Силовые IGBTи SiC модули

GD150HFU120C2S
Starpower 2015901349

документация

3 шт 5 раб. дней

7986.34	/шт от 1 шт
7610.08	/шт от 2 шт

GD200HFU120C2S
Starpower 2015901337

документация

3 шт 5 раб. дней

9195.01	/шт от 1 шт
8767.49	/шт от 2 шт

GD200HFX170C2S
Starpower 2015901343

документация

2 шт 5 раб. дней

10628.82	/шт от 1 шт
10451.08	/шт от 2 шт

GD200HFX65C2S
Starpower 2015901340

документация

4 шт 5 раб. дней

7013.22	/шт от 1 шт
6678.70	/шт от 2 шт

GD200HFY120C2S
Starpower 2015901342

документация

2 шт 5 раб. дней

8020.99	/шт от 1 шт
7862.42	/шт от 2 шт

GD25FFK120C5SP
Starpower 2016020877

4 шт 5 раб. дней

5558.12	/шт от 1 шт
5426.26	/шт от 2 шт

GD300HFU120C2S
Starpower 2015901345

документация

2 шт 5 раб. дней

10622.74	/шт от 1 шт
10445.05	/шт от 2 шт

GD300HFX170C2S
Starpower 2015891489

документация

2 шт 5 раб. дней

12190.05	/шт от 1 шт
12001.50	/шт от 2 шт

GD300HFX170C6S
Starpower 2015901335

документация

2 шт 5 раб. дней

14839.21	/шт от 1 шт
14178.62	/шт от 2 шт

GD300HFY120C2S
Starpower 2016020875

12 шт 5 раб. дней

12086.15	/шт от 1 шт
11538.13	/шт от 2 шт

GD300HFY120C6S
Starpower 2015901327

документация

2 шт 5 раб. дней

11658.20	/шт от 1 шт
11473.15	/шт от 2 шт

GD400HFU120C2S
Starpower 2016020881

2 шт 5 раб. дней

11472.92	/шт от 1 шт
11289.14	/шт от 2 шт

GD400HFX170C2S
Starpower 2015901341

документация

12 шт 5 раб. дней

13618.18	/шт от 1 шт
13007.30	/шт от 2 шт

GD400HFY120C2S
Starpower 2015971511

8 шт 5 раб. дней

11670.25	/шт от 1 шт
11139.40	/шт от 2 шт

GD450HFX170C6S
Starpower 2015901325

документация

2 шт 5 раб. дней

17713.72	/шт от 1 шт
17497.30	/шт от 2 шт

GD450HFY120C2S
Starpower 2015901338

документация

1 шт 5 раб. дней

12771.99	/шт от 1 шт
12579.79	/шт от 2 шт

GD50PIY120C6S
Starpower 2015901347

документация

9 шт 5 раб. дней

8759.59	/шт от 1 шт
8350.47	/шт от 2 шт

GD600HFX170C6S
Starpower 2015901326

документация

2 шт 5 раб. дней

25764.42	/шт от 1 шт
25527.76	/шт от 2 шт

GD600HFY120C2S
Starpower 2016020876

2 шт 5 раб. дней

16369.87	/шт от 1 шт
16158.96	/шт от 2 шт

GD600HFY120C6S
Starpower 2015901328

документация

2 шт 5 раб. дней

19814.77	/шт от 1 шт
18954.78	/шт от 2 шт

GD75PIY120C6S
Starpower 2016542478

10 шт 5 раб. дней

7777.49	/шт от 1 шт
7410.15	/шт от 2 шт

HF300H170
HUAJING 2015956732

документация

5 шт 5 раб. дней

12415.32	/шт от 1 шт
12224.11	/шт от 2 шт

HFGM100A 1200V
HUAJING 2015956749

документация

5 шт 5 раб. дней

3793.03	/шт от 1 шт
3600.60	/шт от 2 шт

HFGM150D12AV1
HUAJING 2015956748

документация

7 шт 5 раб. дней

5819.47	/шт от 1 шт
5536.56	/шт от 2 шт

HFGM195A 600V
HUAJING 2015956752

документация

8 шт 5 раб. дней

4077.05	/шт от 1 шт
3871.72	/шт от 2 шт

HFGM200A 1200V
HUAJING 2015956751

документация

8 шт 5 раб. дней

6337.11	/шт от 1 шт
6031.58	/шт от 2 шт

HFGM300A 1200V
HUAJING 2015956747

документация

7 шт 5 раб. дней

8581.94	/шт от 1 шт
8179.94	/шт от 2 шт

HFGM450A 1200V
HUAJING 2015956750

документация

10 шт 5 раб. дней

9979.49	/шт от 1 шт
9518.54	/шт от 2 шт

IGCM06F60GAXKMA1
Infineon 2015945021

9 шт 5 раб. дней

767.50	/шт от 1 шт
722.92	/шт от 7 шт

MG150HF12TLC1
YJ 2016859921

документация

20 шт 5 раб. дней

5762.65	/шт от 1 шт
5482.79	/шт от 2 шт

MGC50D12A1-251H3
TechSem 2015155867

документация

2 шт 5 раб. дней

4427.32	/шт от 1 шт
4381.60	/шт от 2 шт

MGC75D12A1-251H3
TechSem 2015155868

документация

3 шт 5 раб. дней

3358.43	/шт от 1 шт
3322.74	/шт от 2 шт

SKIIP23NAB126V1 [SKIIP23NAB126V1+StdLid], Модуль IGBT (3-фазный диодный мост + brake chopper + 3-фаз
Semikron 2015154411

