Найдено в группах:
| Наименование | Наличие | Цена руб, с НДС | Купить |
|---|
| n-channel mosfet в группе «транзисторы полевые» 769 | ||||||||||||||
|
WMJ90R500S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 900V = IXFR18N90P
WAYON2015904175 документация |
|
4441 шт. |
|
|||||||||||
|
VBA3638, 1 Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET аналог SI4946BEY-T1,AO4826,NCE6005AS
VBSEMI2015734268 документация |
|
1771 шт. |
|
|||||||||||
|
WMK36N65C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 650V = NTPF190N65S3HF = IXTP20N65X2M
WAYON2015903718 документация |
|
1234 шт. |
|
|||||||||||
|
WMO18N50C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 500V
WAYON2015904214 документация |
|
1039 шт. |
|
|||||||||||
|
WML15N60C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 600V
WAYON2015903588 |
|
1000 шт. |
|
|||||||||||
|
WMJ28N60C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 600V
WAYON2015903603 документация |
|
1000 шт. |
|
|||||||||||
| n-channel mosfet в группе «микросхемы импортные разные» 2 | ||||||||||||||
|
LM5069MM-2/NOPB, Hot Swap Controller 1-CH 80V N-Channel Positive High Voltage 10-Pin VSSOP T/R
TI2015533794 документация |
|
278 шт. (в резерве 12) |
|
|||||||||||
|
LT4250HCS8#TRPBF, Voltage 8Pin SOIC N Hot Swap Controller 1CH -20V N-Channel Negative H
AD2015807663 документация |
|
под заказ |
|
|||||||||||
| n-channel mosfet в группе «драйверы разные» 1 | ||||||||||||
|
IRS4428STRPBF, IRS4428STRPBF, Два независимых драйвера Infineon Technologies, IGBT, N-Channel MOSFET
Infineon Technologies2017139182 документация |
|
940 шт. 18 февраля |
|
|||||||||
| n-channel mosfet в группе «контроллеры разные» 1 | ||||||||||||||
|
BTS3410G, N channel vertical power FET in Smart SIPMOS technology. Fully protected. 42 V, 1.3 A, 190
Infineon2015970388 документация |
|
760 шт. 19 февраля |
|
|||||||||||
| n-channel mosfet в группе «Силовые IGBTи SiC модули» 1 | ||||||
|
MBN3600E17F, модуль Silicon N-channel IGBT3600A 1700V
Hitachi2015715770 |
|
под заказ |
|
|||
| n-channel mosfet в группе «Прочее» | ||||||||||||||
|
G26N02K, 20V 26A 14.1m@2.5V,3A 33W 500mV@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSF, Транзистор
GOFORD2017220180 |
|
10 шт. 24 февраля |
|
|||||||||||
|
MMDF2C03HDR2G-VB, 30V 8A 18m@10V,8A 1 N-Channel + 1 P-Channel SO-8 MOS, Транзистор
VBsemi2017284160 |
|
10 шт. 24 февраля |
|
|||||||||||
|
4N0404 TO263-VB, Транзистор , 40V 100A 5m@10V 1 N-Channel TO-263 MOSFETs ROHS
VBsemi2017288044 |
|
10 шт. 24 февраля |
|
|||||||||||
|
NTBLS1D7N08H, MOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel, TOLL, 80 V, 1., Транзистор полевой
ONS2017094756 |
|
6 шт. 24 февраля |
|
|||||||||||
|
FDMC3612 транзистор, MOSFET N-CHANNEL 100V 3.3A MLP8
ONS2017100754 |
|
3 шт. 24 февраля |
|
|||||||||||
|
VBA5311, 30V 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel -55 C~+150 C@(Tj) SO-8 MOSFE
VBsemi2016106347 |
|
2 шт. 24 февраля |
|
|||||||||||
| n-channel mosfet в группе «транзисторы полевые» 769 | |||||||||||
|
WMJ90R500S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 900V = IXFR18N90P
WAYON 2015904175 документация | |||||||||||
|
|
||||||||||
| В наличии: 4441 шт. | |||||||||||
