Силовые IGBT и SIC модули Infineon, Mitsubishi, Leapers, Starpower купить для частотных преобразователей, характеристики

Код: 2016019944

DFI75PM12P4D1, IGBT модуль, 75 A 1200 V P4 Full Bridge

20 шт

6100.00	/шт от 1 шт
5810.00	/шт от 8 шт

Код: 2015912575

Leapers

DFS02FB12HDB1, SiC модуль 1200В 800A 3-фазный HPD SIC

1 шт

340000.00	/шт от 1 шт
302000.00	/шт от 2 шт

Код: 2015912582

Leapers

DFS04HF12EZC1, SiC модуль 1200В 200A полумост E2

3 шт

17600.00	/шт от 1 шт
16400.00	/шт от 2 шт

Код: 2015912611

Leapers

DFS05HF12EYR1, SiC модуль 1200В 150A полумост E0

3 шт

22700.00	/шт от 1 шт
20900.00	/шт от 2 шт

Код: 2015912613

Leapers

DFS26HH12EYQ1, SiC модуль 1200В 75A H-Bridge E0

3 шт

16400.00	/шт от 1 шт
14900.00	/шт от 2 шт

Код: 2015912614

Leapers

DFS36FB12EYQ1, SiC модуль 1200В 25A 3-фазный E0

2 шт

10000.00	/шт от 1 шт
8680.00	/шт от 2 шт

Код: 2015912592

Leapers

DFS600HF17I3C2, SiC модуль 1700V 600A полумост ED3S

3 шт

164000.00	/шт от 1 шт
151000.00	/шт от 2 шт

Код: 2015912589

Leapers

DFS800HF12I5W3, SiC модуль 1200В 800A полумост ED3H

3 шт

85500.00	/шт от 1 шт
79200.00	/шт от 2 шт

Код: 2015700088

starpower

GD100HFX170C1S, IGBTмодуль, Low Loss, замена для SKM100GB17E4, аналог CM100DY-34A, SKM145GB176D

29 шт

5100.00	/шт от 1 шт
4400.00	/шт от 5 шт

Код: 2015700075

starpower

GD100HFY120C1S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss, 1200 V, аналог для CM100DY-24T

20 шт

3900.00	/шт от 1 шт
3580.00	/шт от 4 шт

Код: 2015699933

starpower

GD1200SGX170A3S, Trench FS IGBT модуль, Low Loss, 1700V

1 шт

96900.00	/шт от 1 шт
89100.00	/шт от 4 шт

Код: 2015924053

starpower

GD150HFL120C8S, IGBT , Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 1071

3 шт

7600.00	/шт от 1 шт
6480.00	/шт от 4 шт

Код: 2015690709 лучшая цена

starpower

GD150HFY120C6S, Силовой модуль, 1200В 150A, аналог CM150DX-24S

20 шт

6600.00	/шт от 1 шт
6150.00	/шт от 4 шт

Код: 2015695098

starpower

GD2400SGX170A4S, IGBT - Модуль, 1700V, 2400A, аналог для CM2400HCB-34N

1 шт

101000.00	/шт от 1 шт
91700.00	/шт от 4 шт

Код: 2015784926

starpower

GD300HFX120C2S_B36, GD300HFX120C2S_B36, 1200V/300A 2 in one-package, аналог CM300DY-24A

41 шт

8900.00	/шт от 1 шт
7900.00	/шт от 6 шт

Код: 2015700136

starpower

GD300HFX170C6S, GD300HFX170C6S, Trench FS IGBT, Low Loss , аналог для позиции CM300DX-34T, CM300DX-3

5 шт

11500.00	/шт от 1 шт
11000.00	/шт от 4 шт

Код: 2016106023

starpower

GD300HFX170C6SA, IGBT модуль, =CM300DX-34T, CM300DX-34T#310G, CM300DX-34T#311G, GD300HFX170C6S

10 шт

10000.00	/шт от 1 шт
9430.00	/шт от 4 шт

Код: 2015698349

starpower

GD450HFY120C6S, Силовой модуль, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss, 1200V 450A 2 in one-package, анал

