Силовые IGBT и SIC модули Infineon, Mitsubishi, Leapers, Starpower купить для частотных преобразователей, характеристики

Код: 2015505374

IGBT FF1400R12IP4

под заказ

110000.00	/шт от 1 шт
108000.00	/шт от 2 шт

Код: 987701040

Mitsubishi

CM1400DU-24NF, 2 IGBT 1200V 1400A 5-gen (NF-Series)

под заказ

111000.00	/шт от 1 шт
102000.00	/шт от 2 шт

Код: 2015695097

starpower

GD1200SGX170A3S, GD1200SGX170A3S, аналог для CM1200E4C-34N, аналог CM1200E4C-34N

под заказ

117000.00	/шт от 1 шт
104000.00	/шт от 3 шт

Код: 2015849376

Infineon

FF1200R17KP4_B2, IGBT модуль 1200А 1700В

под заказ

118000.00	/шт от 1 шт
107000.00	/шт от 10 шт

Код: 2015940335

Infineon

FF1800R17IP5, IGBT Module N-CH 1700V 1800A 14-Pin

под заказ

120000.00	/шт от 1 шт
119000.00	/шт от 3 шт

Код: 2015054917

Mitsubishi

CM1000HC-66R, IGBT модуль

под заказ

121000.00	/шт от 1 шт
111000.00	/шт от 2 шт

Код: 2015683768

CRRC

TIM1200DDM17-TSA000, IGBT модуль 1700В 1200A = CM1200DC-34N

под заказ

122000.00	/шт от 1 шт
110000.00	/шт от 10 шт

Код: 2016852721

Infineon

FF1800R17IP5, IGBT модуль 1800А 1700В

под заказ

122000.00	/шт от 1 шт
111000.00	/шт от 5 шт

Код: 2015721201 лучшая цена

CRRC

TIM2400ESM17-TSA000, IGBT модуль 1700В 2400A = CM2400HCB-34N

9 шт

123000.00	/шт от 1 шт
117000.00	/шт от 2 шт

Код: 2015700174

starpower

GD600CEY120C2S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss

под заказ

126000.00	/шт от 1 шт
125000.00	/шт от 2 шт

Код: 2015700175

starpower

GD600CLY120C6S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss

под заказ

126000.00	/шт от 1 шт
125000.00	/шт от 2 шт

Код: 2015700173

starpower

GD600HFX170C6S, Trench FS IGBT, Low Loss

под заказ

126000.00	/шт от 1 шт
125000.00	/шт от 2 шт

Код: 2015874623

Infineon

FS820R08A6P2BBPSA1

10 шт 5 раб. дней

127997.97	/шт от 1 шт
127997.97	/шт от 2 шт

Код: 562578203

Mitsubishi

CM2400HC-34H, модуль 1 IGBT 1700В 2400A

под заказ

128000.00	/шт от 1 шт
107000.00	/шт от 2 шт

Код: 2016858623

Mitsubishi

CM400HG-130H, HVIGBT модуль 400А 6500В

под заказ

128000.00	/шт от 1 шт
107000.00	/шт от 2 шт

Код: 157658619

Mitsubishi

CM1200DB-34N, модуль 2 IGBT 1700В 1200A замена CM1200DC-34N

8 шт

129000.00	/шт от 1 шт
116000.00	/шт от 2 шт

Код: 821131015

Mitsubishi

CM800E4C-66H, IGBT модуль 1200В 75A

под заказ

130000.00	/шт от 1 шт
121000.00	/шт от 2 шт

Код: 539628284

Mitsubishi

CM1200E4C-34N, IGBT модуль 1700В 1200A

под заказ

131000.00	/шт от 1 шт
111000.00	/шт от 2 шт

Код: 956739128

Mitsubishi

CM1200HB-50H, модуль 1 IGBT 2500В 1200A

под заказ

131000.00	/шт от 1 шт
122000.00	/шт от 2 шт

Код: 927018821

Mitsubishi

CM600HB-90H, модуль 1 IGBT 4500В 600A

под заказ

131000.00	/шт от 1 шт
122000.00	/шт от 2 шт

Код: 2015927063

Infineon

FS820R08A6P2LBBPSA1

3 шт 5 раб. дней

131574.58	/шт от 1 шт
131574.58	/шт от 2 шт

Код: 2015054918

Mitsubishi

CM1000HC-66R, IGBT модуль

под заказ

136000.00	/шт от 1 шт
131000.00	/шт от 2 шт

Код: 2016423802

CRRC

TIM2400NSM17-TSA000, IGBT модуль корпус 140х130 2400А 1700В

под заказ

137000.00	/шт от 1 шт
125000.00	/шт от 2 шт

Код: 618945890

Mitsubishi

CM1200DC-34N, модуль 2 IGBT 1700В 1200A

под заказ

138000.00	/шт от 1 шт
131000.00	/шт от 10 шт

Код: 399212622

Mitsubishi

CM1200HG-66H, модуль 1 IGBT 3300В 1200A

под заказ

141000.00	/шт от 1 шт
123000.00	/шт от 2 шт

Код: 197119052

Mitsubishi

CM2400HCB-34N, модуль 1 IGBT 1700В 2400A

под заказ

141000.00	/шт от 1 шт
136000.00	/шт от 2 шт

Код: 894863735

Mitsubishi

CM1200HC-50H, модуль 1 IGBT 4500В 1200A

под заказ

146000.00	/шт от 1 шт
127000.00	/шт от 2 шт

Код: 166844691

Mitsubishi

CM1200HC-66H, модуль 1 IGBT 3300В 1200A

под заказ

151000.00	/шт от 1 шт
131000.00	/шт от 2 шт

Код: 2015929878

Hitachi

MBM1000FS17G, IGBT модуль 1700В 1000А

под заказ

151000.00	/шт от 1 шт
136000.00	/шт от 2 шт

Код: 2015751541

CRRC

TIM1600FSM17-PSA011, IGBT модуль 1700В 1600A

под заказ

153000.00	/шт от 1 шт
146000.00	/шт от 2 шт

Код: 2015912592

Leapers

