Москва +7 (495) 125-15-24 shop@platan.ru | С.-Петербург +7 (812) 232-88-36 shop@platan.spb.ru

Близкие по характеристикам к GD35PJY120F2S

вернуть все фильтры
Параметры товаров
PS22A78-E, IGBT модуль 1200В 35А версия 4
PS22A78-E
НН: 473067415
PS22A79, DIPIPM Ver. 4, Large DIP
PS22A79
НН: 896667453
CM35MXA-24S, IGBT модуль 35A 1200В NX6
CM35MXA-24S
НН: 951414533
MG35P12P3, IGBT модуль, 1200В, 35A, 215Вт (P3) = FP35R12W2T4 (Infineon) = 7MBR35VKD120-50 (FUJI)
MG35P12P3
НН: 2015340954
Документация:
FP35R12W2T4BOMA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В,  35A
FP35R12W2T4BOMA1
НН: 2015547998
Документация:
MG3512E1A, IGBT модуль
MG3512E1A
НН: 2015670615
GD35FSY120L2S, IGBT модуль, 3 Phase Bridge with NTC, 1200V, 35A, L2.1
GD35FSY120L2S
НН: 2015699992
Документация:
GD35PJY120L3S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss
GD35PJY120L3S
НН: 2015699993
GD35PJY120F2S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss
GD35PJY120F2S
НН: 2015699994
GD35PJY120F5S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss
GD35PJY120F5S
НН: 2015699995
GD35PIY120C5SNF, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss
GD35PIY120C5SNF
НН: 2015699996
GD35PIY120C5SN, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss
GD35PIY120C5SN
НН: 2015699997
BIP120035
BIP120035
НН: 2015752478
BIP120035V, 1200В 35A 3-фазный IGBT мост, =PSS25SA2FT
BIP120035V
НН: 2015804517
APMTI450HB17ED3M, IGBT модуль 1700В, 450A, корпус Econodual 3
APMTI450HB17ED3M
НН: 2016907087
Производитель
Макс.напр.к-э,В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
Структура модуля
Тип силового модуля
Максимальная частота модуляции,кГц
Входная емкость затвора,нФ
Мощность привода, кВт
Драйвер управления
Защита по току
Защита от короткого замыкания
Защита от перегрева
Защита от пониженного напряжения питания
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
Максимальный ток эмиттера, А
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
Напряжение эмиттер-коллектор,В
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс
Напряжение изоляции, В
Температурный диапазон,С
Серия
Наличие
Цена
MITSUBISHI
1200
-
35
3-фазный мост
Интеллектуальный DIP модуль
-
-
-
встроенный
-
есть
-
есть
-
-
-
-
-
6000
-
-
-
от 50 - 5518.56 руб.
шт
MITSUBISHI
1200
-
35
-
Интеллектуальный DIP модуль
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 50 - 8026.55 руб.
шт
MITSUBISHI
1200
-
35
-
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 50 - 6054.65 руб.
шт
YJ
1200
-
35
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 50 - 3066.19 руб.
шт
INFINEON
1200
-
35
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 15 - 2918.78 руб.
от 7 - 2918.78 руб.
от 4 - 2918.78 руб.
от 2 - 3016.79 руб.
от 1 - 3173.28 руб.
шт
YJ
1200
-
35
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 50 - 3286.84 руб.
шт
STARPOWER
1200
-
35
-
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
22 шт
от 30 - 1965.20 руб.
от 21 - 2033.47 руб.
от 12 - 2101.73 руб.
от 3 - 2170.00 руб.
от 1 - 2400.00 руб.
шт
STARPOWER
1200
-
35
-
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 20 - 10385.77 руб.
шт
STARPOWER
1200
-
35
-
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 20 - 10385.77 руб.
шт
STARPOWER
1200
-
35
-
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 20 - 10385.77 руб.
шт
STARPOWER
1200
-
35
-
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 20 - 10385.77 руб.
шт
STARPOWER
1200
-
35
-
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 20 - 10385.77 руб.
шт
BYD MICROELECTR
1200
-
35
-
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 1500 - 6299.57 руб.
шт
BYD MICROELECTR
1200
-
35
-
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 100 - 4852.37 руб.
шт
APEMIC
1200
-
35
-
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 5 - 8251.60 руб.
от 4 - 8371.53 руб.
от 3 - 8464.41 руб.
от 2 - 8540.22 руб.
от 1 - 8604.22 руб.
шт