Москва +7 (495) 125-15-24 shop@platan.ru | С.-Петербург +7 (812) 232-88-36 shop@platan.spb.ru

ИНТЕРНЕТ-МАГАЗИН
Товаров: 0
На сумму: 0 руб.
КАТАЛОГ
Электронные компоненты, радиодеталиКоммутацияОптоэлектроникаИндикацияСветодиоды осветительныеОсвещениеИсточники питанияДатчикиКорпусные и установочные изделияПровода, шнуры, расходные материалыИзмерительные приборыПаяльное оборудованиеИнструментПромышленная автоматикаЭлектротехническое оборудованиеЭлектроника для дома и авто

IGBT транзисторы , стр.2 284
Производитель  
























Uкэ максимальное ,В 














Iк максимальный ток ,А 














































Iк максимальный ток ,А 



























Uнасыщения ,В 























Fчастота переключения ,кГц 







Структура 
Pк максимальная мощность ,Вт 


























Uуправляющее напряжение ,В 


Корпус  




























Код: 2015787648
DG40X12T2, Транзисторы с изолированным затвором (IGBT), корпус TO247
STARPOWER

DG40X12T2, Транзисторы с изолированным затвором (IGBT), корпус TO247
1607 шт 25 декабря
340.00/шт от 1 шт
333.00 /шт от 2 шт
шт.
Код: 2015901346
DG50Q12T2, TO-247
Starpower

DG50Q12T2, TO-247
10 шт 26 декабря
310.33/шт от 2 шт
306.63 /шт от 3 шт
шт.
Код: 2015787662
DG50Q12T2, Транзисторы с изолированным затвором (IGBT), корпус TO247
STARPOWER

DG50Q12T2, Транзисторы с изолированным затвором (IGBT), корпус TO247
564 шт 25 декабря
360.00/шт от 1 шт
346.00 /шт от 2 шт
шт.
Код: 2015891524
DG50X06T2, TO-247
Starpower

DG50X06T2, TO-247
114 шт 26 декабря
189.37/шт от 2 шт
175.51 /шт от 12 шт
шт.
Код: 2015837890
DG50X06T2, Транзисторы с изолированным затвором (IGBT), корпус TO247
STARPOWER

DG50X06T2, Транзисторы с изолированным затвором (IGBT), корпус TO247
2192 шт 25 декабря
150.00/шт от 1 шт
140.00 /шт от 2 шт
шт.
Код: 2015901812
DG75Q12T2, TO-247
Starpower

DG75Q12T2, TO-247
62 шт 26 декабря
537.17/шт от 1 шт
503.03 /шт от 5 шт
шт.
Код: 2015787663
DG75Q12T2, Транзисторы с изолированным затвором (IGBT), корпус TO247
STARPOWER

DG75Q12T2, Транзисторы с изолированным затвором (IGBT), корпус TO247
3055 шт 25 декабря
430.00/шт от 1 шт
416.00 /шт от 2 шт
шт.
Код: 2015891522
DG75X07T2L, TO-247
Starpower

DG75X07T2L, TO-247
50 шт 26 декабря
479.67/шт от 1 шт
448.80 /шт от 5 шт
шт.
Код: 2015891521
DG75X12T2, TO-247
Starpower

DG75X12T2, TO-247
32 шт 26 декабря
837.28/шт от 1 шт
786.95 /шт от 3 шт
шт.
Код: 2015787664
DG75X12T2, Транзисторы с изолированным затвором (IGBT), корпус TO247
STARPOWER

DG75X12T2, Транзисторы с изолированным затвором (IGBT), корпус TO247
730 шт 25 декабря
730.00/шт от 1 шт
712.00 /шт от 2 шт
шт.
Код: 2014971960
F475R12KS4BOSA1, Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Infineon

F475R12KS4BOSA1, Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
19 шт 25 декабря
15400.00/шт от 1 шт
15300.00 /шт от 2 шт
шт.
Код: 2016112189
FDN360P, Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
TECH PUB

FDN360P, Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
4134 шт 25 декабря
5.00/шт от 1 шт
4.34 /шт от 2 шт
шт.
Код: 2017141425
FF300R12KS4HOSA1, FF300R12KS4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 370 А, 1950 Вт, корпу
Infineon Technologies

FF300R12KS4HOSA1, FF300R12KS4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 370 А, 1950 Вт, корпу
8 шт 25 декабря
16400.00/шт от 1 шт
16000.00 /шт от 2 шт
шт.
Код: 2015715642
FGA60N65SMD, TO-3PN
ONS

FGA60N65SMD, TO-3PN
389 шт 26 декабря
282.46/шт от 2 шт
263.64 /шт от 14 шт
шт.
Код: 2014632439
FGH20N60SFDTU, TO-247
ONS

FGH20N60SFDTU, TO-247
144 шт 26 декабря
437.84/шт от 1 шт
432.76 /шт от 4 шт
шт.
Код: 2017138173
FGH40N60SFDTU, FGH40N60SFDTU, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 80 А, корпус TO-247-3
ONS

FGH40N60SFDTU, FGH40N60SFDTU, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 80 А, корпус TO-247-3
425 шт 25 декабря
303.00 /шт от 5 шт
296.83 /шт от 20 шт
шт.
Код: 2000529756
FGH40N60SFDTU, TO-247
ONS

