Москва +7 (495) 125-15-24 shop@platan.ru | С.-Петербург +7 (812) 232-88-36 shop@platan.spb.ru

Близкие по характеристикам к SQS660CENW-T1_GE3

вернуть все фильтры
Параметры товаров
SQS414CENW-T1_GE3, МОП транзистор N-канал 60В (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8, 23мОм,  10V, 35мОм,
SQS414CENW-T1_GE3
НН: 2015512112
SQS660CENW-T1_GE3, МОП транзистор N-канал 60В (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8W, 11.2мОм,  10V, 16м
SQS660CENW-T1_GE3
НН: 2015512123
Производитель
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики S,А/В
Особенности
Температура, С
Корпус
Серия
Наличие
Цена
VISHAY
N-канал
60
-
-
-
-
-
-
-
PowerPAK 1212
-
-
от 30000 - 31.72 руб.
шт
VISHAY
N-канал
60
-
-
-
-
-
-
-
PowerPAK 1212
-
-
от 30000 - 33.58 руб.
шт