Силовые IGBTи SiC модули

MG600HF17TLE3, IGBT модуль, 1700В, 600A, = GD600HFX170C6S
YJ 2016857239

под заказ

23800.00	/шт от 1 шт
19000.00	/шт от 5 шт

PM25RL1A120#300G, IGBT модуль 350G 7 IGBT 1200В 25A 5 поколение L1 серия
Mitsubishi 2015350573

документация

под заказ (в резерве 1)

8500.00	/шт от 1 шт
8070.00	/шт от 2 шт

PSS05SA2FT, DIPIPM Ver. 6, Large DIP модуль
Mitsubishi 2012118993

под заказ

2700.00	/шт от 1 шт
2510.00	/шт от 2 шт

PSS25S73FT, Модуль 1200В 25А DIPIPM
Mitsubishi 2016389121

под заказ

10000.00	/шт от 1 шт
9060.00	/шт от 2 шт

PSS25SA2FT, DIPIPM Ver. 6, Large DIP
Mitsubishi 2012929570

под заказ

13100.00	/шт от 1 шт
10900.00	/шт от 100 шт

SYMFF600R12F2G4, IGBT модуль, 1200В, 600А, 3330Вт
SHYsemi 2016852540

под заказ

19500.00	/шт от 1 шт
15600.00	/шт от 2 шт

SYMT1200DSD170T3H, IGBT модуль, 1700В, 1200А, 6265Вт
SHYsemi 2016852541

под заказ

74300.00	/шт от 1 шт
59500.00	/шт от 2 шт

YMIBD1200-17, IGBT модуль 1700В 1200A
CRRC 2016020817

под заказ

104000.00	/шт от 1 шт
86700.00	/шт от 10 шт

5SNG1000X170300, 1700V 2 x 1000A
ABB 2015912563

под заказ

96100.00	/шт от 1 шт
87400.00	/шт от 30 шт

7MBR10SA120, модуль 7 IGBT 1200В 10A S серия
FUJITSU 129459517

под заказ

15600.00	/шт от 1 шт
14900.00	/шт от 4 шт

BIP120035
BYD Microelectr 2015752478

под заказ

8000.00	/шт от 1 шт
7320.00	/шт от 150 шт

CM1000DU-34NF#301, IGBT модуль 1700В 1000A
Mitsubishi 2012118654

под заказ

49400.00	/шт от 1 шт
48200.00	/шт от 2 шт

CM1000DUC-34NF, модуль 2 IGBT 1700В 1000A 5 поколение NF серия
Mitsubishi 739990212

под заказ

82900.00	/шт от 1 шт
81300.00	/шт от 2 шт

CM1000DUC-34SA, модуль 2 IGBT 1700В 1000A 6 поколение, замена CM1000DU-34NF
Mitsubishi 513702377

под заказ

66600.00	/шт от 1 шт
60500.00	/шт от 2 шт

CM1000E3U-34NF, IGBT модуль 1700В 1000A 5 поколение NF серия
Mitsubishi 686941129

под заказ

95900.00	/шт от 1 шт
83400.00	/шт от 2 шт

CM1000HA-24H, модуль 1 IGBT 1200В 1000A 3 поколение H серия
Mitsubishi 1911682

под заказ

68300.00	/шт от 1 шт
59400.00	/шт от 3 шт

CM1000HC-66R, IGBT модуль
Mitsubishi 2015054918

под заказ

136000.00	/шт от 1 шт
131000.00	/шт от 2 шт

CM1000HC-66R, IGBT модуль
Mitsubishi 2015054917

под заказ

121000.00	/шт от 1 шт
111000.00	/шт от 2 шт

CM100DU-12F, модуль 2 IGBT RTC 600В 100A 4 поколение F серия
Mitsubishi 596758934