DFS600HF17I3C2, SiC модуль 1700V 600A полумост ED3S

3 шт

165000.00	/шт от 1 шт
152000.00	/шт от 2 шт

Код: 332857680

Mitsubishi

CM900HB-90H, модуль 1 IGBT 4500В 900A

под заказ

183000.00	/шт от 1 шт
159000.00	/шт от 2 шт

Код: 312347404

Mitsubishi

CM750HG-130R#301, HV-IGBT/6500V High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor

под заказ

185000.00	/шт от 1 шт
168000.00	/шт от 2 шт

Код: 2015784893

Xiner

XNG600B24KC5A5, 1 2 00V 60 0A IGBT Module

под заказ

188000.00	/шт от 1 шт
18200.00	/шт от 4 шт

Код: 999114964

Mitsubishi

CM900HG-90H, модуль 1 IGBT 4500В 900A

под заказ

202000.00	/шт от 1 шт
179000.00	/шт от 2 шт

Код: 17883301

Infineon

FF1400R17IP4, IGBT модуль 1400А 1700В 2010г

под заказ

214000.00	/шт от 1 шт
214000.00	/шт от 2 шт

Код: 2014943688

CRRC

TIM750ASM65-PSA011, IGBT модуль 750А 6500В

под заказ

225000.00	/шт от 1 шт
203000.00	/шт от 2 шт

Код: 746757408

Mitsubishi

CM600HG-130H, модуль 1 IGBT 6500В 600A

под заказ

234000.00	/шт от 1 шт
204000.00	/шт от 2 шт

Код: 2016852722

Infineon

FF1500R17IP5, IGBT модуль 1500А 1700В

под заказ

243000.00	/шт от 1 шт
222000.00	/шт от 5 шт

Код: 2011876713

Mitsubishi

FMF800DX-24A, IGBT модуль

под заказ

251000.00	/шт от 1 шт
231000.00	/шт от 2 шт

Производитель
ABB BYD MICROELECTR CRRC FUJITSU HITACHI HUAJING INFINEON IXYS LEAPERS LGE MITSUBISHI ONS SEMIKRON SHYSEMI STARPOWER STM TAIXIN TECHSEM VISHAY WXDH ELECTRONIC XINER YJ РОССИЯ
Макс.напр.к-э,В
25 75 100 150 200 220 250 350 600 650 750 1200 1350 1400 1500 1700 1800 2500 3300 4500 6500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
1.2 1.5 1.55 1.6 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 2 2.1 2.15 2.2 2.35 2.4 2.5 2.6 2.65 2.7 2.75 2.8 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.6 3.8 4.4 5 5.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
0.015 0.1 0.35 0.5 0.7 1.5 1.75 2 3 4 5 5.7 6 7.2 8 8.7 8.8 10 11 12 13 15 17 20 24 25 27 30 35 40 48 50 60 70 75 80 100 105 110 120 130 140 150 160 165 195 200 220 225 250 260 300 350 365 400 450 500 600 650 660 700 750 800 820 900 950 1000 1200 1400 1600 1700 1800 2400 3600
Структура модуля
1 транзистор+диод 2 транзистора+2 диода 3-ф.выпр-ль+3ф мост 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом 3-фазный мост 3-фазный мост+тормозной транзистор Boost Dual Boost H-мост одиночный транзистор полумост чоппер с диодом
Тип силового модуля
CIB интеллектуальный модуль SiC модуль Интеллектуальный DIP модуль Интеллектуальный DIP модуль с ККМ Интеллектуальный модуль IPM Сборка на IGBT транзисторах сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц
1.6 5 10 15 20 25 30 40 60 100
Мощность привода, кВт
0.1 0.2 0.4 0.75 1.5 2 2.2 3 3.7 5.24 7 7.5 11 15 17.5 20 22 30 37 50 55 70 75
Драйвер управления

Защита по току
есть нет
Защита от короткого замыкания
есть нет
Защита от перегрева
есть нет
Защита от пониженного напряжения питания
есть нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
21.3 23 36 38.3 39 43 50 51.2 56.8 63 100 131 138 250 255 284 290 320 328 338 350 390 400 416 430 450 455 480 500 520 540 541 560 590 595 600 620 650 668 672 730 735 780 781 830 890 960 1040 1041 1100 1130 1160 1260 1340 1380 1470 1500 1550 1560 1562 1600 1785 1860 1890 1950 1980 2010 2080 2100 2350 2500 2710 2800 2900 3000 3400 3670 3780 3900 4100 4300 4800 5800 6250 6500 6700 6900 8900 9200 10000 10400 12500 13100 13800 14700 15600 17800
Максимальный ток эмиттера, А
10 11 20 22 26 30 40 48 50 60 100 140 150 200 220 300 330 400 450 600 700 800 900 1000 1200 1600 1800 2000 2400 2800 3200 3600 4800
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
4 5.5 6 6.5 7 20
Напряжение эмиттер-коллектор,В
1.2 1.6 1.63 1.66 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 1.98 2 2.1 2.25 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.85 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.4 4 4.6 5
Напряжение изоляции, В
1500 2500 3500 4000 4500 5000 6000 10200
Температурный диапазон,С

Серия
HPD

Силовые IGBTи SiC модули 1168

Силовые IGBTи SiC модули ₁₁₆₈