Силовые IGBT и SIC модули Infineon, Mitsubishi, Leapers, Starpower купить для частотных преобразователей, характеристики

Код: 2015340954

MG35P12P3, IGBT модуль, 1200В, 35A, 215Вт (P3) = FP35R12W2T4 (Infineon) = 7MBR35VKD120-50 (FUJI)

под заказ

3460.00	/шт от 5 шт
3300.04	/шт от 20 шт

Код: 2017232572

MG400HF065TLC2, Модуль IGBT 400А 650В

под заказ

5950.00	/шт от 5 шт
5854.03	/шт от 20 шт

Код: 2015650173

MG400HF12TLC2, IGBT модуль, 1200В, 450А [C2] = MG400HF12MIC2

под заказ

17000.00	/шт от 5 шт
16480.18	/шт от 20 шт

Код: 2015340955

MG40HF12LEC1, IGBT модуль, 1200В, 40А, 312Вт (C1)

под заказ

1340.00	/шт от 2 шт
1305.32	/шт от 8 шт

Код: 2015340956

MG40P12E1, IGBT модуль, 1200В, 40A, 227Вт (E1) = Infineon FP40R12KT3/E3 = FUJI 7MBR35VA120-50

под заказ

3690.00	/шт от 4 шт
3517.97	/шт от 16 шт

Код: 2015340957

MG450HF12LVC2, IGBT модуль, 1200В, 450A (C2) = Infineon FF450R12KT4 = FUJI 2MBI450VH-120-50

под заказ

9020.00	/шт от 2 шт
8796.11	/шт от 8 шт

Код: 2015693982

MG450HF12TFC2, IGBT модуль, 1200В, 450А, 2307Вт [C2] =GD400HFF120C2S

под заказ

8500.00	/шт от 2 шт
8238.99	/шт от 8 шт

Код: 2015693978

MG450HF12TLC2, IGBT модуль, 1200В, 450А, 2307Вт [C2] = FF400R12KE4 = GD450HFY120C2S

под заказ

11100.00	/шт от 2 шт
10761.06	/шт от 8 шт

Код: 2016413917

MG450HF12TLE3, IGBT модуль, 1200В, 450A (E3) = GD450HFY120C6S

под заказ

9980.00	/шт от 2 шт
9520.18	/шт от 8 шт

Код: 2015340958

MG50HF12LEC1, IGBT модуль, 1200В, 50A, 400Вт (C1) = Infineon FF50R12RT4 = FUJI 2MBI50VA-120-50

под заказ

1670.00	/шт от 2 шт
1628.32	/шт от 8 шт

Код: 2012930345

MG50HF12MIC1, =SKM50GB12T4 Semikron диодный модуль

под заказ

2900.00	/шт от 2 шт
2811.92	/шт от 8 шт

Код: 2015932356

MG50HF12TFC1, IGBT модуль, 1200В, 50А, 288А (C1)

под заказ

1840.00	/шт от 2 шт
1782.82	/шт от 8 шт

Код: 2015340959

MG50P12E1A, IGBT модуль, 1200В, 50A, 288Вт (E1A) = Infineon FP50R12KT4 = FUJI 7MBR50VM120-50 = GD50F

под заказ

4790.00	/шт от 2 шт
4643.74	/шт от 8 шт

Код: 2015340960

MG50P12E2, IGBT модуль, 1200В, 50A, 288Вт (E2) = Infineon FP50R12KT4G; = FUJI 7MBR50VN120-50

под заказ

5250.00	/шт от 2 шт
5119.07	/шт от 8 шт

Код: 2015340961

MG50P12E2A, IGBT модуль, 1200В, 50A, 288Вт (E2) = Infineon FP50R12KT3/E3 = FUJI 7MBR50VB120-50

под заказ

5220.00	/шт от 2 шт
4980.35	/шт от 8 шт

Код: 2016857239

MG600HF17TLE3, IGBT модуль, 1700В, 600A, = GD600HFX170C6S

под заказ

17400.00	/шт от 5 шт
16573.81	/шт от 20 шт

Код: 2015340962

MG75HF12LEC1, IGBT модуль, 1200В, 75A, 657 Вт (C1) =а Infineon FF75R12RT4; = FUJI 2MBI75VA-120-50