под заказ

7300.00	/шт от 1 шт
6820.00	/шт от 5 шт

CM100DU-12H, модуль 2 IGBT 600В 100A 3 поколение U серия
Mitsubishi 900082399

под заказ

7300.00	/шт от 1 шт
6270.00	/шт от 5 шт

CM100DU-24H, модуль 2 IGBT 1200В 100A 3 поколение U серия
Mitsubishi 972741560

под заказ

9000.00	/шт от 1 шт
7750.00	/шт от 5 шт

CM100DU-24NFH, модуль 2 IGBT 1200В 100А NFH серия
Mitsubishi 654774620

под заказ

10200.00	/шт от 1 шт
8420.00	/шт от 2 шт

CM100DU-34KA, модуль 2 IGBT 1700В 100A KA серия
Mitsubishi 808038575

под заказ

10600.00	/шт от 1 шт
9850.00	/шт от 2 шт

CM100DUS-12F, модуль 2 IGBT 600В 100A 50кГц NFH серия
Mitsubishi 203161717

под заказ

6100.00	/шт от 1 шт
5720.00	/шт от 2 шт

CM100DY-13T, IGBT модуль T серия STD типа 650В 100А, pin to pin замена CM100DY-12H
Mitsubishi 2014432829

под заказ

3400.00	/шт от 1 шт
3290.00	/шт от 2 шт

CM100DY-24A, модуль 2 IGBT 1200В 100A 5 поколение A серия, замена CM100DU-24F
Mitsubishi 501602221

под заказ

7900.00	/шт от 1 шт
7320.00	/шт от 2 шт

CM100DY-24NF, модуль 2 IGBT 1200В 100A 5 поколение NF серия (замена CM100DY-24A)
Mitsubishi 113620410

