 1860 1890 1950 1980 2000 2010 2080 2100 2350 2500 2710 2800 2900 3000 3400 3670 3780 3900 4100 4300 4800 5800 6250 6500 6700 6900 8900 9200 10000 10400 12500 13100 13800 14700 15600 17800
Максимальный ток эмиттера, А
10 11 20 22 26 30 40 48 50 60 100 140 150 200 220 300 330 400 450 600 700 800 900 1000 1200 1600 1800 2000 2400 2800 3200 3600 4800
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
4 5.5 6 6.5 7 20
Напряжение эмиттер-коллектор,В
1.2 1.63 1.66 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 1.98 2 2.1 2.25 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.85 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.4 4 4.6 5
Напряжение изоляции, В
1500 2500 3500 4000 4500 5000 6000 10200
Температурный диапазон,С

Серия
CM1200DC-34N HPD T-series

Силовые IGBTи SiC модули , стр.4 1319

Силовые IGBTи SiC модули , стр.4 ₁₃₁₉