Компания Mitsubishi Electric Corporation объявила о выпуске новой N-серии кабрид-кремниевых полевых транзисторов (SiC-MOSFET) на 1200 В, которые отличаются малыми потерями мощности и стойкостью к самосрабатыванию. Применение новых транзисторов позволит сократить потери мощности и сократить габариты источников питания, работающих на высоковольтном преобразовании, таких как системы бортовой зарядки электромобилей, фотогальванические системы питания и др.
Производитель: Mitsubishi
Серия: BM0
В конце 2018 года YangJie наладила массовое производство ряда низковольтных MOSFET-транзисторов, находящих широкое применение в различных активно-развивающихся областях промышленности.
Производитель: YJ
Серия: YJ
