Москва +7 (495) 125-15-24 shop@platan.ru | С.-Петербург +7 (812) 232-88-36 shop@platan.spb.ru
0
КАТАЛОГ
Электронные компоненты, радиодеталиКоммутацияОптоэлектроникаИндикацияСветодиоды осветительныеОсвещениеИсточники питанияДатчикиКорпусные и установочные изделияПровода, шнуры, расходные материалыИзмерительные приборыПаяльное оборудованиеИнструментПромышленная автоматикаЭлектротехническое оборудованиеЭлектроника для дома и авто

n-channel mosfet 790

Найдено в группах:

Наименование   Наличие Цена руб, с НДС Купить
n-channel mosfet в группе «транзисторы полевые» 780
WMJ90R500S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 900V = IXFR18N90P
WAYON2015904175

документация 		WMJ90R500S, Транзистор полевой b MOSFET b N-Channel SJ-MOS S 900V = IXFR18N90P  4297 шт.
215.99 /штот 100 шт
219.99 /штот 70 шт
224.00 /штот 40 шт
228.00 /штот 10 шт
240.00 /штот 4 шт
лучшая цена
шт
VBA3638, 1 Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET аналог SI4946BEY-T1,AO4826,NCE6005AS
VBSEMI2015734268

документация 		VBA3638, 1 Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C b MOSFET b аналог SI4946BEY-T1,AO4826,NCE6005AS  1771 шт.
62.40 /штот 1000 шт
63.20 /штот 700 шт
64.00 /штот 400 шт
64.80 /штот 100 шт
66.00 /штот 10 шт
шт
WMK36N65C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 650V = NTPF190N65S3HF = IXTP20N65X2M
WAYON2015903718

документация 		WMK36N65C4, Транзистор полевой b MOSFET b N-Channel SJ-MOS C4 650V = NTPF190N65S3HF = IXTP20N65X2M  1234 шт.
150.00 /штот 150 шт
151.33 /штот 105 шт
152.67 /штот 60 шт
154.00 /штот 15 шт
160.00 /штот 5 шт
лучшая цена
шт
WML15N60C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 600V
WAYON2015903588
WML15N60C4, Транзистор полевой b MOSFET b N-Channel SJ-MOS C4 600V  990 шт.
59.46 /штот 1000 шт
63.01 /штот 700 шт
66.55 /штот 400 шт
70.10 /штот 100 шт
83.00 /штот 1 шт
шт
WMO18N50C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 500V
WAYON2015904214

документация 		WMO18N50C4, Транзистор полевой b MOSFET b N-Channel SJ-MOS C4 500V  974 шт.
31.20 /штот 500 шт
34.50 /штот 350 шт
37.80 /штот 200 шт
41.10 /штот 50 шт
42.00 /штот 15 шт
лучшая цена
шт
VBZMB20N65S, N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET аналог RS65R190F , IPA60R180P7S, CRJF190N6
VBSEMI2015716340

документация 		VBZMB20N65S, N-Channel 650-V (D-S) Super Junction b MOSFET b аналог RS65R190F , IPA60R180P7S, CRJF190N6  870 шт.
230.39 /штот 750 шт
233.59 /штот 525 шт
236.80 /штот 300 шт
240.00 /штот 75 шт
260.00 /штот 5 шт
лучшая цена
шт

... + еще товары в группе транзисторы полевые

n-channel mosfet в группе «микросхемы импортные разные» 2
LM5069MM-2/NOPB, Hot Swap Controller 1-CH 80V N-Channel Positive High Voltage 10-Pin VSSOP T/R
TI2015533794

документация 		LM5069MM-2 NOPB, Hot Swap Controller 1-CH 80V N-Channel Positive High Voltage 10-Pin VSSOP T R  52 шт.
167.88 /штот 100 шт
170.25 /штот 70 шт
172.63 /штот 40 шт
175.00 /штот 10 шт
190.00 /штот 1 шт
шт
LT4250HCS8#TRPBF, Voltage 8Pin SOIC N Hot Swap Controller 1CH -20V N-Channel Negative H
AD2015807663

документация 		LT4250HCS8#TRPBF, Voltage 8Pin SOIC N Hot Swap Controller 1CH -20V N-Channel Negative H  под заказ
416.15 /штот 20 шт
шт
n-channel mosfet в группе «контроллеры разные» 1
BTS3410G, N channel vertical power FET in Smart SIPMOS technology. Fully protected. 42 V, 1.3 A, 190
INFINEON2015970388

документация 		BTS3410G, N channel vertical power FET in Smart SIPMOS technology. Fully protected. 42 V, 1.3 A, 190  1146 шт.
8 апреля
65.91 /штот 185 шт
69.41 /штот 93 шт
74.09 /штот 47 шт
79.83 /штот 24 шт
87.06 /штот 5 шт
шт
n-channel mosfet в группе «драйверы MOSFET и IGBT» 1
IRS4428STRPBF, IRS4428STRPBF, Два независимых драйвера Infineon Technologies, IGBT, N-Channel MOSFET
INFINEON TECHNOLOGIES2017139182

