Силовые IGBT и SIC модули Infineon, Mitsubishi, Leapers, Starpower купить для частотных преобразователей, характеристики

Код: 2014630870

CM1200DA-34X, модуль IGBT 1700V 1200A замена 5SNG1000X170300

под заказ

96800.00	/шт от 2 шт
95834.16	/шт от 8 шт

Код: 2017268192

ZHM semi

2B200MF120S1P, Модуль IGBT 200А 1200В

под заказ

5640.00	/шт от 10 шт
5549.15	/шт от 40 шт

Код: 2016859491

ZHM semi

2E450M120A1P, IGBT модуль 450A 1200В

под заказ

48400.00	/шт от 48 шт
47839.88	/шт от 192 шт

Код: 2017101250

FUJI

2MBI1400VXB-120P-54, IGBT модуль 1400А 1200В

под заказ

29000.00	/шт от 2 шт
28510.87	/шт от 8 шт

Код: 2017107222

ZHM semi

6H400M120A1P, IGBT 1200V 400A IGBT module

под заказ

25300.00	/шт от 5 шт
24172.51	/шт от 20 шт

Код: 2017232540

ZHM semi

6H660M08A1E, Силовой модуль, 750V 660A IGBT module

под заказ

6170.00	/шт от 10 шт
6020.19	/шт от 40 шт

Код: 2017233052

ZHM semi

6H820M08A1E, Силовой модуль, 750V 820A IGBT module

под заказ

16300.00	/шт от 10 шт
16073.86	/шт от 40 шт

Код: 129459517

FUJITSU

7MBR10SA120, модуль 7 IGBT 1200В 10A S серия

под заказ

12600.00	/шт от 4 шт
12367.04	/шт от 16 шт

Код: 2017241541

ATS

APL60HS120MB, Диодный модуль 1200В 60А

под заказ

1500.00	/шт от 500 шт
1454.71	/шт от 2000 шт

Код: 2017092023

AST Technology

ASC100N1700MEK6, SiC MOSFET Module, Six-pack, 100A 1700V, MEK6

под заказ

29300.00	/шт от 2 шт
28396.57	/шт от 8 шт

Код: 2017098166

AST Technology

ASC200N1700MEK6, SiC MOSFET Module, Six-pack, 200A 1700V, MEK6

под заказ

46400.00	/шт от 2 шт
44978.10	/шт от 8 шт

Код: 2017176694

AST Technology

ASC800N1200DCS12, SiC MOSFET Module, Half-Bridge, 800A 1200V, DCS12

под заказ

43000.00	/шт от 4 шт
42674.76	/шт от 16 шт

Код: 2017176692

AST Technology

ASC800N1200HPD, SiC MOSFET Module, Six-pack, 800A 1200V, HPD

под заказ

102000.00	/шт от 3 шт
101186.71	/шт от 12 шт

Код: 2017176693

AST Technology

ASC800N1200MED, SiC MOSFET Module, Half-Bridge, 800A 1200V, MED

под заказ

38000.00	/шт от 4 шт
37617.92	/шт от 16 шт

Код: 2015752478

BYD Microelectr

BIP120035

под заказ

6170.00	/шт от 150 шт
6037.24	/шт от 600 шт

Код: 2015804517

BYD Microelectr

BIP120035V, 1200В 35A 3-фазный IGBT мост, =PSS25SA2FT

под заказ

4800.00	/шт от 10 шт
4681.92	/шт от 40 шт

Код: 2015849809

Infineon

BSM50GB120DLC, IGBT модуль 2 IGBT полумост 1200В 50A

под заказ