под заказ

2170.00	/шт от 2 шт
2116.15	/шт от 8 шт

Код: 2015340963

MG75P12E2, IGBT модуль, 1200В, 75A, 476Вт (E2) = Infineon FP75R12KT4; = FUJI 7MBR75VN120-50

под заказ

5910.00	/шт от 2 шт
5761.45	/шт от 8 шт

Код: 2015340964

MG75P12E2A, IGBT модуль, 1200В, 75A (E2A) = Infineon FP75R12KT3/E3 = FUJI 7MBR75VB120-50

под заказ

5720.00	/шт от 2 шт
5456.23	/шт от 8 шт

Код: 2017080481

Marching Power

MPFF600R17MBF, модуль IGBT 600A 1700V (Econdual3)

под заказ

16800.00	/шт от 2 шт
16284.06	/шт от 8 шт

Код: 2017080235

Marching Power

MPFS820R08PBF, Trench 750V 820A IGBT, Low Loss PTP FS820R08A6P2LB, TG820FF08S3-S4A21

под заказ

20000.00	/шт от 2 шт
19368.01	/шт от 8 шт

Код: 2016979928

NEDITEK

NDSM010018, Модуль All-SiC 1200В 540А

под заказ

82200.00	/шт от 2 шт
80885.16	/шт от 8 шт

Код: 2016979929

NEDITEK

NDSM010019, Модуль All-SiC 1200В 720А

под заказ

99800.00	/шт от 2 шт
97819.89	/шт от 8 шт

Код: 2016979931

NEDITEK

NDSM020010, Модуль All-SiC 1200В 540А

под заказ

98300.00	/шт от 2 шт
96737.76	/шт от 8 шт

Код: 2016979932

NEDITEK

NDSM020011, Модуль All-SiC 1200В 720А

под заказ

118000.00	/шт от 2 шт
116014.99	/шт от 8 шт

Код: 253089999

Mitsubishi

PM100RL1A120, модуль 7 IGBT 1200В 100A 5 поколение L1 серия

под заказ

26300.00	/шт от 2 шт
24869.98	/шт от 8 шт

Код: 706736599

Mitsubishi

PM100RSD060, модуль 7 IGBT 600В 100А 4 поколение S серия

под заказ

11900.00	/шт от 4 шт
11367.04	/шт от 16 шт

Код: 38058611

Mitsubishi

PM10CSJ060, модуль 6 IGBT 600В 10A 3 поколение S серия

под заказ

2820.00	/шт от 7 шт
2752.08	/шт от 28 шт

Код: 522843104

Mitsubishi

PM150CL1A120, модуль 6 IGBT 1200В 150A 5 поколение L1 серия

под заказ

22500.00	/шт от 2 шт
22398.06	/шт от 8 шт

Код: 537858211

Mitsubishi

PM150CSD120, модуль 6 IGBT 1200В 150A 4 поколение S серия

под заказ

30500.00	/шт от 3 шт
29773.15	/шт от 12 шт

Код: 2014945847

Mitsubishi

PM150RL1A120, 7 IGBT 1200V 100A 5-gen (L1-Series)

