Москва +7 (495) 125-15-24 shop@platan.ru | С.-Петербург +7 (812) 232-88-36 shop@platan.spb.ru

n-channel mosfet 788

Наименование   Наличие Цена руб, с НДС Купить
n-channel mosfet в группе «транзисторы полевые» 769
WMJ90R500S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 900V = IXFR18N90P
WAYON2015904175

документация
WMJ90R500S, Транзистор полевой  b MOSFET  b  N-Channel SJ-MOS S 900V = IXFR18N90P  4441 шт.
122.30 /штот 100 шт
122.53 /штот 70 шт
122.77 /штот 40 шт
123.00 /штот 10 шт
130.00 /штот 4 шт
лучшая цена
шт
VBA3638, 1 Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET аналог SI4946BEY-T1,AO4826,NCE6005AS
VBSEMI2015734268

документация
VBA3638, 1 Dual N-Channel 60 V (D-S) 175  C  b MOSFET  b    аналог    SI4946BEY-T1,AO4826,NCE6005AS  1771 шт.
29.72 /штот 1000 шт
30.88 /штот 700 шт
32.04 /штот 400 шт
33.20 /штот 100 шт
45.00 /штот 10 шт
шт
WMK36N65C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 650V = NTPF190N65S3HF = IXTP20N65X2M
WAYON2015903718

документация
WMK36N65C4, Транзистор полевой  b MOSFET  b  N-Channel SJ-MOS C4 650V  =  NTPF190N65S3HF = IXTP20N65X2M  1234 шт.
117.74 /штот 150 шт
118.16 /штот 105 шт
118.58 /штот 60 шт
119.00 /штот 15 шт
130.00 /штот 5 шт
лучшая цена
шт
WMO18N50C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 500V
WAYON2015904214

документация
WMO18N50C4, Транзистор полевой  b MOSFET  b  N-Channel SJ-MOS C4 500V  1039 шт.
28.92 /штот 500 шт
28.98 /штот 350 шт
29.04 /штот 200 шт
29.10 /штот 50 шт
31.00 /штот 15 шт
лучшая цена
шт
WML15N60C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 600V
WAYON2015903588
WML15N60C4, Транзистор полевой  b MOSFET  b  N-Channel SJ-MOS C4 600V  1000 шт.
56.93 /штот 1000 шт
60.32 /штот 700 шт
63.71 /штот 400 шт
67.10 /штот 100 шт
79.00 /штот 1 шт
шт
WMJ28N60C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 600V
WAYON2015903603

документация
WMJ28N60C4, Транзистор полевой  b MOSFET  b  N-Channel SJ-MOS C4 600V  1000 шт.
92.81 /штот 1000 шт
102.21 /штот 700 шт
111.60 /штот 400 шт
121.00 /штот 100 шт
150.00 /штот 1 шт
шт
n-channel mosfet в группе «микросхемы импортные разные» 2
LM5069MM-2/NOPB, Hot Swap Controller 1-CH 80V N-Channel Positive High Voltage 10-Pin VSSOP T/R
TI2015533794

документация
LM5069MM-2 NOPB, Hot Swap Controller 1-CH 80V N-Channel Positive High Voltage 10-Pin VSSOP T R  278 шт.
(в резерве 12)
160.74 /штот 100 шт
163.16 /штот 70 шт
165.58 /штот 40 шт
168.00 /штот 10 шт
190.00 /штот 1 шт
шт
LT4250HCS8#TRPBF, Voltage 8Pin SOIC N Hot Swap Controller 1CH -20V N-Channel Negative H
AD2015807663

документация
LT4250HCS8#TRPBF, Voltage 8Pin SOIC N   Hot Swap Controller 1CH -20V N-Channel Negative H  под заказ
397.72 /штот 20 шт
шт
n-channel mosfet в группе «драйверы разные» 1
IRS4428STRPBF, IRS4428STRPBF, Два независимых драйвера Infineon Technologies, IGBT, N-Channel MOSFET
Infineon Technologies2017139182

документация
IRS4428STRPBF, IRS4428STRPBF, Два независимых драйвера Infineon Technologies, IGBT, N-Channel  b MOSFET  b  940 шт.
18 февраля

170.68 /штот 100 шт
174.45 /штот 70 шт
178.23 /штот 40 шт
182.00 /штот 10 шт
шт
n-channel mosfet в группе «контроллеры разные» 1
BTS3410G, N channel vertical power FET in Smart SIPMOS technology. Fully protected. 42 V, 1.3 A, 190
Infineon2015970388

документация
BTS3410G, N channel vertical power FET in Smart SIPMOS technology. Fully protected. 42 V, 1.3 A, 190  760 шт.
19 февраля