5260.00	/шт от 3 шт
5117.47	/шт от 12 шт

Код: 2012118654

Mitsubishi

CM1000DU-34NF, IGBT модуль 1700В 1000A

под заказ

43700.00	/шт от 2 шт
43529.06	/шт от 8 шт

Код: 739990212

Mitsubishi

CM1000DUC-34NF, модуль 2 IGBT 1700В 1000A 5 поколение NF серия

под заказ

73700.00	/шт от 2 шт
70992.32	/шт от 8 шт

Код: 513702377

Mitsubishi

CM1000DUC-34SA, модуль 2 IGBT 1700В 1000A 6 поколение, замена CM1000DU-34NF

под заказ

54900.00	/шт от 2 шт
52514.10	/шт от 8 шт

Код: 87771234

Mitsubishi

CM1000DXL-24S, модуль IGBT 1000А 1200В поколение NX6

под заказ

15100.00	/шт от 2 шт
14855.14	/шт от 8 шт

Код: 686941129

Mitsubishi

CM1000E3U-34NF, IGBT модуль 1700В 1000A 5 поколение NF серия

под заказ

75600.00	/шт от 2 шт
72307.57	/шт от 8 шт

Код: 1911682

Mitsubishi

CM1000HA-24H, модуль 1 IGBT 1200В 1000A 3 поколение H серия

под заказ

53900.00	/шт от 3 шт
51545.27	/шт от 12 шт

Код: 2015054917

Mitsubishi

CM1000HC-66R, IGBT модуль

под заказ

101000.00	/шт от 2 шт
99155.46	/шт от 8 шт

Код: 2015054918

Mitsubishi

CM1000HC-66R, IGBT модуль

под заказ

119000.00	/шт от 2 шт
115701.48	/шт от 8 шт

Код: 596758934

Mitsubishi

CM100DU-12F, модуль 2 IGBT RTC 600В 100A 4 поколение F серия

под заказ

6190.00	/шт от 5 шт
5852.64	/шт от 20 шт

Код: 900082399

Mitsubishi

CM100DU-12H, модуль 2 IGBT 600В 100A 3 поколение U серия

под заказ

5690.00	/шт от 5 шт
5442.02	/шт от 20 шт

Код: 972741560

Mitsubishi

CM100DU-24H, модуль 2 IGBT 1200В 100A 3 поколение U серия

под заказ

7030.00	/шт от 5 шт
6723.28	/шт от 20 шт

Код: 654774620

Mitsubishi

CM100DU-24NFH, модуль 2 IGBT 1200В 100А NFH серия

под заказ

7640.00	/шт от 2 шт
7232.99	/шт от 8 шт

Код: 808038575

Mitsubishi

CM100DU-34KA, модуль 2 IGBT 1700В 100A KA серия

под заказ

8290.00	/шт от 2 шт
8092.22	/шт от 8 шт

Код: 203161717

Mitsubishi

CM100DUS-12F, модуль 2 IGBT 600В 100A 50кГц NFH серия

под заказ

5190.00	/шт от 2 шт
4906.85	/шт от 8 шт

Код: 2014432829

Mitsubishi

CM100DY-13T, IGBT модуль T серия STD типа 650В 100А, pin to pin замена CM100DY-12H

под заказ

2770.00	/шт от 2 шт
2756.10	/шт от 8 шт

Код: 501602221

Mitsubishi

CM100DY-24A, модуль 2 IGBT 1200В 100A 5 поколение A серия, замена CM100DU-24F

под заказ

6640.00	/шт от 2 шт
6548.14	/шт от 8 шт

Код: 113620410

Mitsubishi

CM100DY-24NF, модуль 2 IGBT 1200В 100A 5 поколение NF серия (замена CM100DY-24A)

