Силовые IGBTи SiC модули

MD29HTC120P6HE, SiC MOSFET
starpower 2015699926

под заказ

269000.00	/шт от 1 шт
251000.00	/шт от 10 шт

MD300HFC170C2S, SiC MOSFET Half Bridge
starpower 2015699889

под заказ

280.00	/шт от 1 шт
223.00	/шт от 2 шт

MD300HFR120C2S, SiC MOSFET Half Bridge
starpower 2015699890

под заказ

280.00	/шт от 1 шт
223.00	/шт от 2 шт

MD400HFR120C2S, SiC MOSFET Half Bridge
starpower 2015699891

под заказ

280.00	/шт от 1 шт
223.00	/шт от 2 шт

MG100HF12TFC1, IGBT модуль, 1200B, 100A, 441Вт (C1) =GD100HFF120C1S , SKM100GB12T4
YJ 2015806191

под заказ

4700.00	/шт от 1 шт
4170.00	/шт от 5 шт

MG100HF12TLC1, IGBT модуль, 1200B, 100A, 785Вт (C1) = SKM100GB12T4
YJ 2015698234

под заказ

4700.00	/шт от 1 шт
3710.00	/шт от 4 шт

MG100P12E2, IGBT модуль, 1200В, 100A (E2) = Infineon FP100R12KT4 = FUJI 7MBR100VN120-50
YJ 2015340950

под заказ

14800.00	/шт от 1 шт
11900.00	/шт от 2 шт

MG100TF12E2A, IGBT модуль, 1200В, 100А, 446Вт (E2A)
YJ 2015648691

под заказ

12100.00	/шт от 1 шт
9670.00	/шт от 2 шт

MG10P12E1, IGBT модуль, 1200В, 10А, 120Вт (E1)
YJ 2015670479

под заказ

4600.00	/шт от 1 шт
2630.00	/шт от 5 шт

MG10P12P2, IGBT модуль, 1200В, 10А, 140Вт (P2)
YJ 2015670470

под заказ

2900.00	/шт от 1 шт
1660.00	/шт от 5 шт

MG10P12P3, IGBT модуль, 1200В, 10А, 140Вт (P3)
YJ 2015670605

под заказ

3500.00	/шт от 1 шт
1970.00	/шт от 5 шт

MG150HF12LEC2, IGBT модуль, 1200В, 150А, 1136Вт [C2] = MG150HF12MRC2
YJ 2015650160

под заказ

14200.00	/шт от 1 шт
12700.00	/шт от 5 шт

MG150HF12MIC2, IGBT модуль, 1200В, 150А (C2) = SKM150GAL12T4 (Semikron)
YJ 2014889020

под заказ

6100.00	/шт от 1 шт
5680.00	/шт от 2 шт

MG150HF12TFC1, IGBT модуль, 1200В, 150А, 968Вт (С1)
YJ 2015801951

под заказ

6500.00	/шт от 1 шт
5160.00	/шт от 5 шт

MG150P12E2, IGBT модуль, 1200В, 150A (E2) = Infineon FP200R12KT4; = FUJI 7MBR150VN120-50
YJ 2015340951

