Москва +7 (495) 125-15-24 shop@platan.ru | С.-Петербург +7 (812) 232-88-36 shop@platan.spb.ru

Транзисторы N-канал , стр.6 2646

Сбросить все фильтры

Производитель  
































































































































Структура  









Uс-и максимальное ,В 
Iс-и максимальный ток ,А 
Uз-и максимальное ,В 




















































Uз-и максимальное ,В 
Pс-и максимальная мощность ,Вт 






















































































































































Крутизна S, А/В 




































































































































































































Особенности  
Корпус  
Код: 2015956815
RSF60R070W, Транзистор, N-канал, 600В, 45А [TO-247] аналог STW48NM60N
REASUNOS

RSF60R070W, Транзистор, N-канал, 600В, 45А [TO-247] аналог STW48NM60N

140 шт
шт.
Код: 2015956839 лучшая цена
RSM120040Z, N-канальный силовой МОП транзистор 1200 V,68 А (TO247-4  ) аналог C3M0040120K  ,IMZA120R
REASUNOS

RSM120040Z, N-канальный силовой МОП транзистор 1200 V,68 А (TO247-4 ) аналог C3M0040120K ,IMZA120R

445 шт
шт.
Код: 2015731913
RSM1701K0W, N-канал SiC транзистор 1700В 5A TO-247-3 (=H1M170F1KD, C2M1000170D)
REASUNOS

RSM1701K0W, N-канал SiC транзистор 1700В 5A TO-247-3 (=H1M170F1KD, C2M1000170D)

511 шт (в резерве 30)
шт.
Код: 2015707598
SI2300A, [SOT-23]; 20V 6A 25mR@4.5V,6A 1V@50?A N Channel MOSFETs ROHS;=FDN337N(ON);=SI2300DS(Vishay)
UMW

SI2300A, [SOT-23]; 20V 6A 25mR@4.5V,6A 1V@50?A N Channel MOSFETs ROHS;=FDN337N(ON);=SI2300DS(Vishay)

210 шт
шт.
Код: 2015850863
SI2304DDS-T1-GE3, транзистор, N-канал, 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Vishay

SI2304DDS-T1-GE3, транзистор, N-канал, 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

451 шт
шт.
Код: 2016542709
SI2308BDS-T1-GE3-VB, Транзистор  N-канал 60В 4А [SOT-23-3 / TO-236] аналог для SI2308BDS-T1-GE3
VBSEMI

SI2308BDS-T1-GE3-VB, Транзистор N-канал 60В 4А [SOT-23-3 / TO-236] аналог для SI2308BDS-T1-GE3

325 шт
шт.
Код: 2012016853
SI2312, N-канальный низковольтный MOSFET, 20В, 5А, 0.35Вт (SOT-23)
HOTTECH

SI2312, N-канальный низковольтный MOSFET, 20В, 5А, 0.35Вт (SOT-23)

1339 шт
шт.
Код: 838592503 лучшая цена
SI2318CDS-T1-GE3, Биполярный транзистор N-канал 40В 5.6А 3-Pin SOT-23
Vishay

SI2318CDS-T1-GE3, Биполярный транзистор N-канал 40В 5.6А 3-Pin SOT-23

3280 шт
шт.
Код: 2015556301
SI2318CDS-T1-GE3, транзистор, N канал 40В 5.6A 3-Pin SOT-23
Vishay

SI2318CDS-T1-GE3, транзистор, N канал 40В 5.6A 3-Pin SOT-23

24 шт
шт.
Код: 2015850738
SPP03N60C3, Транзистор N-канал 650В 3.2А TO-220FP
Infineon

SPP03N60C3, Транзистор N-канал 650В 3.2А TO-220FP

88 шт
шт.
Код: 410644519
SPP03N60S5, транзистор 600В Rds(on) 1.4om, 3.2A, ( BUZ90A) TO-220
Infineon

SPP03N60S5, транзистор 600В Rds(on) 1.4om, 3.2A, ( BUZ90A) TO-220

13920 шт
шт.
Код: 2015688654
SPW20N60S5FKSA1, транзистор N канал 600В 20А PG-TO247-3
Infineon

SPW20N60S5FKSA1, транзистор N канал 600В 20А PG-TO247-3

73 шт
шт.
Код: 2011905031
SPW47N60C3FKSA1, транзистор IGBT 600В 47А 70мОм TO247
Infineon

SPW47N60C3FKSA1, транзистор IGBT 600В 47А 70мОм TO247

206 шт
шт.
Код: 2016977165
SQJA64EP-T1_GE3, транзистор N-канал 60В 15А PowerPAK-SO-8L
Vishay

SQJA64EP-T1_GE3, транзистор N-канал 60В 15А PowerPAK-SO-8L

50 шт
шт.
Код: 2015834846
STD17NF25, транзистор N канал 30В 0.0032Ом 20A DPAK
STM

STD17NF25, транзистор N канал 30В 0.0032Ом 20A DPAK

5 шт
шт.
Код: 2015734268
VBA3638, 1 Dual N-Channel 60 V (D-S) 175  C MOSFET   аналог    SI4946BEY-T1,AO4826,NCE6005AS
VBSEMI

VBA3638, 1 Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET аналог SI4946BEY-T1,AO4826,NCE6005AS