1-2 недели (20шт)

19500.00	/шт от 1 шт
19200.00	/шт от 2 шт

SKIIP23NAB126V1, MiniSKiiPR 3
SEMIKRON 2012870201

документация

40 шт 5 раб. дней

8238.99	/шт от 1 шт
7851.58	/шт от 2 шт

SKIIP23NAB12T4V1, MiniSKiiPR 3
SEMIKRON 2015706307

документация

28 шт 5 раб. дней

7307.65	/шт от 1 шт
6960.10	/шт от 2 шт

SKIIP35NAB126V1 Standard Lid, Модуль IGBT (3-фазный диодный мост + brake chopper + 3-фазный мостовой
Semikron 2015566091

1-2 недели (10шт)

30600.00	/шт от 1 шт
30100.00	/шт от 2 шт

SKIIP35NAB12T4V1, MiniSKiiPR 3
SEMIKRON 2015706309

документация

31 шт 5 раб. дней

9376.89	/шт от 1 шт
8964.33	/шт от 2 шт

SKM100GB125DN, SEMITRANSR 2N (Case D93)
SEMIKRON 2014945273

документация

24 шт 5 раб. дней

10190.33	/шт от 1 шт
9860.28	/шт от 2 шт

SKM100GB125DN, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [D-93]
Semikron 2015498198

1-2 недели (30шт)

25900.00	/шт от 1 шт
25400.00	/шт от 2 шт

SKM100GB12T4, SEMITRANSR 2
SEMIKRON 2011040849

документация

24 шт 5 раб. дней

5603.00	/шт от 1 шт
5343.55	/шт от 2 шт

Производитель
ABB BYD MICROELECTR CRRC FUJITSU HITACHI HUAJING INFINEON IXYS LEAPERS LGE MITSUBISHI ONS SEMIKRON SHYSEMI STARPOWER STM TAIXIN TECHSEM VISHAY WXDH ELECTRONIC XINER YJ ZHM SEMI РОССИЯ
Макс.напр.к-э,В
25 75 100 150 200 220 250 350 600 650 750 1200 1350 1400 1500 1700 1800 2500 3300 4500 6500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
1.2 1.5 1.55 1.6 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 2 2.1 2.15 2.2 2.35 2.4 2.5 2.6 2.65 2.7 2.75 2.8 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.6 3.8 4.4 5 5.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
0.015 0.1 0.35 0.5 0.7 1.5 1.75 2 3 4 5 5.7 6 7.2 8 8.7 8.8 10 11 12 13 15 20 24 25 27 30 35 40 48 50 60 70 75 80 100 105 110 120 130 140 150 160 165 195 200 220 225 250 260 300 350 400 450 500 600 650 660 700 750 800 820 900 950 1000 1200 1400 1600 1700 1800 2400 3600
Структура модуля
2 транзистора+2 диода 3-ф.выпр-ль+3ф мост 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом 3-фазный мост 3-фазный мост+тормозной транзистор Boost Dual Boost H-мост одиночный транзистор полумост чоппер с диодом
Тип силового модуля
CIB интеллектуальный модуль SiC модуль Интеллектуальный DIP модуль Интеллектуальный DIP модуль с ККМ Интеллектуальный модуль IPM Сборка на IGBT транзисторах сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц
1.6 5 10 15 20 25 30 40 60 100
Мощность привода, кВт
0.1 0.2 0.4 0.75 1.5 2 2.2 3 3.7 5.24 7 7.5 11 15 17.5 20 22 30 37 50 55 70 75
Драйвер управления

Защита по току
есть нет
Защита от короткого замыкания
есть нет
Защита от перегрева
есть нет
Защита от пониженного напряжения питания
есть нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
21.3 23 36 38.3 39 43 50 51.2 56.8 63 100 131 138 250 255 284 290 320 328 338 350 390 400 416 430 450 455 480 500 520 540 541 560 590 595 600 620 650 668 672 730 735 780 781 830 890 960 1040 1041 1100 1130 1160 1260 1340 1470 1500 1550 1560 1562 1600 1785 1860 1890 1950 1980 2010 2080 2100 2350 2500 2710 2800 2900 3000 3400 3670 3780 3900 4100 4300 4800 5800 6250 6500 6700 6900 8900 9200 10000 10400 12500 13100 13800 14700 15600 17800
Максимальный ток эмиттера, А
10 11 20 22 26 30 40 48 50 60 100 140 150 200 220 300 330 400 450 600 700 800 900 1000 1200 1600 1800 2000 2400 2800 3200 3600 4800
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
4 5.5 6 6.5 7 20
Напряжение эмиттер-коллектор,В
1.2 1.63 1.66 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 1.98 2 2.1 2.25 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.85 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.4 4 4.6 5
Напряжение изоляции, В
1500 2500 3500 4000 4500 5000 6000 10200
Температурный диапазон,С

Серия
HPD

Силовые IGBTи SiC модули 1151

Силовые IGBTи SiC модули ₁₁₅₁