Силовые IGBT и SIC модули Infineon, Mitsubishi, Leapers, Starpower купить для частотных преобразователей, характеристики

Код: 2001377910

FF150R12RT4HOSA1, 34 mm

95 шт 5 раб. дней

6828.49	/шт от 1 шт
6570.33	/шт от 3 шт

Код: 2011504554

Mitsubishi

CM150DY-34T#300G, IGBT модуль T серия STD типа

под заказ

6900.00	/шт от 1 шт
6070.00	/шт от 2 шт

Код: 362804041

Mitsubishi

CM75DY-24NF, модуль 2 IGBT 1200В 75A 5 поколение NF серия

под заказ

6900.00	/шт от 1 шт
5920.00	/шт от 5 шт

Код: 2015932349

MG200HF12TFC2, IGBT модуль, 1200B, 200A, 1250Вт (C2) = GD200HFF120C2S , SKM200GB12T4

под заказ

6900.00	/шт от 1 шт
5490.00	/шт от 10 шт

Код: 2015932342

MG200HF12TLC2, IGBT модуль, 1200В, 200А, 1250Вт [C2]

под заказ

6900.00	/шт от 1 шт
5490.00	/шт от 1 шт

Код: 2015670615

MG3512E1A, IGBT модуль

под заказ

6900.00	/шт от 1 шт
3940.00	/шт от 5 шт

Код: 2013058639

Mitsubishi

CM300DX-24T1#301G, модуль на 300 Ампер 1200 Вольт

под заказ

7000.00	/шт от 1 шт
6550.00	/шт от 2 шт

Код: 834711752

Mitsubishi

CM50DU-24H, модуль 2 IGBT 1200В 50A 3 поколение U серия

под заказ

7000.00	/шт от 1 шт
6550.00	/шт от 7 шт

Код: 2016021347

Leapers

DFI200HF17DF1, Модули IGBT, 200 A, 1700 V 62mm, Half Bridge

10 шт

7000.00	/шт от 1 шт
6320.00	/шт от 8 шт

Код: 2015827061

starpower

GD150HFL120C8SN, IGBT, замена для 2MBI150U4A-120

под заказ

7000.00	/шт от 1 шт
5930.00	/шт от 5 шт

Код: 2015677299

LGE

LG200HF060T1VH, E2A IGBT модуль замена Semikron = SKM195GB066D

6 шт

7000.00	/шт от 1 шт
6460.00	/шт от 2 шт

Код: 2015901340

Starpower

GD200HFX65C2S

4 шт 5 раб. дней

7013.22	/шт от 1 шт
6678.70	/шт от 2 шт

Код: 107821893

Mitsubishi

CM150DY-12NF, модуль 2 IGBT 600В 150A 5 поколение NF серия

под заказ

7100.00	/шт от 1 шт
6130.00	/шт от 5 шт

Код: 2016019945

Leapers

DFI100PM12P4D1, IGBT модуль, 100 A 1200 V P4 Full Bridge

20 шт

7100.00	/шт от 1 шт
6830.00	/шт от 8 шт

Код: 2015340961

MG50P12E2A, IGBT модуль, 1200В, 50A, 288Вт (E2) = Infineon FP50R12KT3/E3 = FUJI 7MBR50VB120-50

