Найдено в группах:
| Наименование | Наличие | Цена руб, с НДС | Купить |
|---|
| n-channel mosfet в группе «транзисторы полевые» 785 | ||||||||||||||
|
WMJ90R500S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 900V = IXFR18N90P
WAYON2015904175 документация |
|
3797 шт. |
|
|||||||||||
|
VBA3638, 1 Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET аналог SI4946BEY-T1,AO4826,NCE6005AS
VBSEMI2015734268 документация |
|
1771 шт. |
|
|||||||||||
|
WMO18N50C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 500V
WAYON2015904214 документация |
|
974 шт. |
|
|||||||||||
|
VBZMB20N65S, N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET аналог RS65R190F , IPA60R180P7S, CRJF190N6
VBSEMI2015716340 документация |
|
870 шт. |
|
|||||||||||
|
WMK36N65C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 650V = NTPF190N65S3HF = IXTP20N65X2M
WAYON2015903718 документация |
|
704 шт. |
|
|||||||||||
|
IRLU024NPB-VB, N-Channel 60 V (D-S) MOSFET аналог IRLU024NPBF
VBSEMI2015721499 документация |
|
459 шт. |
|
|||||||||||
| n-channel mosfet в группе «микросхемы импортные разные» 3 | ||||||||||||||
|
TPS2490DGSR, Hot Swap Controller 1-CH 80V N-Channel Positive High Voltage 10-Pin, MSOP10
TI2017406983 документация |
|
500 шт. |
|
|||||||||||
|
LM5069MM-2/NOPB, Hot Swap Controller 1-CH 80V N-Channel Positive High Voltage 10-Pin VSSOP T/R
TI2015533794 документация |
|
17 шт. (в резерве 12) |
|
|||||||||||
|
LT4250HCS8#TRPBF, Voltage 8Pin SOIC N Hot Swap Controller 1CH -20V N-Channel Negative H
AD2015807663 документация |
|
под заказ |
|
|||||||||||
| n-channel mosfet в группе «драйверы MOSFET и IGBT» 1 | ||||||||||||
|
IRS4428STRPBF, IRS4428STRPBF, Два независимых драйвера Infineon Technologies, IGBT, N-Channel MOSFET
INFINEON2017139182 документация |
|
920 шт. 20 августа |
|
|||||||||
| n-channel mosfet в группе «контроллеры разные» 1 | ||||||||||||||
|
BTS3410G, N channel vertical power FET in Smart SIPMOS technology. Fully protected. 42 V, 1.3 A, 190
INFINEON2015970388 документация |
|
836 шт. 21 августа |
|
|||||||||||
| n-channel mosfet в группе «транзисторы биполярные» 1 | ||||||||||||||
|
MMDF2C03HDR2G-VB, 30V 8A 18m@10V,8A 1 N-Channel + 1 P-Channel SO-8 MOS, Транзистор
VBSEMI2017284160 |
|
10 шт. 25 августа |
|
|||||||||||
| n-channel mosfet в группе «Силовые IGBTи SiC модули» 1 | ||||||
|
MBN3600E17F, модуль Silicon N-channel IGBT3600A 1700V
HITACHI2015715770 |
|
под заказ |
|
|||
| n-channel mosfet в группе «Прочее» | ||||||||||||||
|
AP30H150G, 30V 120A 1 N-Channel PDFN5x6-8L MOSFETs ROHS, Транзистор
QUAN LI2017314287 |
|
10 шт. 25 августа |
|
|||||||||||
|
NCV8406ASTT3G, NChannel 11 TO2614
ONS2017399406 |
|
10 шт. 25 августа |
|
|||||||||||
|
PHD38N02LT-VB, 20V 100A 4.5mOhm@4.5V 1PCSNChannel TO-252 MOSFETs ROHS
VBSEMI2017402253 |
|
2 шт. 25 августа |
|
|||||||||||
|
N-Channel MOSFET, 200 A, 40 V PG-HSOF-5 IAUA200N04S5N010AUMA1
INFINEON2017412849 |
|
2 шт. 25 августа |
|
|||||||||||
|
GAN111-650WSBQ, N-Channel 650 V 21A (Ta) 107W (Ta) Through Hole TO-247, Производитель: NEXPERIA
NEX-NXP2017410288 |
|
1 шт. 25 августа |
|
|||||||||||
|
CMD60R290Q, N-Channel 600V 13.8A 85W Surface Mount TO-252, Производитель: Cmos
CMOS2017418828 |
|
1 шт. 25 августа |
|
|||||||||||
| n-channel mosfet в группе «транзисторы полевые» 785 | |||||||||||
|
WMJ90R500S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 900V = IXFR18N90P
WAYON 2015904175 документация | |||||||||||
|
|
||||||||||
| В наличии: 3797 шт. | |||||||||||
|
