IGBT транзисторы

Код: 2015849811

Infineon

IHFW40N65R5SXKSA1, IGBT транзистор 650В, 40А, 108Вт до 175гр C TO-247

25 шт

300.00	/шт от 1 шт
271.00	/шт от 5 шт

Код: 2015849812

Infineon

IKFW40N65ES5XKSA1, IGBT транзистор 650В, 30А, 106Вт до 175гр C TO-247

40 шт

380.00	/шт от 1 шт
348.00	/шт от 5 шт

Код: 2017283915

Infineon

IKW25N120H3FKSA1, транзистор IGBT PG-TO-247-3

231 шт

230.00	/шт от 1 шт
191.00	/шт от 5 шт

Код: 119541001

Infineon

IRG4BC30KDPBF, IGBT транзистор 600В 28А 8-25кГц TO220AB

76 шт

210.00	/шт от 1 шт
195.00	/шт от 10 шт

Код: 2017152875

Infineon

IRG4BC30KDPBF, IGBT транзистор 600В 28А 8-25кГц TO220AB

141 шт

250.00	/шт от 1 шт
208.00	/шт от 5 шт

Код: 2017298310

Infineon

IRG4PH40UPBF, IGBT транзистор 1200В 21А 5-40кГц ТО247AC

40 шт

2200.00	/шт от 1 шт
2060.00	/шт от 2 шт

Код: 936613056

Infineon

IRG7PH35UPBF, IGBT транзистор 1200В 35А 8-30кГц TO247AC восстановленное лужение выводов

155 шт

420.00	/шт от 1 шт
389.00	/шт от 10 шт

Код: 2017301381

Infineon

IRGB10B60KDPBF, IGBT транзистор 600В 12А 10-30кГц TO220AB

4 шт

310.00	/шт от 1 шт
258.00	/шт от 4 шт

Код: 2015850733

Infineon

IRGIB6B60KDPBF, IGBT транзистор транзистор 600В, 11А TO-220FP

12 шт

210.00	/шт от 1 шт
192.00	/шт от 50 шт

Код: 2016115219

Infineon

IRGP4063DPBF, транзистор IGBT TO247AC

466 шт

590.00	/шт от 1 шт
472.00	/шт от 4 шт

Код: 2017294370

Infineon

IRGP4068DPBF, транзистор TO-247AC

250 шт

520.00	/шт от 1 шт
411.00	/шт от 4 шт

Код: 2017395650

Infineon

IKW75N65EH5XKSA1, Биполярный транзистор IGBT, TO247

поступит 14.08.26

280.00	/шт от 1 шт
234.00	/шт от 5 шт

Код: 2011304378

Infineon

AUIRG4PH50S, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 57 А, 200 Вт

145 шт 27 августа

585.36	/шт от 1 шт
548.26	/шт от 5 шт

Код: 2015372036

Infineon

AUIRGR4045D, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 77 Вт

4 шт 27 августа

314.42	/шт от 2 шт
309.85	/шт от 3 шт

Код: 2014971960

Infineon

F475R12KS4BOSA1, Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

18 шт 26 августа

14300.00	/шт от 1 шт
14100.00	/шт от 2 шт

Код: 2017141424

INFINEON

FF200R12KT4HOSA1, FF200R12KT4HOSA1,IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 320 А, 1100 Вт, корпус

30 шт 26 августа

7200.00	/шт от 1 шт
7030.00	/шт от 2 шт

Код: 2017141425

INFINEON

FF300R12KS4HOSA1, FF300R12KS4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 370 А, 1950 Вт, корпу

1 шт 26 августа

15600.00	/шт от 1 шт
15200.00	/шт от 2 шт

Код: 2017248929

Infineon

FS820R08A6P2BBPSA1, Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

10 шт 26 августа

29400.00	/шт от 1 шт
29100.00	/шт от 2 шт

Код: 2014985366

Infineon

IEWS20R5135IPBXKLA1, Транзисторы с изолированным затвором (IGBT), корпус PGTO2476

3 шт 26 августа

570.00	/шт от 1 шт
553.00	/шт от 8 шт

Код: 2015442776

Infineon

IGP40N65H5XKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт

68 шт 27 августа

440.11	/шт от 1 шт
434.95	/шт от 4 шт

Код: 2015909509

Infineon

IGW20N60H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT 600В 20А TO-247

187 шт 27 августа

322.12	/шт от 2 шт
317.43	/шт от 3 шт

Код: 2017141586

INFINEON

IGW30N60H3FKSA1, IGW30N60H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600В, 60А, 187Вт, корпусTO-

98 шт 26 августа

549.00	/шт от 2 шт
537.65	/шт от 8 шт

Код: 2010077322

Infineon

IGW40N60H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 Вт

78 шт 27 августа

455.56	/шт от 1 шт
425.65	/шт от 6 шт

Код: 2010052409

Infineon

IGW40T120, Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 40А 270Вт [PG-TO-247-3.] (G40T120)