FGH40N60SFDTU, TO-247
853 шт 26 декабря
286.24/шт от 2 шт
282.84 /шт от 5 шт
шт.
Код: 2017138178
FGH40N60SMD, FGH40N60SMD, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 80 А, корпус TO-247-3
ONS

FGH40N60SMD, FGH40N60SMD, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 80 А, корпус TO-247-3
580 шт 25 декабря
215.00 /шт от 5 шт
210.52 /шт от 20 шт
шт.
Код: 2008138421
FGH40N60SMD, TO-247
ONS

FGH40N60SMD, TO-247
609 шт 26 декабря
291.92/шт от 2 шт
288.42 /шт от 5 шт
шт.
Код: 2015020746
FGH40N60SMD, Транзисторы с изолированным затвором (IGBT), корпус TO247
ONS

FGH40N60SMD, Транзисторы с изолированным затвором (IGBT), корпус TO247
446 шт 25 декабря
360.00/шт от 1 шт
353.00 /шт от 2 шт
шт.
Код: 2010021667
FGH40N60UFDTU, TO-247
ONS

FGH40N60UFDTU, TO-247
769 шт 26 декабря
336.80/шт от 1 шт
332.75 /шт от 5 шт
шт.
Код: 2015019881
FGH40N60UFDTU, Транзисторы с изолированным затвором (IGBT), корпус TO247
ONS

FGH40N60UFDTU, Транзисторы с изолированным затвором (IGBT), корпус TO247
1800 шт 25 декабря
260.00/шт от 1 шт
252.00 /шт от 2 шт
шт.
Код: 2010029699
FGH60N60SFDTU, TO-247
ONS

FGH60N60SFDTU, TO-247
26 шт 26 декабря
507.21/шт от 1 шт
501.47 /шт от 3 шт
шт.
Код: 2017138179
FGH60N60SMD, FGH60N60SMD, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 120 А, корпус TO-247-3
ONS

FGH60N60SMD, FGH60N60SMD, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 120 А, корпус TO-247-3
486 шт 25 декабря
248.00 /шт от 5 шт
242.98 /шт от 20 шт
шт.
Код: 2001334208
FGH60N60SMD, TO-247
ONS

FGH60N60SMD, TO-247
1633 шт 26 декабря
254.21/шт от 2 шт
239.05 /шт от 30 шт
шт.
Код: 2010031481
FGPF50N33BT, TO-220F, форм.
ONS

FGPF50N33BT, TO-220F, форм.
41 шт 26 декабря
190.78/шт от 2 шт
177.83 /шт от 5 шт
шт.
Код: 2015368079
FGY40T120SMD, TO-247
ONS

FGY40T120SMD, TO-247
34 шт 26 декабря
697.16/шт от 1 шт
689.63 /шт от 3 шт
шт.
Код: 2017248929
FS820R08A6P2BBPSA1, Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Infineon

FS820R08A6P2BBPSA1, Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
10 шт 25 декабря
29700.00/шт от 1 шт
29400.00 /шт от 2 шт
шт.
Код: 2010069674
GT50J325, TOSHIBA 2-21F2C (TO-3P(L)), окисл.выв.
Toshiba

GT50J325, TOSHIBA 2-21F2C (TO-3P(L)), окисл.выв.
15 шт 26 декабря
2034.01/шт от 1 шт
1932.59 /шт от 2 шт
шт.
Код: 2013781305
GT50JR22, TO-3P(N)
Toshiba

GT50JR22, TO-3P(N)
5592 шт 26 декабря
156.57/шт от 3 шт
146.47 /шт от 75 шт
шт.
Код: 2015148517
GT50JR22, Транзисторы с изолированным затвором (IGBT), корпус TO3P
Toshiba

GT50JR22, Транзисторы с изолированным затвором (IGBT), корпус TO3P
2069 шт 25 декабря
140.00/шт от 1 шт
132.00 /шт от 2 шт
шт.
Код: 2015882052
HGTG10N120BND, TO-247
ONS

HGTG10N120BND, TO-247
31 шт 26 декабря
324.59/шт от 2 шт
320.70 /шт от 5 шт
шт.
Код: 2008454568
HGTG11N120CND, TO-247
ONS

HGTG11N120CND, TO-247
268 шт 26 декабря
368.68/шт от 1 шт
345.01 /шт от 11 шт
шт.
Код: 2007162084
HGTG30N60A4D, TO-247-3LD (Case 340CK)
ONS

HGTG30N60A4D, TO-247-3LD (Case 340CK)
39 шт 26 декабря
300.22/шт от 2 шт
289.85 /шт от 5 шт
шт.
Код: 2015585773
HGTP20N60A4, TO-220AB
ONS

HGTP20N60A4, TO-220AB
2 шт 26 декабря
183.15/шт от 2 шт
180.93 /шт от 8 шт
шт.
Код: 2014985366
IEWS20R5135IPBXKLA1, Транзисторы с изолированным затвором (IGBT), корпус PGTO2476
Infineon

IEWS20R5135IPBXKLA1, Транзисторы с изолированным затвором (IGBT), корпус PGTO2476
4 шт 25 декабря
250.00/шт от 1 шт
242.00 /шт от 2 шт
шт.
Корзина

Товар добавлен в корзину!