2 шт

12100.00	/шт от 1 шт
11300.00	/шт от 6 шт

Код: 2015695768

starpower

GD600HFY120C6S, Силовой модуль, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss, 1200V 600A 2 in one-package, CM60

8 шт

15800.00	/шт от 1 шт
15100.00	/шт от 6 шт

Код: 2015693864

starpower

GD650HFX170P1S, IGBT модуль 1.7кВ, 1.073KA аналог для FF650R17IE4D_B2 , 2MBI650XXA170-50

99 шт

25500.00	/шт от 1 шт
23800.00	/шт от 2 шт

Код: 2015932833

starpower

GD75FFX170C6SA, IGBT модуль , 1700V/75A 6 in one-package

40 шт

8800.00	/шт от 1 шт
8550.00	/шт от 8 шт

Код: 2015696498 лучшая цена

starpower

GD800HFX170A3S, IGBT модуль 800A 1700В полумост, =FF800R17KP4_B2, CM800DZ-34H, GD800HFX170C3S

30 шт (в резерве 2)

60000.00	/шт от 1 шт
57000.00	/шт от 3 шт

Код: 2015842610

starpower

GD900HFX120P1SA, IGBT модуль 1200В 900А, 5240 Вт

44 шт

29000.00	/шт от 1 шт
27600.00	/шт от 2 шт

Код: 2015677299

LGE

LG200HF060T1VH, E2A IGBT модуль замена Semikron = SKM195GB066D

6 шт

7000.00	/шт от 1 шт
6440.00	/шт от 2 шт

Код: 2015006678

MG100HF12LEC1, IGBT модуль, 1200B, 100A (C1) = SKM100GB125DN = FF100R12RT4 = 2MBI100VA-120-50

79 шт

3400.00	/шт от 1 шт
3020.00	/шт от 10 шт

Код: 2015650171

MG300HF12TLC2, IGBT модуль, 1200В, 300А, 1700Вт [C2] = MG300HF12MIC2 = CM300DY-24A Mitsubishi = SKM3

500 шт

7600.00	/шт от 1 шт
6880.00	/шт от 10 шт

Код: 2015693982

MG450HF12TFC2, IGBT модуль, 1200В, 450А, 2307Вт [C2] =GD400HFF120C2S

8 шт

10800.00	/шт от 1 шт
9810.00	/шт от 2 шт

Код: 2016392343

MG600HF12TLE3, IGBT модуль, 1200В, 600A, (C1) =(CRRC) TG600HF12M1-G3A00

5 шт

17100.00	/шт от 1 шт
13700.00	/шт от 2 шт

Код: 454847865 лучшая цена

Mitsubishi

PM100CLS120, модуль 6 IGBT 1200В 100A 5 поколение L серия

3 шт

10800.00	/шт от 1 шт
9810.00	/шт от 2 шт

Код: 82049723 лучшая цена

Mitsubishi

PM100CVA120, модуль 6 IGBT 1200В 100A 3 поколение В серия

56 шт

10800.00	/шт от 1 шт
10100.00	/шт от 10 шт

Код: 654327372

Mitsubishi

PM200DV1A120, IGBT модуль 1200В 200A V1 серия

6 шт

23300.00	/шт от 1 шт
21100.00	/шт от 2 шт

Код: 236823634

Mitsubishi

PM25RL1C120#300G, модуль 7 IGBT 1200В 25A 5 поколение L1 серия

16 шт

17100.00	/шт от 1 шт
16300.00	/шт от 3 шт

Код: 325449385

Mitsubishi

PM450CLA120, модуль 6 IGBT 1200В 450A 5 поколение L серия

4 шт

99800.00	/шт от 1 шт
95100.00	/шт от 2 шт

Код: 2015498533

Mitsubishi

PM50CL1B120#300G, модуль IPM L1-Series 50А 1200В

3 шт

11000.00	/шт от 1 шт
10500.00	/шт от 2 шт

Код: 2014997240

Mitsubishi

PM50RL1A120#300G, модуль 7 IGBT 1200В 50A 5 поколение L1 серия (замена pin-to-pin версии с суффиксо

