Москва +7 (495) 125-15-24 shop@platan.ru | С.-Петербург +7 (812) 232-88-36 shop@platan.spb.ru

Близкие по характеристикам к SI2301CDS-T1-GE3

вернуть все фильтры
Параметры товаров
SI2301CDS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.1А 1.6Вт
SI2301CDS-T1-GE3
НН: 2010077327
Документация:
SI2301CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -1,8А, 1,6Вт, SOT23
SI2301CDS-T1-GE3
НН: 2017319012
Документация:
SI2301CDS-T1-GE3, Транзистор MOSFET P-CH 20В 3.1А [SOT-23-3]
SI2301CDS-T1-GE3
НН: 2017416066
Документация:
Производитель
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики S,А/В
Особенности
Температура, С
Корпус
Серия
Наличие
Цена
VISHAY
P-канал
-20
-3.1
-4.5
112
1.6
-
-
-55…+150
SOT-23
-
-
от 1746 - 4.99 руб.
от 873 - 5.60 руб.
от 437 - 6.39 руб.
от 219 - 7.34 руб.
от 1 - 8.54 руб.
шт
VISHAY
P-канал
-20
-3.1
-4.5
112
1.6
-
-
-55…+150
SOT-23
-
-
от 20000 - 6.68 руб.
от 13350 - 7.18 руб.
от 6700 - 7.69 руб.
от 50 - 8.19 руб.
от 1 - 12.00 руб.
шт
VISHAY
P-канал
-20
-3.1
-4.5
112
1.6
-
-
-55…+150
SOT-23
-
-
от 200 - 94.84 руб.
от 140 - 95.06 руб.
от 80 - 95.28 руб.
от 20 - 95.50 руб.
от 1 - 97.00 руб.
шт