52.53 /штот 406 шт
53.35 /штот 203 шт
56.65 /штот 102 шт
60.80 /штот 51 шт
66.43 /штот 6 шт
шт
n-channel mosfet в группе «Силовые IGBTи SiC модули» 1
MBN3600E17F, модуль Silicon N-channel IGBT3600A 1700V
Hitachi2015715770
MBN3600E17F, модуль Silicon N-channel IGBT3600A 1700V  под заказ
213246.95 /штот 100 шт
шт
n-channel mosfet в группе «Прочее»
G26N02K, 20V 26A 14.1m@2.5V,3A 33W 500mV@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSF, Транзистор
GOFORD2017220180
G26N02K, 20V 26A 14.1m@2.5V,3A 33W 500mV@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSF, Транзистор  10 шт.
24 февраля

36.31 /штот 200 шт
36.41 /штот 140 шт
36.50 /штот 80 шт
36.60 /штот 20 шт
38.00 /штот 10 шт
шт
MMDF2C03HDR2G-VB, 30V 8A 18m@10V,8A 1 N-Channel + 1 P-Channel SO-8 MOS, Транзистор
VBsemi2017284160
MMDF2C03HDR2G-VB, 30V 8A 18m@10V,8A 1 N-Channel + 1 P-Channel SO-8 MOS, Транзистор  10 шт.
24 февраля

55.19 /штот 200 шт
55.33 /штот 140 шт
55.46 /штот 80 шт
55.60 /штот 20 шт
57.00 /штот 10 шт
шт
4N0404 TO263-VB, Транзистор , 40V 100A 5m@10V 1 N-Channel TO-263 MOSFETs ROHS
VBsemi2017288044
4N0404 TO263-VB, Транзистор , 40V 100A 5m@10V 1 N-Channel TO-263  b MOSFET  b s ROHS  10 шт.
24 февраля

129.25 /штот 200 шт
129.50 /штот 140 шт
129.75 /штот 80 шт
130.00 /штот 20 шт
140.00 /штот 10 шт
шт
NTBLS1D7N08H, MOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel, TOLL, 80 V, 1., Транзистор полевой
ONS2017094756
NTBLS1D7N08H,  b MOSFET  b   b MOSFET  b  - Power, Single, N-Channel, TOLL, 80 V, 1., Транзистор полевой  6 шт.
24 февраля

893.88 /штот 20 шт
901.92 /штот 14 шт
909.96 /штот 8 шт
918.00 /штот 2 шт
930.00 /штот 1 шт
шт
FDMC3612 транзистор, MOSFET N-CHANNEL 100V 3.3A MLP8
ONS2017100754
FDMC3612 транзистор,  b MOSFET  b  N-CHANNEL 100V 3.3A MLP8  3 шт.
24 февраля

129.89 /штот 20 шт
130.93 /штот 14 шт
131.96 /штот 8 шт
133.00 /штот 2 шт
140.00 /штот 1 шт
шт
VBA5311, 30V 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel -55 C~+150 C@(Tj) SO-8 MOSFE
VBsemi2016106347
VBA5311, 30V 1PCSN-Channel 1PCSP-Channel -55 C~+150 C@(Tj) SO-8  MOSFE  2 шт.
24 февраля