под заказ

7100.00	/шт от 1 шт
5670.00	/шт от 2 шт

Код: 761955626

Mitsubishi

PS11013, IGBT модуль 0.4кВт 600В 1/3 фаз

под заказ

7100.00	/шт от 1 шт
6160.00	/шт от 5 шт

Код: 303588859

SEMIKRON

SKM150GB12T4G, IGBT модуль

под заказ

7140.00	/шт от 1 шт
6760.00	/шт от 2 шт

Код: 70127502

Mitsubishi

PS12012-A, IGBT модуль 0.2кВт 400В

под заказ

7200.00	/шт от 1 шт
6530.00	/шт от 5 шт

Код: 596758934

Mitsubishi

CM100DU-12F, модуль 2 IGBT RTC 600В 100A 4 поколение F серия

под заказ

7300.00	/шт от 1 шт
6820.00	/шт от 5 шт

Код: 900082399

Mitsubishi

CM100DU-12H, модуль 2 IGBT 600В 100A 3 поколение U серия

под заказ

7300.00	/шт от 1 шт
6270.00	/шт от 5 шт

Код: 210852381

Mitsubishi

CM150DU-12H, модуль 2 IGBT 600В 150A 3 поколение U серия

под заказ

7300.00	/шт от 1 шт
6270.00	/шт от 4 шт

Код: 18427 лучшая цена

Mitsubishi

PS12015-A, IGBT модуль 1.5кВт 400В

6 шт

7300.00	/шт от 1 шт
6580.00	/шт от 2 шт

Код: 2015706307

SEMIKRON

SKIIP23NAB12T4V1, MiniSKiiPR 3

28 шт 5 раб. дней

7307.65	/шт от 1 шт
6960.10	/шт от 2 шт

Код: 2016021344

Leapers

DFI300HF12DF1, Модули IGBT, 300 A, 1200 V 62mm, Half Bridge

20 шт

7400.00	/шт от 1 шт
6830.00	/шт от 8 шт

Код: 2015700035

starpower

GD80TLQ120F1S, Advanced Trench FS Fast IGBT

под заказ

7500.00	/шт от 1 шт
6770.00	/шт от 2 шт

Код: 2015924053

starpower

GD150HFL120C8S, IGBT , Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 1071

3 шт

7600.00	/шт от 1 шт
6510.00	/шт от 4 шт

Код: 2015700106

starpower

GD200HFY120C8S, GD200HFY120C8S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss, замена для 2MBI150U4A-120, аналог

под заказ

7600.00	/шт от 1 шт
6950.00	/шт от 4 шт

Код: 2015650171

MG300HF12TLC2, IGBT модуль, 1200В, 300А, 1700Вт [C2] = MG300HF12MIC2 = CM300DY-24A Mitsubishi = SKM3

500 шт

7600.00	/шт от 1 шт
6880.00	/шт от 10 шт

Код: 2015340963

MG75P12E2, IGBT модуль, 1200В, 75A, 476Вт (E2) = Infineon FP75R12KT4; = FUJI 7MBR75VN120-50

под заказ

7600.00	/шт от 1 шт
6610.00	/шт от 2 шт

Код: 921689504

Mitsubishi

PS11015, IGBT модуль 1.5кВт 600В 1/3 фаз

под заказ

7600.00	/шт от 1 шт
6570.00	/шт от 5 шт

Код: 2015060237

Infineon

FP40R12KT3BOSA1, AG-ECONO2C

18 шт 5 раб. дней

7701.57	/шт от 1 шт
7337.48	/шт от 2 шт

Код: 2016542478

Starpower

GD75PIY120C6S

10 шт 5 раб. дней

7777.49	/шт от 1 шт
7410.15	/шт от 2 шт

Код: 2015340964

MG75P12E2A, IGBT модуль, 1200В, 75A (E2A) = Infineon FP75R12KT3/E3 = FUJI 7MBR75VB120-50

под заказ

7800.00	/шт от 1 шт
6210.00	/шт от 2 шт

Код: 86753419 лучшая цена

Mitsubishi

PM50RVA120, IPM модуль 7 IGBT 1200В 50A 3 поколение В серия

72 шт

7800.00	/шт от 1 шт
6920.00	/шт от 5 шт

Код: 2016859666

starpower

GD300HFU120C2SD, Модуль, NPT Ultra Fast IGBT, Half Bridge, 1200V/300A , замена для SKM300GB12T4-CASE

