| Производитель | | Макс.напр.к-э,В | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | | Номинальный ток одиночного тр-ра,А | | Структура модуля | | Тип силового модуля | | Максимальная частота модуляции,кГц | | Входная емкость затвора,нФ | | Мощность привода, кВт | | Драйвер управления | | Защита по току | | Защита от короткого замыкания | | Защита от перегрева | | Защита от пониженного напряжения питания | | Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | | Максимальный ток эмиттера, А | | Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | | Напряжение эмиттер-коллектор,В | | Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | | Напряжение изоляции, В | | Температурный диапазон,С | | Серия | | Наличие |
| Цена |
|
| | MITSUBISHI | | 1700 | | 2.1 | | 2400 | | одиночный транзистор | | Сборка на IGBT транзисторах | | 15 | | 396 | | - | | внешний | | нет | | нет | | нет | | нет | | - | | 4800 | | - | | - | | - | | 4000 | | -40...150 | | - | | 4 шт |
от 20 - 172194.25 руб.
от 14 - 178129.50 руб.
от 8 - 184064.75 руб.
от 2 - 190000.00 руб.
от 1 - 234000.00 руб. |
|
|
| | MITSUBISHI | | 1700 | | 2.6 | | 2400 | | одиночный транзистор | | Сборка на IGBT транзисторах | | 15 | | 210 | | - | | внешний | | нет | | нет | | нет | | нет | | 17800 | | 4800 | | 5.5 | | 2.3 | | 1300 | | 4000 | | -40...150 | | - | | - |
| от 20 - 90977.39 руб. |
|
|
| | MITSUBISHI | | 1700 | | 2.15 | | 2400 | | одиночный транзистор | | Сборка на IGBT транзисторах | | 15 | | 352 | | - | | внешний | | нет | | нет | | нет | | нет | | 13100 | | 4800 | | 7 | | 2.6 | | 400 | | 4000 | | -40...150 | | - | | - |
| от 20 - 81517.00 руб. |
|
|
|