140.83 /штот 20 шт
142.22 /штот 14 шт
143.61 /штот 8 шт
145.00 /штот 2 шт
150.00 /штот 1 шт
шт
n-channel mosfet в группе «транзисторы полевые» 769
WMJ90R500S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 900V = IXFR18N90P
WAYON 2015904175
документация
122.30 /штот 100 шт
122.53 /штот 70 шт
122.77 /штот 40 шт
123.00 /штот 10 шт
130.00 /штот 1 шт
 В наличии: 4441 шт.
шт
VBA3638, 1 Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET аналог SI4946BEY-T1,AO4826,NCE6005AS
VBSEMI 2015734268
документация
29.72 /штот 1000 шт
30.88 /штот 700 шт
32.04 /штот 400 шт
33.20 /штот 100 шт
45.00 /штот 1 шт
 В наличии: 1771 шт.
шт
WMK36N65C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 650V = NTPF190N65S3HF = IXTP20N65X2M
WAYON 2015903718
документация
117.74 /штот 150 шт
118.16 /штот 105 шт
118.58 /штот 60 шт
119.00 /штот 15 шт
130.00 /штот 1 шт
 В наличии: 1234 шт.
шт
WMO18N50C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 500V
WAYON 2015904214
документация
28.92 /штот 500 шт
28.98 /штот 350 шт
29.04 /штот 200 шт
29.10 /штот 50 шт
31.00 /штот 1 шт
 В наличии: 1039 шт.
шт
WML15N60C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 600V
WAYON 2015903588
56.93 /штот 1000 шт
60.32 /штот 700 шт
63.71 /штот 400 шт
67.10 /штот 100 шт
79.00 /штот 1 шт
 В наличии: 1000 шт.
шт
WMJ28N60C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 600V
WAYON 2015903603
документация
92.81 /штот 1000 шт
102.21 /штот 700 шт
111.60 /штот 400 шт
121.00 /штот 100 шт
150.00 /штот 1 шт
 В наличии: 1000 шт.
шт
n-channel mosfet в группе «микросхемы импортные разные» 2
LM5069MM-2/NOPB, Hot Swap Controller 1-CH 80V N-Channel Positive High Voltage 10-Pin VSSOP T/R
TI 2015533794
документация
160.74 /штот 100 шт
163.16 /штот 70 шт
165.58 /штот 40 шт
168.00 /штот 10 шт
190.00 /штот 1 шт
 В наличии: 278 шт. (в резерве 12)
шт
LT4250HCS8#TRPBF, Voltage 8Pin SOIC N Hot Swap Controller 1CH -20V N-Channel Negative H
AD 2015807663
документация
397.72 /штот 20 шт
403.48 /штот 14 шт
409.24 /штот 8 шт
415.00 /штот 2 шт
470.00 /штот 1 шт
под заказ
шт
n-channel mosfet в группе «драйверы разные» 1
IRS4428STRPBF, IRS4428STRPBF, Два независимых драйвера Infineon Technologies, IGBT, N-Channel MOSFET
Infineon Technologies 2017139182
документация
170.68 /штот 100 шт
174.45 /штот 70 шт
178.23 /штот 40 шт
182.00 /штот 10 шт
190.00 /штот 1 шт
 940 шт. (2-3 раб.дня)
шт
n-channel mosfet в группе «контроллеры разные» 1
BTS3410G, N channel vertical power FET in Smart SIPMOS technology. Fully protected. 42 V, 1.3 A, 190
Infineon 2015970388
документация
52.53 /штот 406 шт
53.35 /штот 203 шт
56.65 /штот 102 шт
60.80 /штот 51 шт
66.43 /штот 1 шт
 760 шт. (3-4 раб.дня)
шт
n-channel mosfet в группе «Силовые IGBTи SiC модули» 1
MBN3600E17F, модуль Silicon N-channel IGBT3600A 1700V
Hitachi 2015715770
213246.95 /штот 100 шт
221164.63 /штот 70 шт
229082.32 /штот 40 шт
237000.00 /штот 10 шт
277000.00 /штот 1 шт
под заказ
шт
n-channel mosfet в группе «Прочее» 14
G26N02K, 20V 26A 14.1m@2.5V,3A 33W 500mV@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSF, Транзистор
GOFORD 2017220180
36.31 /штот 200 шт
36.41 /штот 140 шт
36.50 /штот 80 шт
36.60 /штот 20 шт
38.00 /штот 1 шт
 10 шт. (5 раб. дней)
шт
MMDF2C03HDR2G-VB, 30V 8A 18m@10V,8A 1 N-Channel + 1 P-Channel SO-8 MOS, Транзистор
VBsemi 2017284160
55.19 /штот 200 шт
55.33 /штот 140 шт
55.46 /штот 80 шт
55.60 /штот 20 шт
57.00 /штот 1 шт
 10 шт. (5 раб. дней)
шт
4N0404 TO263-VB, Транзистор , 40V 100A 5m@10V 1 N-Channel TO-263 MOSFETs ROHS
VBsemi 2017288044
129.25 /штот 200 шт
129.50 /штот 140 шт
129.75 /штот 80 шт
130.00 /штот 20 шт
140.00 /штот 1 шт
 10 шт. (5 раб. дней)
шт
NTBLS1D7N08H, MOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel, TOLL, 80 V, 1., Транзистор полевой
ONS 2017094756
893.88 /штот 20 шт
901.92 /штот 14 шт
909.96 /штот 8 шт
918.00 /штот 2 шт
930.00 /штот 1 шт
 6 шт. (5 раб. дней)
шт
FDMC3612 транзистор, MOSFET N-CHANNEL 100V 3.3A MLP8
ONS 2017100754
129.89 /штот 20 шт
130.93 /штот 14 шт
131.96 /штот 8 шт
133.00 /штот 2 шт
140.00 /штот 1 шт
 3 шт. (5 раб. дней)
шт
VBA5311, 30V 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel -55 C~+150 C@(Tj) SO-8 MOSFE
VBsemi 2016106347
140.83 /штот 20 шт
142.22 /штот 14 шт
143.61 /штот 8 шт
145.00 /штот 2 шт
150.00 /штот 1 шт
 2 шт. (5 раб. дней)
шт