Силовые IGBT и SIC модули Infineon, Mitsubishi, Leapers, Starpower купить для частотных преобразователей, характеристики

Код: 2016912920

SKM100GB17E4, GB

28 шт 21 января

4411.04	/шт от 1 шт
4373.03	/шт от 2 шт

Код: 2011174658

SEMIKRON

SKM150GB12T4G, SEMITRANSR 3

2 шт 21 января

6249.97	/шт от 1 шт
5948.83	/шт от 2 шт

Код: 2017225706

SEMIKRON

SKM150GB176E4, SEMITRANSR 2

16 шт 21 января

6302.83	/шт от 1 шт
6160.04	/шт от 2 шт

Код: 2017099472

SEMIKRON

SKM150GB17E4G, SEMITRANSR 3

24 шт 21 января

6065.86	/шт от 1 шт
6015.04	/шт от 2 шт

Код: 2015468869

SEMIKRON

SKM200GB12T4, SEMITRANSR 3 (Case D56)

45 шт 21 января

7885.49	/шт от 1 шт
7532.90	/шт от 2 шт

Код: 2011040850

SEMIKRON

SKM50GB12T4, GB

24 шт 21 января

3475.42	/шт от 1 шт
3297.89	/шт от 2 шт

Код: 2011040852

SEMIKRON

SKM75GB12T4, GB

7 шт 21 января

3171.49	/шт от 1 шт
3007.95	/шт от 2 шт

Код: 2015987645

SEMIKRON

SKM75GB17E4, SEMITRANSR 2

64 шт 21 января

3245.29	/шт от 1 шт
3210.97	/шт от 2 шт

Код: 2010026148

STM

STGIPN3H60, NDIP26

9 шт 21 января

1261.32	/шт от 1 шт
1189.38	/шт от 2 шт

Код: 2010026059

STM

STGIPN3H60A, NDIP26

18 шт 21 января

617.09	/шт от 1 шт
578.72	/шт от 4 шт

Код: 2015941463

Xiner

XNG300B34KC2S8

15 шт 21 января

9153.17	/шт от 1 шт
8750.30	/шт от 2 шт

Код: 2015906745

Xiner

XNG450B24KC2S

2 шт 21 января

10136.08	/шт от 1 шт
9694.32	/шт от 2 шт

Код: 2015841885

Xiner

XNG450B24KC5A5

2476 шт 21 января

7888.88	/шт от 1 шт
7536.60	/шт от 2 шт

Код: 2015913709

Xiner

XNG450B24LC5AL

70 шт 21 января

6766.62	/шт от 1 шт
6459.82	/шт от 2 шт

Код: 2015941458

Leapers Semiconductor

DFI600HF17I4RE1, IGBT Модуль 1700В, 600А

78 шт 9 января

10203.61	/шт от 1 шт
9759.19	/шт от 2 шт

Код: 2014945273

SEMIKRON

SKM100GB125DN, SEMITRANSR 2N (Case D93)

4 шт 9 января

6615.13	/шт от 1 шт
6313.55	/шт от 2 шт

Код: 741355632

Mitsubishi

CP30TD1-12A, IGBT модуль 30A 600В

под заказ

4100.00	/шт от 2 шт
4056.33	/шт от 8 шт

Код: 2015985437

Leapers

DFI100HF17DE1, IGBT модуль, 1700V, 100A, полумост, альтернатива для SKM145GB176D-SEMITRANS2

под заказ

2430.00	/шт от 4 шт
2397.13	/шт от 16 шт

Код: 2016019945

Leapers

DFI100PM12P4D1, IGBT модуль, 1200V, 100A, P4 Full Bridge, = CM100MXUC-24T, FP100R12N3T7_B11. FP100R1

под заказ

5640.00	/шт от 6 шт
5598.09	/шт от 24 шт

Код: 2015650160

MG150HF065TLC1, IGBT модуль, 650В, 150А

под заказ

15.90	/шт от 50 шт
15.49	/шт от 200 шт

Код: 2015932345

MG150HF12TLC2, IGBT модуль, 1200В, 150А, 833Вт (C2) = GD150HFU120C2S, FF150R12KS4