под заказ

15700.00	/шт от 1 шт
13800.00	/шт от 2 шт

MG150TF12E2A, IGBT модуль, 1200В, 150А, 715Вт (E2A) = CM150TX-24S
YJ 2016107438

под заказ

13200.00	/шт от 1 шт
10600.00	/шт от 2 шт

MG15P12E1, IGBT модуль, 1200В, 15А, 142Вт (E1)
YJ 2015670608

под заказ

5000.00	/шт от 1 шт
2860.00	/шт от 5 шт

MG15P12P2, IGBT модуль, 1200В, 15А, 155Вт (P2)
YJ 2015670606

под заказ

3300.00	/шт от 1 шт
1850.00	/шт от 5 шт

MG15P12P3, IGBT модуль, 1200В, 15А, 155Вт (P3)
YJ 2015670609

под заказ

3800.00	/шт от 1 шт
2140.00	/шт от 5 шт

MG200HF12LEC2, IGBT модуль, 1200В, 200А, 1358Вт [C2]
YJ 2015713875

под заказ

9700.00	/шт от 1 шт
7740.00	/шт от 5 шт

MG200HF12MIC2, IGBT модуль 200А 1200В
YJ 2014765326

под заказ

6500.00	/шт от 1 шт
6110.00	/шт от 2 шт

MG200HF12TFC2, IGBT модуль, 1200B, 200A, 1250Вт (C2) = GD200HFF120C2S , SKM200GB12T4
YJ 2015932349

под заказ

6900.00	/шт от 1 шт
5490.00	/шт от 10 шт

MG200HF12TLC2, IGBT модуль, 1200В, 200А, 1250Вт [C2]
YJ 2015932342

под заказ

6900.00	/шт от 1 шт
5490.00	/шт от 1 шт

MG2512E1A, IGBT модуль
YJ 2015670612

под заказ

6100.00	/шт от 1 шт
3450.00	/шт от 5 шт

MG25P12E1, IGBT модуль, 1200В, 25А, 166Вт (E1)
YJ 2015670610

под заказ

4600.00	/шт от 1 шт
3610.00	/шт от 4 шт

MG25P12P3, IGBT модуль,1200В, 25A, 175Вт (P3) = Infineon FP25R12W2T4 = FUJI 7MBR25VKD120-50
YJ 2015340953

под заказ

3200.00	/шт от 1 шт
2760.00	/шт от 2 шт

MG300HF12MRC2, Выпрямительный диодный модуль 1800В 300А [D3]
YJ 2012931895

под заказ

8600.00	/шт от 1 шт
7260.00	/шт от 2 шт

MG3512E1A, IGBT модуль
YJ 2015670615

под заказ

6900.00	/шт от 1 шт
3940.00	/шт от 5 шт

MG35P12P3, IGBT модуль, 1200В, 35A, 215Вт (P3) = FP35R12W2T4 (Infineon) = 7MBR35VKD120-50 (FUJI)
YJ 2015340954

под заказ

4900.00	/шт от 1 шт
3870.00	/шт от 5 шт

MG400HF12TLC2, IGBT модуль, 1200В, 450А [C2] = MG400HF12MIC2
YJ 2015650173

под заказ

21200.00	/шт от 1 шт
19100.00	/шт от 5 шт

MG40HF12LEC1, IGBT модуль, 1200В, 40А, 312Вт (C1)
YJ 2015340955

под заказ

1700.00	/шт от 1 шт
1450.00	/шт от 2 шт

MG40P12E1, IGBT модуль, 1200В, 40A, 227Вт (E1) = Infineon FP40R12KT3/E3 = FUJI 7MBR35VA120-50
YJ 2015340956

под заказ

5200.00	/шт от 1 шт
4120.00	/шт от 4 шт

MG450HF12LVC2, IGBT модуль, 1200В, 450A (C2) = Infineon FF450R12KT4 = FUJI 2MBI450VH-120-50
YJ 2015340957

под заказ

11500.00	/шт от 1 шт
10100.00	/шт от 2 шт

MG450HF12TLC2, IGBT модуль, 1200В, 450А, 2307Вт [C2] = FF400R12KE4 = GD450HFY120C2S
YJ 2015693978

под заказ

21000.00	/шт от 1 шт
12000.00	/шт от 2 шт

MG450HF12TLE3, IGBT модуль, 1200В, 450A (E3) = GD450HFY120C6S
YJ 2016413917

под заказ

13600.00	/шт от 1 шт
10900.00	/шт от 2 шт

MG50HF12LEC1, IGBT модуль, 1200В, 50A, 400Вт (C1) = Infineon FF50R12RT4 = FUJI 2MBI50VA-120-50
YJ 2015340958

под заказ

2100.00	/шт от 1 шт
1820.00	/шт от 2 шт

MG50HF12MIC1, =SKM50GB12T4 Semikron диодный модуль
YJ 2012930345

под заказ

3900.00	/шт от 1 шт
3250.00	/шт от 2 шт

MG50P12E1A, IGBT модуль, 1200В, 50A, 288Вт (E1A) = Infineon FP50R12KT4 = FUJI 7MBR50VM120-50 = GD50F
YJ 2015340959