под заказ

9700.00	/шт от 1 шт
8020.00	/шт от 2 шт

CM100DY-24T#300G, модуль IGBT T-Series STD-Type 1200V
Mitsubishi 2012123693

под заказ

5300.00	/шт от 1 шт
4580.00	/шт от 2 шт

CM100DY-28H, модуль 2 IGBT 1400В 100A 3 поколение H серия
Mitsubishi 236579485

под заказ

11800.00	/шт от 1 шт
11100.00	/шт от 5 шт

CM100DY-34T, IGBT модуль T серии стандартного типа 1700В
Mitsubishi 2012026209

под заказ

3200.00	/шт от 1 шт
2970.00	/шт от 2 шт

CM100E3U-12F, IGBT модуль RTC 600В 100A 4 поколение F серия
Mitsubishi 75777459

под заказ

7900.00	/шт от 1 шт
6830.00	/шт от 7 шт

CM100E3U-12H, IGBT модуль 600В 100A 3 поколение U серия
Mitsubishi 917251089

под заказ

6200.00	/шт от 1 шт
5350.00	/шт от 7 шт

CM100E3U-24F, IGBT модуль RTC 1200В 100A 4 поколение F серия
Mitsubishi 1556443

под заказ

9900.00	/шт от 1 шт
9460.00	/шт от 5 шт

CM100E3U-24H, IGBT модуль 1200В 100A 3 поколение U серия
Mitsubishi 58040

под заказ

7900.00	/шт от 1 шт
6830.00	/шт от 5 шт

CM100MX-12A, IGBT модуль 3 100A 600В NX5
Mitsubishi 35798212

под заказ

17600.00	/шт от 1 шт
15300.00	/шт от 5 шт

CM100RL-12NF, модуль 7 IGBT 600В 100A 5 поколение NF серия
Mitsubishi 35584582

под заказ

16400.00	/шт от 1 шт
14200.00	/шт от 5 шт

CM100RL-24NF, модуль 7 IGBT 1200В 100A 5 поколение NF серия
Mitsubishi 714377269

под заказ

23000.00	/шт от 1 шт
20000.00	/шт от 4 шт

CM100RX-24S, модуль 7 IGBT 100A 1200В NX6
Mitsubishi 141422773

под заказ

8200.00	/шт от 1 шт
7440.00	/шт от 3 шт

CM100TF-24H, модуль 6 IGBT 1200В 100A 3 поколение H серия
Mitsubishi 857836330

под заказ

28400.00	/шт от 1 шт
24700.00	/шт от 3 шт

CM100TF-28H, модуль 6 IGBT 1400В 100A 3 поколение H серия
Mitsubishi 315591906

под заказ

33800.00	/шт от 1 шт
29400.00	/шт от 4 шт

Производитель
ABB BYD MICROELECTR CRRC FUJITSU HITACHI HUAJING INFINEON IXYS LEAPERS LGE MITSUBISHI ONS SEMIKRON SHYSEMI STARPOWER STM TAIXIN TECHSEM VISHAY WXDH ELECTRONIC XINER YJ ZHM SEMI РОССИЯ
Макс.напр.к-э,В
25 75 100 150 200 220 250 350 600 650 750 1200 1350 1400 1500 1700 1800 2500 3300 4500 6500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
1.2 1.5 1.55 1.6 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 2 2.1 2.15 2.2 2.35 2.4 2.5 2.6 2.65 2.7 2.75 2.8 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.6 3.8 4.4 5 5.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
0.015 0.1 0.35 0.5 0.7 1.5 1.75 2 3 4 5 5.7 6 7.2 8 8.7 8.8 10 11 12 13 15 20 24 25 27 30 35 40 48 50 60 70 75 80 100 105 110 120 130 140 150 160 165 195 200 220 225 250 260 300 350 400 450 500 600 650 660 700 750 800 820 900 950 1000 1200 1400 1600 1700 1800 2400 3600
Структура модуля
2 транзистора+2 диода 3-ф.выпр-ль+3ф мост 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом 3-фазный мост 3-фазный мост+тормозной транзистор Boost Dual Boost H-мост одиночный транзистор полумост чоппер с диодом
Тип силового модуля
CIB интеллектуальный модуль SiC модуль Интеллектуальный DIP модуль Интеллектуальный DIP модуль с ККМ Интеллектуальный модуль IPM Сборка на IGBT транзисторах сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц
1.6 5 10 15 20 25 30 40 60 100
Мощность привода, кВт
0.1 0.2 0.4 0.75 1.5 2 2.2 3 3.7 5.24 7 7.5 11 15 17.5 20 22 30 37 50 55 70 75
Драйвер управления

Защита по току
есть нет
Защита от короткого замыкания
есть нет
Защита от перегрева
есть нет
Защита от пониженного напряжения питания
есть нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
21.3 23 36 38.3 39 43 50 51.2 56.8 63 100 131 138 250 255 284 290 320 328 338 350 390 400 416 430 450 455 480 500 520 540 541 560 590 595 600 620 650 668 672 730 735 780 781 830 890 960 1040 1041 1100 1130 1160 1260 1340 1470 1500 1550 1560 1562 1600 1785 1860 1890 1950 1980 2010 2080 2100 2350 2500 2710 2800 2900 3000 3400 3670 3780 3900 4100 4300 4800 5800 6250 6500 6700 6900 8900 9200 10000 10400 12500 13100 13800 14700 15600 17800
Максимальный ток эмиттера, А
10 11 20 22 26 30 40 48 50 60 100 140 150 200 220 300 330 400 450 600 700 800 900 1000 1200 1600 1800 2000 2400 2800 3200 3600 4800
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
4 5.5 6 6.5 7 20
Напряжение эмиттер-коллектор,В
1.2 1.63 1.66 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 1.98 2 2.1 2.25 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.85 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.4 4 4.6 5
Напряжение изоляции, В
1500 2500 3500 4000 4500 5000 6000 10200
Температурный диапазон,С

Серия
HPD

Силовые IGBTи SiC модули 1151

Силовые IGBTи SiC модули ₁₁₅₁