КТ3102АМ (2019г), Транзистор NPN, 0.2А, 50В, h21e=100 250 [КТ-26 / TO-92] (ВС547А)
КТ3102БМ (2019г), Транзистор NPN, 0.2А, 50В, h21e=200 500 [КТ-26 / TO-92] (ВС547В)
КТ3102ВМ (2018г), Транзистор NPN, 0.2А, 30В, h21e=200 500 [КТ-26 / TO-92] (ВС548В)
КТ3102ГМ (2017г), Транзистор NPN, 0.2А, 20В, h21e=400 1000 [КТ-26 / TO-92]
КТ3102ДМ (2017г), Транзистор NPN, 0.2А, 30В, h21e=200 500 [КТ-26 / TO-92] (ВС549С)
КТ3102ЖМ (2018г), Транзистор NPN, 0.2А, 50В, h21e=100 250 [КТ-26 / TO-92]
КТ3102ИМ (2016г), Транзистор NPN, 0.2А, 50В, h21e=200 500 [КТ-26 / TO-92]
КТ3102КМ (2019г), Транзистор NPN, 0.2А, 50В, h21e=200 500 [КТ-26 / TO-92]
КТ503Б, Биполярный транзистор, NPN, 25В, 0.15А, 0.35Вт, 5МГц, h21e=80 240 [КТ-26 / TO-92]
КТ645А/КБ (2019г), Транзистор NPN, 0.3А, 50В, h21e=20...200 [КТ-26 / TO-92]
КТ645Б/КБ (2013г), Транзистор NPN, 0.3А, 60В, h21e>=80 [КТ-26 / TO-92]
BC860C.215, Транзистор, PNP, - 45В, - 100мА, 0.25Вт, (маркировка 4Gp, 4Gt, 4GW), [SOT-23]
SI1029X-T1-GE3, Биполярный транзистор N/P-CH 60В 0.305А 6-Pin SC-89