|
VBA3638, 1 Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET аналог SI4946BEY-T1,AO4826,NCE6005AS
VBSEMI 2015734268 документация | |||||||||||
|
|
||||||||||
| В наличии: 1771 шт. | |||||||||||
|
WMK36N65C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 650V = NTPF190N65S3HF = IXTP20N65X2M
WAYON 2015903718 документация | |||||||||||
|
|
||||||||||
| В наличии: 1234 шт. | |||||||||||
|
WMO18N50C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 500V
WAYON 2015904214 документация | |||||||||||
|
|
||||||||||
| В наличии: 1039 шт. | |||||||||||
|
WML15N60C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 600V
WAYON 2015903588 | |||||||||||
|
|
||||||||||
| В наличии: 1000 шт. | |||||||||||
|
WMJ28N60C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 600V
WAYON 2015903603 документация | |||||||||||
|
|
||||||||||
| В наличии: 1000 шт. | |||||||||||
| n-channel mosfet в группе «микросхемы импортные разные» 2 | |||||||||||
|
LM5069MM-2/NOPB, Hot Swap Controller 1-CH 80V N-Channel Positive High Voltage 10-Pin VSSOP T/R
TI 2015533794 документация | |||||||||||
|
|
||||||||||
| В наличии: 278 шт. (в резерве 12) | |||||||||||
|
LT4250HCS8#TRPBF, Voltage 8Pin SOIC N Hot Swap Controller 1CH -20V N-Channel Negative H
AD 2015807663 документация | |||||||||||
|
|
||||||||||
| под заказ | |||||||||||
| n-channel mosfet в группе «драйверы разные» 1 | |||||||||||
|
IRS4428STRPBF, IRS4428STRPBF, Два независимых драйвера Infineon Technologies, IGBT, N-Channel MOSFET
Infineon Technologies 2017139182 документация | |||||||||||
|
|
||||||||||
| 940 шт. (2-3 раб.дня) | |||||||||||
| n-channel mosfet в группе «контроллеры разные» 1 | |||||||||||
|
BTS3410G, N channel vertical power FET in Smart SIPMOS technology. Fully protected. 42 V, 1.3 A, 190
Infineon 2015970388 документация | |||||||||||
|
|
||||||||||
| 760 шт. (3-4 раб.дня) | |||||||||||
| n-channel mosfet в группе «Силовые IGBTи SiC модули» 1 | |||||||||||
|
MBN3600E17F, модуль Silicon N-channel IGBT3600A 1700V
Hitachi 2015715770 | |||||||||||
|
|
||||||||||
| под заказ | |||||||||||
| n-channel mosfet в группе «Прочее» 14 | |||||||||||
|
G26N02K, 20V 26A 14.1m@2.5V,3A 33W 500mV@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSF, Транзистор
GOFORD 2017220180 | |||||||||||
|
|
||||||||||
| 10 шт. (5 раб. дней) | |||||||||||
|
MMDF2C03HDR2G-VB, 30V 8A 18m@10V,8A 1 N-Channel + 1 P-Channel SO-8 MOS, Транзистор
VBsemi 2017284160 | |||||||||||
|
|
||||||||||
| 10 шт. (5 раб. дней) | |||||||||||
|
4N0404 TO263-VB, Транзистор , 40V 100A 5m@10V 1 N-Channel TO-263 MOSFETs ROHS
VBsemi 2017288044 | |||||||||||
|
|
||||||||||
| 10 шт. (5 раб. дней) | |||||||||||
|
NTBLS1D7N08H, MOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel, TOLL, 80 V, 1., Транзистор полевой
ONS 2017094756 | |||||||||||
|
|
||||||||||
| 6 шт. (5 раб. дней) | |||||||||||
|
FDMC3612 транзистор, MOSFET N-CHANNEL 100V 3.3A MLP8
ONS 2017100754 | |||||||||||
|
|
||||||||||
| 3 шт. (5 раб. дней) | |||||||||||
|
VBA5311, 30V 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel -55 C~+150 C@(Tj) SO-8 MOSFE
VBsemi 2016106347 | |||||||||||
|
|
||||||||||
| 2 шт. (5 раб. дней) | |||||||||||