300 шт 31 августа

1200.00	/шт от 1 шт
1130.00	/шт от 2 шт

Код: 2014958349

Infineon

IGW40T120FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 270 Вт

4 шт 27 августа

912.35	/шт от 1 шт
859.79	/шт от 6 шт

Код: 2013029518

Infineon

IGW60T120 [G60T120], Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 60А 375Вт [PG-TO-247-3]

100 шт 31 августа

1300.00	/шт от 1 шт
1250.00	/шт от 2 шт

Код: 2010989648

Infineon

IGW60T120FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 375 Вт

147 шт 27 августа

717.90	/шт от 1 шт
710.12	/шт от 2 шт

Код: 2017102726

Infineon

IHW20N120R3, Транзистор IGBT 1200В 20А 310Вт [TO-247-3] (H20R1203)

100 шт 31 августа

400.00	/шт от 1 шт
392.00	/шт от 2 шт

Код: 2006539307

Infineon

IHW20N120R3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 310 Вт

270 шт 27 августа

278.21	/шт от 2 шт
258.69	/шт от 9 шт

Код: 2015142944

Infineon

IHW20N135R5XKSA1 (H20PR5), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1350В, 20А [PG-TO247-3.](H20PR5)

1000 шт 31 августа

290.00	/шт от 1 шт
285.00	/шт от 2 шт

Код: 2015401911

Infineon

IHW20N135R5XKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1350 В, 40 А, 288 Вт

578 шт 27 августа

194.06	/шт от 2 шт
180.14	/шт от 22 шт

Код: 2015505432

Infineon

IHW30N120R5XKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 60 А, 330 Вт

69 шт 27 августа

544.50	/шт от 1 шт
509.71	/шт от 5 шт

Код: 2015142946

Infineon

IHW30N135R5XKSA1 (H30PR5), Транзистор IGBT 1350В 30А 330Вт [PG-TO247-3.] (H30PR5)

1000 шт 31 августа

510.00	/шт от 1 шт
499.00	/шт от 2 шт

Код: 2017348691

INFINEON

IHW30N135R5XKSA1, IHW30N135R5XKSA1, IGBT транзистор,1350В,30А, корпус TO247-3

60 шт 26 августа

272.00	/шт от 5 шт
266.31	/шт от 20 шт

Код: 2016387635

Infineon

IHW30N135R5XKSA1, Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1350В, 30А [PG-TO247-3]

184 шт 27 августа

257.64	/шт от 2 шт
239.49	/шт от 9 шт

Код: 2010024418

Infineon

IHW30N160R2FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1600 В, 30 А, 310 Вт

37 шт 27 августа

1724.12	/шт от 1 шт
1629.33	/шт от 2 шт

Производитель
CRMICRO FAIR/ONS FUJI INFINEON IXYS LGE LITTLEFUSE MASPOWER MCC MICROCHIP MICROSEMI ONS REASUNOS RENESAS ROHM RUME SILAN STARPOWER STM TOSHIBA UTC VBSEMI VISHAY WXDH YJ КИТАЙ СИЛОВОЙ КЛЮЧ ФОРМУЛА СВЕТА
Максимальное напряжение кэ ,В
330 370 400 420 430 440 600 650 900 1000 1200 1350 1600 1800 3000
I_{к максимальный ток},А
3 6 7 8 9 10 11 12 14 15 16 20 21 23 24 25 28 30 31 32 35 36 40 42 43 45 47 48 49 50 55 60 64 70 74 75 76 78 80 85 90 96 100 120 121 140 141 160 240
I_{к максимальный ток},А
4 6 7 9 12 15 17 18 20 22 24 28 31 33 35 40 45 46 48 49 50 60 90 120 160
U_{насыщения},В
1.5 1.55 1.65 1.7 1.75 1.8 1.9 1.95 2 2.05 2.1 2.14 2.2 2.21 2.35 2.52 2.7 3.05 7
F_{частота переключения},кГц
1 8 25 30 40 60 150
Структура
n-канал n-канал с диодом
P_{к максимальная мощность},Вт
56 58 60 77 100 134 140 160 206 208 210 215 220 250 255 300 330 350 390 455 543 750
U_{управляющее напряжение},В
6
Корпус
D2PAK D2Pak (TO-263) DPAK ISOPLUS247[тм] MTP PG-TO-247-3 PG-TO220-3 PG-TO247-3 PG-TO247-3-46 SOT-23-3 Super-247 Super-247 (TO-274AA) TO-220 TO-220 type A TO-220AB TO-220AB Full-Pak TO-220AC TO-220F TO-220FP TO-247 TO-247 (IXXH) TO-247-3 TO-247-4L TO-247AC TO-247AD TO-252AA TO-262 TO-3P TO-3P(N) TO-3PN TO220 TO220-3 TO220AB TO220F TO220F-3 TO220FP TO247-3 TO247-PLUS TO247AC TO252-2 TO263-2 TO264 TO274AA

IGBT транзисторы Infineon154

IGBT транзисторы Infineon₁₅₄