1771 шт
шт.
Код: 2015711154
VBL165R04, N-Channel 650 V (D-S) MOSFET аналог  IRF720SPBF
VBSEMI

VBL165R04, N-Channel 650 V (D-S) MOSFET аналог IRF720SPBF

15 шт
шт.
Код: 2015711156
VBL165R18, N-Channel 650 V (D-S) MOSFET  аналог  IRF740ASPBF
VBSEMI

VBL165R18, N-Channel 650 V (D-S) MOSFET аналог IRF740ASPBF

124 шт
шт.
Код: 2015716340 лучшая цена
VBZMB20N65S, N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET аналог  RS65R190F , IPA60R180P7S, CRJF190N6
VBSEMI

VBZMB20N65S, N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET аналог RS65R190F , IPA60R180P7S, CRJF190N6

875 шт
шт.
Код: 2015904575
WMB080N10HG4, Транзистор полевой силовой MOSFET N канал 100В 85А PDFN5060-8L
WAYON

WMB080N10HG4, Транзистор полевой силовой MOSFET N канал 100В 85А PDFN5060-8L

2978 шт
шт.
Код: 2015903603
WMJ28N60C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 600V
WAYON

WMJ28N60C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 600V

1000 шт
шт.
Код: 2015903728
WMJ53N65C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 650V
WAYON

WMJ53N65C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 650V

600 шт
шт.
Код: 2015904175 лучшая цена
WMJ90R500S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 900V = IXFR18N90P
WAYON

WMJ90R500S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 900V = IXFR18N90P

4441 шт
шт.
Код: 2015904472
WMK040N08HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
WAYON

WMK040N08HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V

1000 шт
шт.
Код: 2015903954 лучшая цена
WMK05N80M3, Транзистор полевой N-канал SJ-MOS M3 800В TO220-3 = STP5N80K5 = IPP80R1K4P7XKSA1
WAYON

WMK05N80M3, Транзистор полевой N-канал SJ-MOS M3 800В TO220-3 = STP5N80K5 = IPP80R1K4P7XKSA1

485 шт
шт.
Код: 2015904004
WMK15N80M3, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS M3 800V  =  SIHP17N80E-GE3
WAYON

WMK15N80M3, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS M3 800V = SIHP17N80E-GE3

854 шт
шт.
Код: 2015903718 лучшая цена
WMK36N65C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 650V  =  NTPF190N65S3HF = IXTP20N65X2M
WAYON

WMK36N65C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 650V = NTPF190N65S3HF = IXTP20N65X2M

1234 шт
шт.
Код: 2015903588
WML15N60C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 600V
WAYON

WML15N60C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 600V

1000 шт
шт.
Код: 2015904628 лучшая цена
WMM340N20HG2, Транзистор полевой N канал 30В-250В D2PAK/TO263  = IXFA50N20X3
WAYON

WMM340N20HG2, Транзистор полевой N канал 30В-250В D2PAK/TO263 = IXFA50N20X3

4800 шт
шт.
Код: 2015904214 лучшая цена
WMO18N50C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 500V
WAYON

WMO18N50C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 500V

1039 шт
шт.
Код: 2015846920
WMQ30N03T2, полевой транзистор 30В PDFN8L3X3
WAYON

WMQ30N03T2, полевой транзистор 30В PDFN8L3X3

7164 шт
шт.
Код: 2013048847
YJD20N06A, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 20А, 28Вт [TO-252] = IRLR024N
YJ

YJD20N06A, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 20А, 28Вт [TO-252] = IRLR024N

2395 шт
шт.
Код: 2015808911 лучшая цена
YJD212080NCTG1, N-канальный усиленный силовой MOSFET транзистор из карбида кремния, 1200B, 38A, 220В
YJ

YJD212080NCTG1, N-канальный усиленный силовой MOSFET транзистор из карбида кремния, 1200B, 38A, 220В

328 шт
шт.
Код: 2015810027
YJD25GP06A, P-канальный MOSFET транзистор, -60В, -25А, 72Вт [TO-252] = IRLR9343PBF
YJ

YJD25GP06A, P-канальный MOSFET транзистор, -60В, -25А, 72Вт [TO-252] = IRLR9343PBF

6024 шт
шт.
Код: 2015727505
YJG175G06AR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 175А, 140Вт [PDFN5060-8L] = BSC
YJ

YJG175G06AR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 175А, 140Вт [PDFN5060-8L] = BSC

19 шт
шт.
Код: 2012172009 лучшая цена
YJL2304A, [SOT-23] MOSFET транзистор N-канальный 30В 3.6А = IRLML2803TRPBF
YJ

YJL2304A, [SOT-23] MOSFET транзистор N-канальный 30В 3.6А = IRLML2803TRPBF

77280 шт
шт.
Код: 2015810028
YJL2312AL, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 20В, 7.6А, 1.5Вт [SOT-23-3L] = IRLML25
YJ

YJL2312AL, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 20В, 7.6А, 1.5Вт [SOT-23-3L] = IRLML25

1195 шт
шт.
Код: 2012172008
YJL3400A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 30В, 5.6А [SOT-23] = IRLML6346
YJ

YJL3400A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 30В, 5.6А [SOT-23] = IRLML6346

15 шт
шт.
Код: 2015985935
1N60G, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус SOT223
YOUTAI

1N60G, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус SOT223

27648 шт 13 февраля
шт.