| Производитель | | Макс.напр.к-э,В | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | | Номинальный ток одиночного тр-ра,А | | Структура модуля | | Тип силового модуля | | Максимальная частота модуляции,кГц | | Входная емкость затвора,нФ | | Мощность привода, кВт | | Драйвер управления | | Защита по току | | Защита от короткого замыкания | | Защита от перегрева | | Защита от пониженного напряжения питания | | Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | | Максимальный ток эмиттера, А | | Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | | Напряжение эмиттер-коллектор,В | | Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | | Напряжение изоляции, В | | Температурный диапазон,С | | Серия | | Наличие |
| Цена |
|
| | MITSUBISHI | | 650 | | - | | 100 | | полумост | | Сборка на IGBT транзисторах | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - |
| от 20 - 2947.31 руб. |
|
|
| | STARPOWER | | 650 | | - | | 100 | | - | | Сборка на IGBT транзисторах | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - |
| от 100 - 1179.60 руб. |
|
|
| | STARPOWER | | 650 | | - | | 100 | | - | | Сборка на IGBT транзисторах | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - |
| от 20 - 10279.34 руб. |
|
|
| | STARPOWER | | 650 | | - | | 100 | | - | | Сборка на IGBT транзисторах | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - |
| от 100 - 10279.34 руб. |
|
|
| | STARPOWER | | 650 | | - | | 100 | | - | | Сборка на IGBT транзисторах | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - |
| от 20 - 10279.34 руб. |
|
|
| | STARPOWER | | 650 | | - | | 100 | | - | | Сборка на IGBT транзисторах | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - |
| от 20 - 10279.34 руб. |
|
|
|