под заказ

44100.00	/шт от 2 шт
41872.28	/шт от 8 шт

Код: 775688955

Mitsubishi

PM150RL1A120, модуль 7 IGBT 1200В 150A 5 поколение L1 серия

под заказ

54100.00	/шт от 3 шт
51728.09	/шт от 12 шт

Код: 97473142

Mitsubishi

PM150RL1A120, модуль 7 IGBT 1200В 150A 5 поколение L1 серия

под заказ

54500.00	/шт от 3 шт
52802.05	/шт от 12 шт

Код: 187536240

Mitsubishi

PM150RSE120, модуль 7 IGBT 1200В 150A 4 поколение S серия

под заказ

30000.00	/шт от 7 шт
29128.99	/шт от 28 шт

Код: 171173092

Mitsubishi

PM200CL1A060, IGBT модуль 350G L1серия

под заказ

22200.00	/шт от 2 шт
20946.21	/шт от 8 шт

Код: 737601855

Mitsubishi

PM200CLA060, модуль 6 IGBT 600В 200A 5 поколение L серия

под заказ

20900.00	/шт от 4 шт
19978.32	/шт от 16 шт

Производитель
ABB APEMIC AST TECHNOLOGY ATELECT ATS BYD BYD MICROELECTR CHIPOWN CRRC FUJI FUJITSU HITACHI HUAJING HYPERSEMI INFINEON IXYS LEAPERS LEAPERS SEMICONDUCTOR LGE MARCHING POWER MICROCHIP MITSUBISHI NEDITEK ONS RED POWER SEMIKRON SHYSEMI STARPOWER STM SUNCO TAIXIN TECHSEM TSINGSEMI VISHAY WXDH XINER YJ ZHM SEMI РОССИЯ
Макс.напр.к-э,В
25 75 100 150 200 220 250 350 600 650 750 820 1200 1350 1400 1500 1600 1700 1800 2200 2500 3300 4500 6500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
1.2 1.5 1.55 1.6 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 2 2.1 2.15 2.2 2.35 2.4 2.5 2.6 2.65 2.7 2.75 2.8 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.6 3.8 4.4 5 5.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
0.015 0.1 0.35 0.5 0.7 1.5 1.75 2 3 4 5 5.7 6 7.2 8 8.7 8.8 10 11 12 13 15 20 22 24 25 27 29 30 35 40 48 50 60 70 75 80 100 105 110 120 130 140 150 160 165 200 220 225 250 260 300 350 400 450 500 540 600 650 660 700 720 750 800 820 900 950 1000 1200 1400 1500 1600 1700 1800 2400 3600 4000
Структура модуля
2 транзистора+2 диода 3-ф.выпр-ль+3ф мост 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом 3-фазный мост 3-фазный мост+тормозной транзистор Boost Dual Boost H-мост одиночный транзистор полумост чоппер с диодом
Максимальная частота модуляции,кГц
1.6 5 10 15 20 25 30 40 60 100
Мощность привода, кВт
0.1 0.2 0.4 0.75 1.5 2 2.2 3 3.7 5.24 7 7.5 11 15 17.5 20 22 30 37 50 55 70 75
Драйвер управления

Защита по току
есть нет
Защита от короткого замыкания
есть нет
Защита от перегрева
есть нет
Защита от пониженного напряжения питания
есть нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
21.3 23 36 38.3 39 43 50 51.2 56.8 63 100 131 138 250 255 284 290 320 328 338 350 390 400 416 430 450 455 480 500 520 540 541 560 590 595 600 620 650 668 672 730 735 780 781 830 890 960 1040 1041 1100 1130 1160 1260 1340 1470 1500 1550 1560 1562 1600 1785 1860 1890 1950 1980 2000 2010 2080 2100 2350 2500 2710 2800 2900 3000 3400 3670 3780 3900 4100 4300 4800 5800 6250 6500 6700 6900 8900 9200 10000 10400 12500 13100 13800 14700 15600 17800
Максимальный ток эмиттера, А
10 11 20 22 26 30 40 48 50 60 100 140 150 200 220 300 330 400 450 600 700 800 900 1000 1200 1600 1800 2000 2400 2800 3200 3600 4800
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
4 5.5 6 6.5 7 20
Напряжение эмиттер-коллектор,В
1.2 1.63 1.66 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 1.98 2 2.1 2.25 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.85 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.4 4 4.6 5
Напряжение изоляции, В
1500 2500 3500 4000 4500 5000 6000 10200
Температурный диапазон,С

Серия
CM1200DC-34N HPD T-series

Силовые IGBTи SiC модули , стр.28 1302

Силовые IGBTи SiC модули , стр.28 ₁₃₀₂