GT50JR22, транзистор IGBT TO-3P(N)
GT40WR21,Q(O, Транзистор IGBT 1800В 40А 375Вт [TO-3P(N)]
GT50JR22, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт
GT50JR22, Транзисторы с изолированным затвором (IGBT), корпус TO3P
GT60N321, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C]
Товар добавлен в корзину!
Для улучшения работы сайта и его взаимодействия с пользователями мы используем файлы cookie. Продолжая работу с сайтом, Вы разрешаете использование cookie-файлов. Вы всегда можете отключить файлы cookie в настройках Вашего браузера.