под заказ

5900.00	/шт от 1 шт
5140.00	/шт от 2 шт

MG50P12E2, IGBT модуль, 1200В, 50A, 288Вт (E2) = Infineon FP50R12KT4G; = FUJI 7MBR50VN120-50
YJ 2015340960

под заказ

6700.00	/шт от 1 шт
5880.00	/шт от 2 шт

MG50P12E2A, IGBT модуль, 1200В, 50A, 288Вт (E2) = Infineon FP50R12KT3/E3 = FUJI 7MBR50VB120-50
YJ 2015340961

под заказ

7100.00	/шт от 1 шт
5670.00	/шт от 2 шт

Производитель
ABB BYD MICROELECTR CRRC FUJITSU HITACHI HUAJING INFINEON IXYS LEAPERS LGE MITSUBISHI ONS SEMIKRON SHYSEMI STARPOWER STM TAIXIN TECHSEM VISHAY WXDH ELECTRONIC XINER YJ ZHM SEMI РОССИЯ
Макс.напр.к-э,В
25 75 100 150 200 220 250 350 600 650 750 1200 1350 1400 1500 1700 1800 2500 3300 4500 6500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
1.2 1.5 1.55 1.6 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 2 2.1 2.15 2.2 2.35 2.4 2.5 2.6 2.65 2.7 2.75 2.8 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.6 3.8 4.4 5 5.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
0.015 0.1 0.35 0.5 0.7 1.5 1.75 2 3 4 5 5.7 6 7.2 8 8.7 8.8 10 11 12 13 15 20 24 25 27 30 35 40 48 50 60 70 75 80 100 105 110 120 130 140 150 160 165 195 200 220 225 250 260 300 350 400 450 500 600 650 660 700 750 800 820 900 950 1000 1200 1400 1600 1700 1800 2400 3600
Структура модуля
2 транзистора+2 диода 3-ф.выпр-ль+3ф мост 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом 3-фазный мост 3-фазный мост+тормозной транзистор Boost Dual Boost H-мост одиночный транзистор полумост чоппер с диодом
Тип силового модуля
CIB интеллектуальный модуль SiC модуль Интеллектуальный DIP модуль Интеллектуальный DIP модуль с ККМ Интеллектуальный модуль IPM Сборка на IGBT транзисторах сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц
1.6 5 10 15 20 25 30 40 60 100
Мощность привода, кВт
0.1 0.2 0.4 0.75 1.5 2 2.2 3 3.7 5.24 7 7.5 11 15 17.5 20 22 30 37 50 55 70 75
Драйвер управления

Защита по току
есть нет
Защита от короткого замыкания
есть нет
Защита от перегрева
есть нет
Защита от пониженного напряжения питания
есть нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
21.3 23 36 38.3 39 43 50 51.2 56.8 63 100 131 138 250 255 284 290 320 328 338 350 390 400 416 430 450 455 480 500 520 540 541 560 590 595 600 620 650 668 672 730 735 780 781 830 890 960 1040 1041 1100 1130 1160 1260 1340 1470 1500 1550 1560 1562 1600 1785 1860 1890 1950 1980 2010 2080 2100 2350 2500 2710 2800 2900 3000 3400 3670 3780 3900 4100 4300 4800 5800 6250 6500 6700 6900 8900 9200 10000 10400 12500 13100 13800 14700 15600 17800
Максимальный ток эмиттера, А
10 11 20 22 26 30 40 48 50 60 100 140 150 200 220 300 330 400 450 600 700 800 900 1000 1200 1600 1800 2000 2400 2800 3200 3600 4800
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
4 5.5 6 6.5 7 20
Напряжение эмиттер-коллектор,В
1.2 1.63 1.66 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 1.98 2 2.1 2.25 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.85 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.4 4 4.6 5
Напряжение изоляции, В
1500 2500 3500 4000 4500 5000 6000 10200
Температурный диапазон,С

Серия
HPD

Силовые IGBTи SiC модули 1151

Силовые IGBTи SiC модули ₁₁₅₁