под заказ

7280.00	/шт от 2 шт
6859.64	/шт от 8 шт

Код: 2012123693

Mitsubishi

CM100DY-24T#300G, модуль IGBT T-Series STD-Type 1200V

под заказ

4150.00	/шт от 2 шт
3968.63	/шт от 8 шт

Код: 236579485

Mitsubishi

CM100DY-28H, модуль 2 IGBT 1400В 100A 3 поколение H серия

под заказ

9280.00	/шт от 5 шт
9057.18	/шт от 20 шт

Код: 739555040

Mitsubishi

CM100DY-34A, модуль 2 IGBT 1700В 100A 5 поколение A серия

под заказ

9140.00	/шт от 4 шт
8733.60	/шт от 16 шт

Код: 2012026209

Mitsubishi

CM100DY-34T, IGBT модуль T серии стандартного типа 1700В

под заказ

2700.00	/шт от 2 шт
2646.09	/шт от 8 шт

Код: 75777459

Mitsubishi

CM100E3U-12F, IGBT модуль RTC 600В 100A 4 поколение F серия

под заказ

6190.00	/шт от 7 шт
5920.83	/шт от 28 шт

Код: 917251089

Mitsubishi

CM100E3U-12H, IGBT модуль 600В 100A 3 поколение U серия

под заказ

4860.00	/шт от 7 шт
4646.24	/шт от 28 шт

Производитель
ABB APEMIC AST TECHNOLOGY ATELECT ATS BYD BYD MICROELECTR CHIPOWN CRRC FUJI FUJITSU HITACHI HUAJING HYPERSEMI INFINEON IXYS LEAPERS LEAPERS SEMICONDUCTOR LGE MARCHING POWER MICROCHIP MITSUBISHI NEDITEK ONS RED POWER SEMIKRON SHYSEMI STARPOWER STM TAIXIN TECHSEM TSINGSEMI VISHAY WXDH XINER YJ ZHM SEMI РОССИЯ
Макс.напр.к-э,В
25 75 100 150 200 220 250 350 600 650 750 820 1200 1350 1400 1500 1600 1700 1800 2200 2500 3300 4500 6500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
1.2 1.5 1.55 1.6 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 2 2.1 2.15 2.2 2.35 2.4 2.5 2.6 2.65 2.7 2.75 2.8 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.6 3.8 4.4 5 5.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
0.015 0.1 0.35 0.5 0.7 1.5 1.75 2 3 4 5 5.7 6 7.2 8 8.7 8.8 10 11 12 13 15 20 22 24 25 27 29 30 35 40 48 50 60 70 75 80 100 105 110 120 130 140 150 160 165 200 220 225 250 260 300 350 400 450 500 540 600 650 660 700 720 750 800 820 900 950 1000 1200 1400 1500 1600 1700 1800 2400 3600 4000
Структура модуля
2 транзистора+2 диода 3-ф.выпр-ль+3ф мост 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом 3-фазный мост 3-фазный мост+тормозной транзистор Boost Dual Boost H-мост одиночный транзистор полумост чоппер с диодом
Максимальная частота модуляции,кГц
1.6 5 10 15 20 25 30 40 60 100
Мощность привода, кВт
0.1 0.2 0.4 0.75 1.5 2 2.2 3 3.7 5.24 7 7.5 11 15 17.5 20 22 30 37 50 55 70 75
Драйвер управления

Защита по току
есть нет
Защита от короткого замыкания
есть нет
Защита от перегрева
есть нет
Защита от пониженного напряжения питания
есть нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
21.3 23 36 38.3 39 43 50 51.2 56.8 63 100 131 138 250 255 284 290 320 328 338 350 390 400 416 430 450 455 480 500 520 540 541 560 590 595 600 620 650 668 672 730 735 780 781 830 890 960 1040 1041 1100 1130 1160 1260 1340 1470 1500 1550 1560 1562 1600 1785 1860 1890 1950 1980 2000 2010 2080 2100 2350 2500 2710 2800 2900 3000 3400 3670 3780 3900 4100 4300 4800 5800 6250 6500 6700 6900 8900 9200 10000 10400 12500 13100 13800 14700 15600 17800
Максимальный ток эмиттера, А
10 11 20 22 26 30 40 48 50 60 100 140 150 200 220 300 330 400 450 600 700 800 900 1000 1200 1600 1800 2000 2400 2800 3200 3600 4800
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
4 5.5 6 6.5 7 20
Напряжение эмиттер-коллектор,В
1.2 1.63 1.66 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 1.98 2 2.1 2.25 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.85 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.4 4 4.6 5
Напряжение изоляции, В
1500 2500 3500 4000 4500 5000 6000 10200
Температурный диапазон,С

Серия
CM1200DC-34N HPD T-series

Силовые IGBTи SiC модули 1304

Силовые IGBTи SiC модули ₁₃₀₄