Москва +7 (495) 125-15-24 shop@platan.ru | С.-Петербург +7 (812) 232-88-36 shop@platan.spb.ru

Близкие по характеристикам к FDD6637

вернуть все фильтры
Параметры товаров
FDD6637, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус TO252
FDD6637
НН: 2015708365
FDD6637-VB, Транзистор P-MOSFET 30В 80A [DPAK / TO-252]  аналог для FDD6637
FDD6637-VB
НН: 2016542499
Документация:
FDD6637, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус TO252
FDD6637
НН: 2016958401
Документация:
Производитель
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики S,А/В
Особенности
Температура, С
Корпус
Серия
Наличие
Цена
VBSEMI
P-канал
30
80
-
-
-
-
-
-
TO-252
-
-
от 4 - 22.03 руб.
от 3 - 22.35 руб.
от 3 - 22.68 руб.
от 2 - 23.00 руб.
от 1 - 24.00 руб.
шт
VBSEMI
P-канал
30
80
-
-
-
-
-
-
TO-252
-
332 шт
от 2000 - 29.66 руб.
от 1400 - 30.67 руб.
от 800 - 31.69 руб.
от 200 - 32.70 руб.
от 1 - 39.00 руб.
шт
YOUTAI
P-канал
30
80
-
-
-
-
-
-
TO-252
-
-
от 450 - 24.04 руб.
от 350 - 26.76 руб.
от 250 - 29.48 руб.
от 150 - 32.20 руб.
от 1 - 33.00 руб.
шт