под заказ

7800.00	/шт от 1 шт
7460.00	/шт от 4 шт

Код: 501602221

Mitsubishi

CM100DY-24A, модуль 2 IGBT 1200В 100A 5 поколение A серия, замена CM100DU-24F

под заказ

7900.00	/шт от 1 шт
7320.00	/шт от 2 шт

Код: 75777459

Mitsubishi

CM100E3U-12F, IGBT модуль RTC 600В 100A 4 поколение F серия

под заказ

7900.00	/шт от 1 шт
6830.00	/шт от 7 шт

Код: 58040

Mitsubishi

CM100E3U-24H, IGBT модуль 1200В 100A 3 поколение U серия

под заказ

7900.00	/шт от 1 шт
6830.00	/шт от 5 шт

Код: 243781854

Mitsubishi

CM200DX-24S, модуль 2 IGBT 200A 1200В NX6

под заказ

7900.00	/шт от 1 шт
6810.00	/шт от 5 шт

Код: 930480929

Mitsubishi

CM450DX-24S1, модуль 2 IGBT 450A 1200В NX6.1 серия

под заказ

7900.00	/шт от 1 шт
7720.00	/шт от 2 шт

Производитель
ABB BYD MICROELECTR CRRC FUJITSU HITACHI HUAJING INFINEON IXYS LEAPERS LGE MITSUBISHI ONS SEMIKRON SHYSEMI STARPOWER STM TAIXIN TECHSEM VISHAY WXDH ELECTRONIC XINER YJ РОССИЯ
Макс.напр.к-э,В
25 75 100 150 200 220 250 350 600 650 750 1200 1350 1400 1500 1700 1800 2500 3300 4500 6500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
1.2 1.5 1.55 1.6 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 2 2.1 2.15 2.2 2.35 2.4 2.5 2.6 2.65 2.7 2.75 2.8 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.6 3.8 4.4 5 5.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
0.015 0.1 0.35 0.5 0.7 1.5 1.75 2 3 4 5 5.7 6 7.2 8 8.7 8.8 10 11 12 13 15 17 20 24 25 27 30 35 40 48 50 60 70 75 80 100 105 110 120 130 140 150 160 165 195 200 220 225 250 260 300 350 365 400 450 500 600 650 660 700 750 800 820 900 950 1000 1200 1400 1600 1700 1800 2400 3600
Структура модуля
1 транзистор+диод 2 транзистора+2 диода 3-ф.выпр-ль+3ф мост 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом 3-фазный мост 3-фазный мост+тормозной транзистор Boost Dual Boost H-мост одиночный транзистор полумост чоппер с диодом
Тип силового модуля
CIB интеллектуальный модуль SiC модуль Интеллектуальный DIP модуль Интеллектуальный DIP модуль с ККМ Интеллектуальный модуль IPM Сборка на IGBT транзисторах сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц
1.6 5 10 15 20 25 30 40 60 100
Мощность привода, кВт
0.1 0.2 0.4 0.75 1.5 2 2.2 3 3.7 5.24 7 7.5 11 15 17.5 20 22 30 37 50 55 70 75
Драйвер управления

Защита по току
есть нет
Защита от короткого замыкания
есть нет
Защита от перегрева
есть нет
Защита от пониженного напряжения питания
есть нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
21.3 23 36 38.3 39 43 50 51.2 56.8 63 100 131 138 250 255 284 290 320 328 338 350 390 400 416 430 450 455 480 500 520 540 541 560 590 595 600 620 650 668 672 730 735 780 781 830 890 960 1040 1041 1100 1130 1160 1260 1340 1380 1470 1500 1550 1560 1562 1600 1785 1860 1890 1950 1980 2010 2080 2100 2350 2500 2710 2800 2900 3000 3400 3670 3780 3900 4100 4300 4800 5800 6250 6500 6700 6900 8900 9200 10000 10400 12500 13100 13800 14700 15600 17800
Максимальный ток эмиттера, А
10 11 20 22 26 30 40 48 50 60 100 140 150 200 220 300 330 400 450 600 700 800 900 1000 1200 1600 1800 2000 2400 2800 3200 3600 4800
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
4 5.5 6 6.5 7 20
Напряжение эмиттер-коллектор,В
1.2 1.6 1.63 1.66 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 1.98 2 2.1 2.25 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.85 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.4 4 4.6 5
Напряжение изоляции, В
1500 2500 3500 4000 4500 5000 6000 10200
Температурный диапазон,С

Серия
HPD

Силовые IGBTи SiC модули 1168

Силовые IGBTи SiC модули ₁₁₆₈