VBA3638, 1 Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET аналог SI4946BEY-T1,AO4826,NCE6005AS
VBSEMI 2015734268 документация | |||||||||||
|
|
||||||||||
| В наличии: 1771 шт. | |||||||||||
|
WMO18N50C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 500V
WAYON 2015904214 документация | |||||||||||
|
|
||||||||||
| В наличии: 974 шт. | |||||||||||
|
VBZMB20N65S, N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET аналог RS65R190F , IPA60R180P7S, CRJF190N6
VBSEMI 2015716340 документация | |||||||||||
|
|
||||||||||
| В наличии: 870 шт. | |||||||||||
|
WMK36N65C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 650V = NTPF190N65S3HF = IXTP20N65X2M
WAYON 2015903718 документация | |||||||||||
|
|
||||||||||
| В наличии: 704 шт. | |||||||||||
|
IRLU024NPB-VB, N-Channel 60 V (D-S) MOSFET аналог IRLU024NPBF
VBSEMI 2015721499 документация | |||||||||||
|
|
||||||||||
| В наличии: 459 шт. | |||||||||||
| n-channel mosfet в группе «микросхемы импортные разные» 3 | |||||||||||
|
TPS2490DGSR, Hot Swap Controller 1-CH 80V N-Channel Positive High Voltage 10-Pin, MSOP10
TI 2017406983 документация | |||||||||||
|
|
||||||||||
| В наличии: 500 шт. | |||||||||||
|
LM5069MM-2/NOPB, Hot Swap Controller 1-CH 80V N-Channel Positive High Voltage 10-Pin VSSOP T/R
TI 2015533794 документация | |||||||||||
|
|
||||||||||
| В наличии: 17 шт. (в резерве 12) | |||||||||||
|
LT4250HCS8#TRPBF, Voltage 8Pin SOIC N Hot Swap Controller 1CH -20V N-Channel Negative H
AD 2015807663 документация | |||||||||||
|
|
||||||||||
| под заказ | |||||||||||
| n-channel mosfet в группе «драйверы MOSFET и IGBT» 1 | |||||||||||
|
IRS4428STRPBF, IRS4428STRPBF, Два независимых драйвера Infineon Technologies, IGBT, N-Channel MOSFET
INFINEON 2017139182 документация | |||||||||||
|
|
||||||||||
| 920 шт. (2-3 раб.дня) | |||||||||||
| n-channel mosfet в группе «контроллеры разные» 1 | |||||||||||
|
BTS3410G, N channel vertical power FET in Smart SIPMOS technology. Fully protected. 42 V, 1.3 A, 190
INFINEON 2015970388 документация | |||||||||||
|
|
||||||||||
| 836 шт. (3-4 раб.дня) | |||||||||||
| n-channel mosfet в группе «транзисторы биполярные» 1 | |||||||||||
|
MMDF2C03HDR2G-VB, 30V 8A 18m@10V,8A 1 N-Channel + 1 P-Channel SO-8 MOS, Транзистор
VBSEMI 2017284160 | |||||||||||
|
|
||||||||||
| 10 шт. (5 раб. дней) | |||||||||||
| n-channel mosfet в группе «Силовые IGBTи SiC модули» 1 | |||||||||||
|
MBN3600E17F, модуль Silicon N-channel IGBT3600A 1700V
HITACHI 2015715770 | |||||||||||
|
|
||||||||||
| под заказ | |||||||||||
| n-channel mosfet в группе «Прочее» 6 | |||||||||||
|
AP30H150G, 30V 120A 1 N-Channel PDFN5x6-8L MOSFETs ROHS, Транзистор
QUAN LI 2017314287 | |||||||||||
|
|
||||||||||
| 10 шт. (5 раб. дней) | |||||||||||
|
NCV8406ASTT3G, NChannel 11 TO2614
ONS 2017399406 | |||||||||||
|
|
||||||||||
| 10 шт. (5 раб. дней) | |||||||||||
|
PHD38N02LT-VB, 20V 100A 4.5mOhm@4.5V 1PCSNChannel TO-252 MOSFETs ROHS
VBSEMI 2017402253 | |||||||||||
|
|
||||||||||
| 2 шт. (5 раб. дней) | |||||||||||
|
N-Channel MOSFET, 200 A, 40 V PG-HSOF-5 IAUA200N04S5N010AUMA1
INFINEON 2017412849 | |||||||||||
|
|
||||||||||
| 2 шт. (5 раб. дней) | |||||||||||
|
GAN111-650WSBQ, N-Channel 650 V 21A (Ta) 107W (Ta) Through Hole TO-247, Производитель: NEXPERIA
NEX-NXP 2017410288 | |||||||||||
|
|
||||||||||
| 1 шт. (5 раб. дней) | |||||||||||
|
CMD60R290Q, N-Channel 600V 13.8A 85W Surface Mount TO-252, Производитель: Cmos
CMOS 2017418828 | |||||||||||
|
|
||||||||||
| 1 шт. (5 раб. дней) | |||||||||||