Москва +7 (495) 125-15-24 shop@platan.ru | С.-Петербург +7 (812) 232-88-36 shop@platan.spb.ru

Близкие по характеристикам к CM800E4C-66H

вернуть все фильтры
Параметры товаров
CM75E3U-24H, IGBT модуль 1200В 75A 3 поколение U серия
CM75E3U-24H
НН: 609
CM800E4C-66H, IGBT модуль 1200В 75A
CM800E4C-66H
НН: 821131015
CM75E3U-24F, IGBT модуль RTC 1200В 75A 4 поколение F серия
CM75E3U-24F
НН: 849147007
Производитель
Макс.напр.к-э,В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
Структура модуля
Тип силового модуля
Максимальная частота модуляции,кГц
Входная емкость затвора,нФ
Мощность привода, кВт
Драйвер управления
Защита по току
Защита от короткого замыкания
Защита от перегрева
Защита от пониженного напряжения питания
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
Максимальный ток эмиттера, А
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
Напряжение эмиттер-коллектор,В
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс
Напряжение изоляции, В
Температурный диапазон,С
Серия
Наличие
Цена
MITSUBISHI
1200
2.9
75
чоппер с диодом
Сборка на IGBT транзисторах
15
11
-
внешний
нет
нет
нет
нет
600
150
6
3.2
200
2500
-40...150
-
-
от 70 - 5045.54 руб.
шт
MITSUBISHI
1200
-
75
чоппер с диодом
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
внешний
нет
нет
нет
нет
-
150
-
-
-
-
-40...150
-
-
от 20 - 102784.27 руб.
шт
MITSUBISHI
1200
1.8
75
чоппер с диодом
Сборка на IGBT транзисторах
20
29
-
внешний
нет
нет
нет
нет
450
150
6
3.2
50
2500
-40...150
-
-
от 50 - 4424.34 руб.
шт