Силовые IGBT и SIC модули Infineon, Mitsubishi, Leapers, Starpower купить для частотных преобразователей, характеристики

Код: 2016114625

SKM100GB12T4G, SEMITRANSR 3

7 шт 26 декабря

4011.70	/шт от 1 шт
3809.09	/шт от 2 шт

Код: 2016912920

SEMIKRON

SKM100GB17E4, GB

28 шт 26 декабря

4466.15	/шт от 1 шт
4427.68	/шт от 2 шт

Код: 2011174658

SEMIKRON

SKM150GB12T4G, SEMITRANSR 3

2 шт 26 декабря

6328.10	/шт от 1 шт
6023.19	/шт от 2 шт

Код: 2017225706

SEMIKRON

SKM150GB176E4, SEMITRANSR 2

16 шт 26 декабря

6381.62	/шт от 1 шт
6237.00	/шт от 2 шт

Код: 2017099472

SEMIKRON

SKM150GB17E4G, SEMITRANSR 3

24 шт 26 декабря

6130.34	/шт от 1 шт
6079.06	/шт от 2 шт

Код: 2015468869

SEMIKRON

SKM200GB12T4, SEMITRANSR 3 (Case D56)

45 шт 26 декабря

7984.06	/шт от 1 шт
7627.07	/шт от 2 шт

Код: 2011040850

SEMIKRON

SKM50GB12T4, GB

24 шт 26 декабря

3518.86	/шт от 1 шт
3339.11	/шт от 2 шт

Код: 2011040852

SEMIKRON

SKM75GB12T4, GB

7 шт 26 декабря

3211.13	/шт от 1 шт
3045.55	/шт от 2 шт

Код: 2015987645

SEMIKRON

SKM75GB17E4, SEMITRANSR 2

64 шт 26 декабря

3279.87	/шт от 1 шт
3245.15	/шт от 2 шт

Код: 2010026148

STM

STGIPN3H60, NDIP26

9 шт 26 декабря

1277.09	/шт от 1 шт
1204.25	/шт от 2 шт

Код: 2010026059

STM

STGIPN3H60A, NDIP26

19 шт 26 декабря

624.80	/шт от 1 шт
585.95	/шт от 4 шт

Код: 2015941463

Xiner

XNG300B34KC2S8

15 шт 26 декабря

9153.17	/шт от 1 шт
8750.30	/шт от 2 шт

Код: 2015906745

Xiner

XNG450B24KC2S

2 шт 26 декабря

10136.08	/шт от 1 шт
9694.32	/шт от 2 шт

Код: 2015841885

Xiner

XNG450B24KC5A5

2476 шт 26 декабря

7888.88	/шт от 1 шт
7536.60	/шт от 2 шт

Код: 2015913709

Xiner

XNG450B24LC5AL

70 шт 26 декабря

6766.62	/шт от 1 шт
6459.82	/шт от 2 шт

Код: 2015941458

Leapers Semiconductor

DFI600HF17I4RE1, IGBT Модуль 1700В, 600А

78 шт 26 декабря

10203.61	/шт от 1 шт
9759.19	/шт от 2 шт

Код: 2014945273

SEMIKRON

SKM100GB125DN, SEMITRANSR 2N (Case D93)

4 шт 26 декабря

6615.13	/шт от 1 шт
6313.55	/шт от 2 шт

Код: 741355632

Mitsubishi

CP30TD1-12A, IGBT модуль 30A 600В

под заказ

4170.00	/шт от 2 шт
4127.21	/шт от 8 шт

Код: 2015985437

Leapers

DFI100HF17DE1, IGBT модуль, 1700V, 100A, полумост, альтернатива для SKM145GB176D-SEMITRANS2

под заказ

2490.00	/шт от 4 шт
2457.81	/шт от 16 шт

Код: 2016019945

Leapers

DFI100PM12P4D1, IGBT модуль, 1200V, 100A, P4 Full Bridge, = CM100MXUC-24T, FP100R12N3T7_B11. FP100R1

