| Производитель | | Макс.напр.к-э,В | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | | Номинальный ток одиночного тр-ра,А | | Структура модуля | | Тип силового модуля | | Максимальная частота модуляции,кГц | | Входная емкость затвора,нФ | | Мощность привода, кВт | | Драйвер управления | | Защита по току | | Защита от короткого замыкания | | Защита от перегрева | | Защита от пониженного напряжения питания | | Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | | Максимальный ток эмиттера, А | | Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | | Напряжение эмиттер-коллектор,В | | Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | | Напряжение изоляции, В | | Температурный диапазон,С | | Серия | | Наличие |
| Цена |
|
| | MITSUBISHI | | 1200 | | 2.9 | | 75 | | полумост | | Сборка на IGBT транзисторах | | 15 | | 11 | | - | | внешний | | нет | | нет | | нет | | нет | | 600 | | 150 | | 6 | | 3.2 | | 350 | | 2500 | | -40...150 | | - | | - |
| от 50 - 5991.58 руб. |
|
|
| | XINER | | 1200 | | - | | 75 | | полумост | | Сборка на IGBT транзисторах | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - |
| от 50 - 10728.64 руб. |
|
|
| | XINER | | 1200 | | - | | 75 | | полумост | | Сборка на IGBT транзисторах | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - |
| от 50 - 10728.64 руб. |
|
|
| | LEAPERS | | 1200 | | - | | 75 | | полумост | | SiC модуль | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - |
| от 20 - 14272.01 руб. |
|
|
|
