BD434, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-4А, Vceo=-22В, Vcbo=-22В, Pd=36Вт , hFE= >= 85 [TO-126]
SIDR140DP-T1-RE3, Биполярный транзистор N-канал 25В SO8 0.67мОм 10В 0.9мОм 4.5В
КТ858А/КБ (2016г), Транзистор NPN, 7А, 400В, h21e>=10 [КТ-28-2 / TO-220] (BU104DP)
КТ859А/КБ (2006г), Транзистор NPN, 3А, 800В, h21e>=10 [КТ-28-2 / TO-220] (2SD841)
PBRP123YT,215, Bipolar Transistors - Pre-Biased PBRP123YT/SOT23/TO-236
RSG40N120HW, Биполярный транзистор с изолированным затвором 40А 1200В
RSG75N65HW, биполярный транзистор с изолированным затвором IC=75А VCES=650 В
SIDR220DP-T1-RE3, Биполярный транзистор N-канал 25В SO8 0.58мОм 10В 0.82мОм 4.5В