под заказ

5640.00	/шт от 6 шт
5598.09	/шт от 24 шт

Код: 2017268192

ZHM semi

2B200MF120S1P, Модуль IGBT 200А 1200В

под заказ

6020.00	/шт от 10 шт
5921.42	/шт от 40 шт

Код: 2016859491

ZHM semi

2E450M120A1P, IGBT модуль 450A 1200В

под заказ

51300.00	/шт от 48 шт
50720.43	/шт от 192 шт

Код: 2017101250

FUJI

2MBI1400VXB-120P-54, IGBT модуль 1400А 1200В

под заказ

30700.00	/шт от 2 шт
30202.41	/шт от 8 шт

Код: 2017107222

ZHM semi

6H400M120A1P, IGBT 1200V 400A IGBT module

под заказ

26900.00	/шт от 5 шт
25724.86	/шт от 20 шт

Код: 2017232540

ZHM semi

6H660M08A1E, Силовой модуль, 750V 660A IGBT module

под заказ

6580.00	/шт от 10 шт
6420.29	/шт от 40 шт

Код: 2017233052

ZHM semi

6H820M08A1E, Силовой модуль, 750V 820A IGBT module

под заказ

17400.00	/шт от 10 шт
17153.36	/шт от 40 шт

Код: 129459517

FUJITSU

7MBR10SA120, модуль 7 IGBT 1200В 10A S серия

под заказ

13300.00	/шт от 4 шт
13075.00	/шт от 16 шт

Код: 2017241541

ATS

APL60HS120MB, Диодный модуль 1200В 60А

под заказ

1600.00	/шт от 500 шт
1551.61	/шт от 2000 шт

Код: 2017092023

AST Technology

ASC100N1700MEK6, SiC MOSFET Module, Six-pack, 100A 1700V, MEK6

под заказ

31300.00	/шт от 2 шт
30319.12	/шт от 8 шт

Код: 2017098166

AST Technology

ASC200N1700MEK6, SiC MOSFET Module, Six-pack, 200A 1700V, MEK6

под заказ

49500.00	/шт от 2 шт
47978.44	/шт от 8 шт

Код: 2017176694

AST Technology

ASC800N1200DCS12, SiC MOSFET Module, Half-Bridge, 800A 1200V, DCS12

под заказ

45800.00	/шт от 4 шт
45472.66	/шт от 16 шт

Код: 2017176692

AST Technology

ASC800N1200HPD, SiC MOSFET Module, Six-pack, 800A 1200V, HPD

под заказ

108000.00	/шт от 3 шт
107392.91	/шт от 12 шт

Код: 2017176693

AST Technology

ASC800N1200MED, SiC MOSFET Module, Half-Bridge, 800A 1200V, MED

под заказ

40500.00	/шт от 4 шт
40101.24	/шт от 16 шт

Код: 2015752478

BYD Microelectr

BIP120035

под заказ

6540.00	/шт от 150 шт
6400.92	/шт от 600 шт

Код: 2015804517

BYD Microelectr

BIP120035V, 1200В 35A 3-фазный IGBT мост, =PSS25SA2FT

под заказ

5090.00	/шт от 10 шт
4965.39	/шт от 40 шт

Код: 2015849809

Infineon

BSM50GB120DLC, IGBT модуль 2 IGBT полумост 1200В 50A

под заказ

5260.00	/шт от 3 шт
5117.47	/шт от 12 шт

Производитель
ABB APEMIC AST TECHNOLOGY ATELECT ATS BYD BYD MICROELECTR CHIPOWN CRRC FUJI FUJITSU HITACHI HUAJING HYPERSEMI INFINEON IXYS LEAPERS LEAPERS SEMICONDUCTOR LGE MARCHING POWER MICROCHIP MITSUBISHI NEDITEK ONS RED POWER SEMIKRON SHYSEMI STARPOWER STM SUNCO TAIXIN TECHSEM TSINGSEMI VISHAY WXDH XINER YJ ZHM SEMI РОССИЯ
Макс.напр.к-э,В
25 75 100 150 200 220 250 350 600 650 750 820 1200 1350 1400 1500 1600 1700 1800 2200 2500 3300 4500 6500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
1.2 1.5 1.55 1.6 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 2 2.1 2.15 2.2 2.35 2.4 2.5 2.6 2.65 2.7 2.75 2.8 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.6 3.8 4.4 5 5.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
0.015 0.1 0.35 0.5 0.7 1.5 1.75 2 3 4 5 5.7 6 7.2 8 8.7 8.8 10 11 12 13 15 20 22 24 25 27 29 30 35 40 48 50 60 70 75 80 100 105 110 120 130 140 150 160 165 200 220 225 250 260 300 350 400 450 500 540 600 650 660 700 720 750 800 820 900 950 1000 1200 1400 1500 1600 1700 1800 2400 3600 4000
Структура модуля
2 транзистора+2 диода 3-ф.выпр-ль+3ф мост 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом 3-фазный мост 3-фазный мост+тормозной транзистор Boost Dual Boost H-мост одиночный транзистор полумост чоппер с диодом
Максимальная частота модуляции,кГц
1.6 5 10 15 20 25 30 40 60 100
Мощность привода, кВт
0.1 0.2 0.4 0.75 1.5 2 2.2 3 3.7 5.24 7 7.5 11 15 17.5 20 22 30 37 50 55 70 75
Драйвер управления

Защита по току
есть нет
Защита от короткого замыкания
есть нет
Защита от перегрева
есть нет
Защита от пониженного напряжения питания
есть нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
21.3 23 36 38.3 39 43 50 51.2 56.8 63 100 131 138 250 255 284 290 320 328 338 350 390 400 416 430 450 455 480 500 520 540 541 560 590 595 600 620 650 668 672 730 735 780 781 830 890 960 1040 1041 1100 1130 1160 1260 1340 1470 1500 1550 1560 1562 1600 1785 1860 1890 1950 1980 2000 2010 2080 2100 2350 2500 2710 2800 2900 3000 3400 3670 3780 3900 4100 4300 4800 5800 6250 6500 6700 6900 8900 9200 10000 10400 12500 13100 13800 14700 15600 17800
Максимальный ток эмиттера, А
10 11 20 22 26 30 40 48 50 60 100 140 150 200 220 300 330 400 450 600 700 800 900 1000 1200 1600 1800 2000 2400 2800 3200 3600 4800
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
4 5.5 6 6.5 7 20
Напряжение эмиттер-коллектор,В
1.2 1.63 1.66 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 1.98 2 2.1 2.25 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.85 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.4 4 4.6 5
Напряжение изоляции, В
1500 2500 3500 4000 4500 5000 6000 10200
Температурный диапазон,С

Серия
CM1200DC-34N HPD T-series

Силовые IGBTи SiC модули , стр.7 1302

Силовые IGBTи SiC модули , стр.7 ₁₃₀₂