SiR510DP-T1-RE3, МОП транзистор N-канал 100В (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 3.6мОм, 10В 3.4мОм, 7.5V
SiR570DP-T1-RE3, МОП транзистор N-канал 150В (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 7.9мОм, 10В 7мОм, 7.5V
SiR580DP-T1-RE3, МОП транзистор N-канал 80В (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 2.7мОм, 10В 2.55мОм, 7.5Vм
SiR626ADP-T1-RE3, МОП транзистор N-канал 60-V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 1.75мОм, 10В 2.4мОм, 7.5
SiR870BDP-T1-RE3, МОП транзистор N-канал 100-V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 6.1мОм, 10VмОм, 7.5V 7.
SiR876BDP-T1-RE3, МОП транзистор N-канал 100-V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 10.8мОм, 10V, 12.3мОм,
SIR878BDP-T1-RE3, МОП транзистор, N-канал 100В 42.5A 8-Pin PowerPAK SO
SiR880BDP-T1-RE3, МОП транзистор N-канал 80-V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 6.5мОм, 10V, 8мОм, 4.5V
SIR882DP-T1-GE3, полевой транзистор N канал 100В 17.6A 8-Pin PowerPAK SO
SiRA12DP-T1-GE3, полевой транзистор N канал 30В 25A 8-Pin
SIRA18ADP-T1-GE3, Транзистор, N канал 30В 30.6A 8-Pin Power
SIS110DN-T1-GE3, МОП транзистор, N-канал 100В 5.5A 8-Pin PowerPAK 1212
SiS176LDN-T1-GE3, МОП транзистор N-канал 70В (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8,мОм, 10V, 10.9мОм, 4.5V
SiS178LDN-T1-GE3, МОП транзистор N-канал 70В (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8, 9.5мОм, 10V, 13.5мОм, 4
SIS488DN-T1-GE3, МОП транзистор, N-канал, Si 40В 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP
SIS892ADN-T1-GE3, МОП транзистор, N-канал 100В 8A 8-Pin PowerPAK 1212
SISA04DN-T1-GE3, полевой транзистор N канал 30В 40A 8-Pin PowerPAK
SiSH536DN-T1-GE3, МОП транзистор N-канал 30В (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8, 3.25мОм, 10V, 4.6мОм, 4
SiSH892BDN-T1-GE3, МОП транзистор N-канал 100В (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8SH, 30.4мОм, 10V, 34.7мО
SiSS54DN-T1-GE3, МОП транзистор N-канал 30-V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S, 1.06мОм, 10V, 1.5мОм,
SiZ254DT-T1-GE3, МОП транзистор N-канал 70В (D-S) MOSFETs Symm. PowerPAIR 3 x 3, 16.1мОм, 10V, 20.9
SIZ256DT-T1-GE3, транзистор
SiZF906BDT-T1-GE3, МОП транзистор N-канал 30В (D-S) MOSFET with Schottky Diode PowerPAIR F 6 x 5 , 2
SiZF928DT-T1-GE3, Dual МОП транзистор N-канал 30В (D-S) MOSFET PowerPAIR F 6 x 5, 0.75мОм, 10V, 1.2
SPP04N60C3XKSA1, Транзистор N-канал 650В 4.5А TO-220FP
SPP12N50C3, Транзистор N канал 500В 11.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
SPP20N60C3, транзистор TO-220
SPW17N80C3, N-CH 800V 17A 290mOhm TO247-3
SPW35N60C3, Транзистор MOSFET N-канал 650В 34.6А TO-247
SPW47N60C3FKSA1, транзистор IGBT 650В 47А 70мОм TO247
SQ2310ES-T1_GE3, Транзистор MOSFET N канал 20В 6A 3-Pin SOT-23
SQ2398ES-T1_GE3, AEQC101 Qualified N канал 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQD25N06-22L_GE3, полевой транзистор N канал 60В 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK
SQD40052EL_GE3, МОП транзистор N-канал 40В (D-S) 175C MOSFET DPAK (TO-252), 6мОм, 10V, 7.8мОм, 4.5
SQD50N06-09L-GE3, Транзистор, N канал 60В 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
SQJ126EP-T1_GE3, МОП транзистор N-канал 30В (D-S) 175C MOSFET PowerPAK SO-8L BWL, 0.94мОм, 10V
SQJ152EP-T1_GE3, МОП транзистор N-канал 40В (D-S) 175C MOSFET PowerPAK SO-8L BWL, 5.1мОм, 10V
SQJ454EP-T1_GE3, полевой транзистор N канал 200В 13A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK
SQJQ140E-T1_GE3, МОП транзистор N-канал 40В (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 8 x 8L, 0.53мОм, 10V
SQJQ144AE-T1_GE3, МОП транзистор N-канал 40В (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 8 x 8L, 0.9мОм, 10VмОм, 7.
Для улучшения работы сайта и его взаимодействия с пользователями мы используем файлы cookie. Продолжая работу с сайтом, Вы разрешаете использование cookie-файлов. Вы всегда можете отключить файлы cookie в настройках Вашего браузера.