документация 		IRS4428STRPBF, IRS4428STRPBF, Два независимых драйвера Infineon Technologies, IGBT, N-Channel b MOSFET b  935 шт.
7 апреля
170.68 /штот 100 шт
174.45 /штот 70 шт
178.23 /штот 40 шт
182.00 /штот 10 шт
шт
n-channel mosfet в группе «корпуса для РЭА пластиковые» 1
G26N02K, 20V 26A 14.1m@2.5V,3A 33W 500mV@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSF, Транзистор
GOFORD2017220180
G26N02K, 20V 26A 14.1m@2.5V,3A 33W 500mV@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSF, Транзистор  10 шт.
10 апреля
36.31 /штот 200 шт
36.41 /штот 140 шт
36.50 /штот 80 шт
36.60 /штот 20 шт
38.00 /штот 10 шт
шт
n-channel mosfet в группе «Силовые IGBTи SiC модули» 1
MBN3600E17F, модуль Silicon N-channel IGBT3600A 1700V
HITACHI2015715770
MBN3600E17F, модуль Silicon N-channel IGBT3600A 1700V  под заказ
223125.26 /штот 100 шт
шт
n-channel mosfet в группе «Прочее»
Si1553CDL-T1-GE3-VB, 20V 1V@100uA 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel -55-~+150-@(Tj) SC-70-6 MOSFETs ROHS
VBSEMI2017317961
Si1553CDL-T1-GE3-VB, 20V 1V@100uA 1PCSN-Channel 1PCSP-Channel -55-~+150-@(Tj) SC-70-6 b MOSFET b s ROHS  30 шт.
17 апреля
30.50 /штот 800 шт
31.17 /штот 537 шт
31.83 /штот 273 шт
32.50 /штот 10 шт
41.00 /штот 1 шт
шт
MMDF2C03HDR2G-VB, 30V 8A 18m@10V,8A 1 N-Channel + 1 P-Channel SO-8 MOS, Транзистор
VBSEMI2017284160
MMDF2C03HDR2G-VB, 30V 8A 18m@10V,8A 1 N-Channel + 1 P-Channel SO-8 MOS, Транзистор  10 шт.
10 апреля
55.19 /штот 200 шт
55.33 /штот 140 шт
55.46 /штот 80 шт
55.60 /штот 20 шт
57.00 /штот 10 шт
шт
AP30H150G, 30V 120A 1 N-Channel PDFN5x6-8L MOSFETs ROHS, Транзистор
QUAN LI2017314287
AP30H150G, 30V 120A 1 N-Channel PDFN5x6-8L b MOSFET b s ROHS, Транзистор  10 шт.
10 апреля
90.04 /штот 200 шт
90.26 /штот 140 шт
90.48 /штот 80 шт
90.70 /штот 20 шт
92.00 /штот 10 шт
шт
SSM3H137TU,LF, N-Channel 34 V 2A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount UFM, Производитель: TOSHIBA
TOSHIBA2017245599
SSM3H137TU,LF, N-Channel 34 V 2A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount UFM, Производитель: TOSHIBA  1 шт.
10 апреля
216.49 /штот 20 шт
218.33 /штот 14 шт
220.16 /штот 8 шт
222.00 /штот 2 шт
230.00 /штот 1 шт
шт
n-channel mosfet в группе «транзисторы полевые» 780
WMJ90R500S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 900V = IXFR18N90P
WAYON 2015904175
документация
215.99 /штот 100 шт
219.99 /штот 70 шт
224.00 /штот 40 шт
228.00 /штот 10 шт
240.00 /штот 1 шт
 В наличии: 4297 шт.
шт
VBA3638, 1 Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET аналог SI4946BEY-T1,AO4826,NCE6005AS
VBSEMI 2015734268
документация
62.40 /штот 1000 шт
63.20 /штот 700 шт
64.00 /штот 400 шт
64.80 /штот 100 шт
66.00 /штот 1 шт
 В наличии: 1771 шт.
шт
WMK36N65C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 650V = NTPF190N65S3HF = IXTP20N65X2M
WAYON 2015903718
документация
150.00 /штот 150 шт
151.33 /штот 105 шт
152.67 /штот 60 шт
154.00 /штот 15 шт
160.00 /штот 1 шт
 В наличии: 1234 шт.
шт
WML15N60C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 600V
WAYON 2015903588
59.46 /штот 1000 шт
63.01 /штот 700 шт
66.55 /штот 400 шт
70.10 /штот 100 шт
83.00 /штот 1 шт
 В наличии: 990 шт.
шт
WMO18N50C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 500V
WAYON 2015904214
документация
31.20 /штот 500 шт
34.50 /штот 350 шт
37.80 /штот 200 шт
41.10 /штот 50 шт
42.00 /штот 1 шт
 В наличии: 974 шт.
шт
VBZMB20N65S, N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET аналог RS65R190F , IPA60R180P7S, CRJF190N6
VBSEMI 2015716340
документация
230.39 /штот 750 шт
233.59 /штот 525 шт
236.80 /штот 300 шт
240.00 /штот 75 шт
260.00 /штот 1 шт
 В наличии: 870 шт.
шт

