Москва +7 (495) 125-15-24 shop@platan.ru | С.-Петербург +7 (812) 232-88-36 shop@platan.spb.ru

Близкие по характеристикам к SI2303CDS-T1-GE3-VB

вернуть все фильтры
Параметры товаров
SI2307CDS-T1-GE3-VB, Транзистор P-MOSFET 30В 5.6А 2.5Вт [SOT-23-3.]
SI2307CDS-T1-GE3-VB
НН: 2017106619
SI2303CDS-T1-GE3-VB, Транзистор P-MOSFET 30В 5.6А 2.5Вт [SOT-23-3.]
SI2303CDS-T1-GE3-VB
НН: 2017106626
Производитель
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики S,А/В
Особенности
Температура, С
Корпус
Серия
Наличие
Цена
VBSEMI
-
-
5.6
-
-
2.5
-
-
-
SOT-23-3
-
-
от 1000 - 20.71 руб.
от 700 - 21.04 руб.
от 400 - 21.37 руб.
от 100 - 21.70 руб.
от 1 - 23.00 руб.
шт
VBSEMI
-
-
5.6
-
-
2.5
-
-
-
SOT-23-3
-
-
от 1000 - 15.72 руб.
от 700 - 15.98 руб.
от 400 - 16.24 руб.
от 100 - 16.50 руб.
от 1 - 18.00 руб.
шт