под заказ

5050.00	/шт от 2 шт
4894.93	/шт от 8 шт

Код: 2017288364

SUNCO

MG150HF17SCC1, IGBT модуль, 150А, 1700В

под заказ

1.00	/шт от 3 шт
1.00	/шт от 12 шт

Код: 2017290413

MG200HF12SCC2, IGBT модуль 200 Ампер 1200 Вольт

под заказ

12.00	/шт от 3 шт
12.00	/шт от 12 шт

Код: 2017290414

MG200HF17SCC2, IGBT модуль 200 Ампер 1700 Вольт

под заказ

12.00	/шт от 3 шт
12.00	/шт от 12 шт

Код: 2017290415

MG250HF12SCC2, IGBT модуль 250 Ампер 1200 Вольт

под заказ

12.00	/шт от 3 шт
12.00	/шт от 12 шт

Код: 2017290431

MG300HF065TLC2, IGBT модуль, 650В, 300A

под заказ

1.00	/шт от 3 шт
1.00	/шт от 12 шт

Код: 2017290416

MG300HF12SCC2, IGBT модуль 300 Ампер 1200 Вольт

под заказ

12.00	/шт от 3 шт
12.00	/шт от 12 шт

Код: 2017290434

MG400U12TLC21, IGBT модуль, 1200В, 400A

под заказ

1.00	/шт от 3 шт
1.00	/шт от 12 шт

Код: 2017290417

MG450HF12SCC2, IGBT модуль 450 Ампер 1200 Вольт

под заказ

12.00	/шт от 3 шт
12.00	/шт от 12 шт

Код: 2017290418

MG450HF12SCE3, IGBT модуль 450 Ампер 1200 Вольт

под заказ

12.00	/шт от 3 шт
12.00	/шт от 12 шт

Код: 2017290419

MG450HF17SCC2, IGBT модуль 450 Ампер 1700 Вольт

под заказ

12.00	/шт от 3 шт
12.00	/шт от 12 шт

Код: 2017290420

MG450HF17SCE3, IGBT модуль 450 Ампер 1700 Вольт

под заказ

12.00	/шт от 3 шт
12.00	/шт от 12 шт

Код: 2017290421

MG600HF12SCC2, IGBT модуль 600 Ампер 1200 Вольт

под заказ

12.00	/шт от 3 шт
12.00	/шт от 12 шт

Код: 2017290422

MG600HF12SCE3, IGBT модуль 600 Ампер 1200 Вольт

под заказ

12.00	/шт от 3 шт
12.00	/шт от 12 шт

Код: 2017290435

MG600HF12TLC2, IGBT модуль, 1200В, 600A

под заказ

1.00	/шт от 3 шт
1.00	/шт от 12 шт

Код: 2016392343

MG600HF12TLE3, IGBT модуль, 1200В, 600A, (C1) =(CRRC) TG600HF12M1-G3A00

под заказ (в резерве 5)

5890.00	/шт от 3 шт
5786.67	/шт от 12 шт

Производитель
ABB APEMIC AST TECHNOLOGY ATELECT ATS BYD BYD MICROELECTR CHIPOWN CRRC FUJI FUJITSU HITACHI HUAJING HYPERSEMI INFINEON IXYS LEAPERS LEAPERS SEMICONDUCTOR LGE MARCHING POWER MICROCHIP MITSUBISHI NEDITEK ONS RED POWER SEMIKRON SHYSEMI STARPOWER STM SUNCO TAIXIN TECHSEM TSINGSEMI VISHAY WXDH XINER YJ ZHM SEMI РОССИЯ
Макс.напр.к-э,В
25 75 100 150 200 220 250 350 600 650 750 820 1200 1350 1400 1500 1600 1700 1800 2200 2500 3300 4500 6500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
1.2 1.5 1.55 1.6 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 2 2.1 2.15 2.2 2.35 2.4 2.5 2.6 2.65 2.7 2.75 2.8 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.6 3.8 4.4 5 5.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
0.015 0.1 0.35 0.5 0.7 1.5 1.75 2 3 4 5 5.7 6 7.2 8 8.7 8.8 10 11 12 13 15 20 22 24 25 27 29 30 35 40 48 50 60 70 75 80 100 105 110 120 130 140 150 160 165 200 220 225 250 260 300 350 400 450 500 540 600 650 660 700 720 750 800 820 900 950 1000 1200 1400 1500 1600 1700 1800 2400 3600 4000
Структура модуля
2 транзистора+2 диода 3-ф.выпр-ль+3ф мост 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом 3-фазный мост 3-фазный мост+тормозной транзистор Boost Dual Boost H-мост одиночный транзистор полумост чоппер с диодом
Максимальная частота модуляции,кГц
1.6 5 10 15 20 25 30 40 60 100
Мощность привода, кВт
0.1 0.2 0.4 0.75 1.5 2 2.2 3 3.7 5.24 7 7.5 11 15 17.5 20 22 30 37 50 55 70 75
Драйвер управления

Защита по току
есть нет
Защита от короткого замыкания
есть нет
Защита от перегрева
есть нет
Защита от пониженного напряжения питания
есть нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
21.3 23 36 38.3 39 43 50 51.2 56.8 63 100 131 138 250 255 284 290 320 328 338 350 390 400 416 430 450 455 480 500 520 540 541 560 590 595 600 620 650 668 672 730 735 780 781 830 890 960 1040 1041 1100 1130 1160 1260 1340 1470 1500 1550 1560 1562 1600 1785 1860 1890 1950 1980 2000 2010 2080 2100 2350 2500 2710 2800 2900 3000 3400 3670 3780 3900 4100 4300 4800 5800 6250 6500 6700 6900 8900 9200 10000 10400 12500 13100 13800 14700 15600 17800
Максимальный ток эмиттера, А
10 11 20 22 26 30 40 48 50 60 100 140 150 200 220 300 330 400 450 600 700 800 900 1000 1200 1600 1800 2000 2400 2800 3200 3600 4800
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
4 5.5 6 6.5 7 20
Напряжение эмиттер-коллектор,В
1.2 1.63 1.66 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 1.98 2 2.1 2.25 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.85 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.4 4 4.6 5
Напряжение изоляции, В
1500 2500 3500 4000 4500 5000 6000 10200
Температурный диапазон,С

Серия
CM1200DC-34N HPD T-series

Силовые IGBTи SiC модули , стр.7 1319

Силовые IGBTи SiC модули , стр.7 ₁₃₁₉