... + еще товары в группе транзисторы полевые

n-channel mosfet в группе «микросхемы импортные разные» 2
LM5069MM-2/NOPB, Hot Swap Controller 1-CH 80V N-Channel Positive High Voltage 10-Pin VSSOP T/R
TI 2015533794
документация
167.88 /штот 100 шт
170.25 /штот 70 шт
172.63 /штот 40 шт
175.00 /штот 10 шт
190.00 /штот 1 шт
 В наличии: 52 шт.
шт
LT4250HCS8#TRPBF, Voltage 8Pin SOIC N Hot Swap Controller 1CH -20V N-Channel Negative H
AD 2015807663
документация
416.15 /штот 20 шт
422.10 /штот 14 шт
428.05 /штот 8 шт
434.00 /штот 2 шт
490.00 /штот 1 шт
под заказ
шт
n-channel mosfet в группе «контроллеры разные» 1
BTS3410G, N channel vertical power FET in Smart SIPMOS technology. Fully protected. 42 V, 1.3 A, 190
INFINEON 2015970388
документация
65.91 /штот 185 шт
69.41 /штот 93 шт
74.09 /штот 47 шт
79.83 /штот 24 шт
87.06 /штот 1 шт
 1146 шт. (3-4 раб.дня)
шт
n-channel mosfet в группе «драйверы MOSFET и IGBT» 1
IRS4428STRPBF, IRS4428STRPBF, Два независимых драйвера Infineon Technologies, IGBT, N-Channel MOSFET
INFINEON TECHNOLOGIES 2017139182
документация
170.68 /штот 100 шт
174.45 /штот 70 шт
178.23 /штот 40 шт
182.00 /штот 10 шт
190.00 /штот 1 шт
 935 шт. (2-3 раб.дня)
шт
n-channel mosfet в группе «корпуса для РЭА пластиковые» 1
G26N02K, 20V 26A 14.1m@2.5V,3A 33W 500mV@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSF, Транзистор
GOFORD 2017220180
36.31 /штот 200 шт
36.41 /штот 140 шт
36.50 /штот 80 шт
36.60 /штот 20 шт
38.00 /штот 1 шт
 10 шт. (5 раб. дней)
шт
n-channel mosfet в группе «Силовые IGBTи SiC модули» 1
MBN3600E17F, модуль Silicon N-channel IGBT3600A 1700V
HITACHI 2015715770
223125.26 /штот 100 шт
231416.84 /штот 70 шт
239708.42 /штот 40 шт
248000.00 /штот 10 шт
290000.00 /штот 1 шт
под заказ
шт
n-channel mosfet в группе «Прочее» 4
Si1553CDL-T1-GE3-VB, 20V 1V@100uA 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel -55-~+150-@(Tj) SC-70-6 MOSFETs ROHS
VBSEMI 2017317961
30.50 /штот 800 шт
31.17 /штот 537 шт
31.83 /штот 273 шт
32.50 /штот 10 шт
41.00 /штот 1 шт
 30 шт. (1-2 нед.)
шт
MMDF2C03HDR2G-VB, 30V 8A 18m@10V,8A 1 N-Channel + 1 P-Channel SO-8 MOS, Транзистор
VBSEMI 2017284160
55.19 /штот 200 шт
55.33 /штот 140 шт
55.46 /штот 80 шт
55.60 /штот 20 шт
57.00 /штот 1 шт
 10 шт. (5 раб. дней)
шт
AP30H150G, 30V 120A 1 N-Channel PDFN5x6-8L MOSFETs ROHS, Транзистор
QUAN LI 2017314287
90.04 /штот 200 шт
90.26 /штот 140 шт
90.48 /штот 80 шт
90.70 /штот 20 шт
92.00 /штот 1 шт
 10 шт. (5 раб. дней)
шт
SSM3H137TU,LF, N-Channel 34 V 2A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount UFM, Производитель: TOSHIBA
TOSHIBA 2017245599
216.49 /штот 20 шт
218.33 /штот 14 шт
220.16 /штот 8 шт
222.00 /штот 2 шт
230.00 /штот 1 шт
 1 шт. (5 раб. дней)
шт