40 шт

18200.00	/шт от 1 шт
16500.00	/шт от 4 шт

Код: 985808894

Mitsubishi

PM50RL1B120#350G, IGBT модуль 350G 1200В 50A 5 поколение L1 серия

1 шт

8600.00	/шт от 1 шт
8040.00	/шт от 2 шт

Код: 86753419 лучшая цена

Mitsubishi

PM50RVA120, IPM модуль 7 IGBT 1200В 50A 3 поколение В серия

72 шт

7700.00	/шт от 1 шт
6870.00	/шт от 5 шт

Код: 152136590 лучшая цена

Mitsubishi

PM75CVA120, IPM модуль 6 IGBT 1200В 75A 3 поколение В серия

41 шт

8400.00	/шт от 1 шт
7650.00	/шт от 4 шт

Код: 2015696841

Mitsubishi

PM75RL1A120#300G, модуль 7 IGBT 1200В 75A 5 поколение L1 серия

12 шт

26500.00	/шт от 1 шт
23900.00	/шт от 2 шт

Код: 537491988

Mitsubishi

PS11032, IGBT модуль 0.2кВт 220В 1/3 фаз

3 шт

2400.00	/шт от 1 шт
2230.00	/шт от 2 шт

Производитель
ABB BYD MICROELECTR CRRC FUJITSU HITACHI HUAJING INFINEON IXYS LEAPERS LGE MITSUBISHI ONS SEMIKRON SHYSEMI STARPOWER STM TAIXIN TECHSEM VISHAY WXDH ELECTRONIC XINER YJ ZHM SEMI РОССИЯ
Макс.напр.к-э,В
25 75 100 150 200 220 250 350 600 650 750 1200 1350 1400 1500 1700 1800 2500 3300 4500 6500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
1.2 1.5 1.55 1.6 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 2 2.1 2.15 2.2 2.35 2.4 2.5 2.6 2.65 2.7 2.75 2.8 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.6 3.8 4.4 5 5.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
0.015 0.1 0.35 0.5 0.7 1.5 1.75 2 3 4 5 5.7 6 7.2 8 8.7 8.8 10 11 12 13 15 17 20 24 25 27 30 35 40 48 50 60 70 75 80 100 105 110 120 130 140 150 160 165 195 200 220 225 250 260 300 350 365 400 450 500 600 650 660 700 750 800 820 900 950 1000 1200 1400 1600 1700 1800 2400 3600
Структура модуля
1 транзистор+диод 2 транзистора+2 диода 3-ф.выпр-ль+3ф мост 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом 3-фазный мост 3-фазный мост+тормозной транзистор Boost Dual Boost H-мост одиночный транзистор полумост чоппер с диодом
Тип силового модуля
CIB интеллектуальный модуль SiC модуль Интеллектуальный DIP модуль Интеллектуальный DIP модуль с ККМ Интеллектуальный модуль IPM Сборка на IGBT транзисторах сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц
1.6 5 10 15 20 25 30 40 60 100
Мощность привода, кВт
0.1 0.2 0.4 0.75 1.5 2 2.2 3 3.7 5.24 7 7.5 11 15 17.5 20 22 30 37 50 55 70 75
Драйвер управления

Защита по току
есть нет
Защита от короткого замыкания
есть нет
Защита от перегрева
есть нет
Защита от пониженного напряжения питания
есть нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
21.3 23 36 38.3 39 43 50 51.2 56.8 63 100 131 138 250 255 284 290 320 328 338 350 390 400 416 430 450 455 480 500 520 540 541 560 590 595 600 620 650 668 672 730 735 780 781 830 890 960 1040 1041 1100 1130 1160 1260 1340 1380 1470 1500 1550 1560 1562 1600 1785 1860 1890 1950 1980 2010 2080 2100 2350 2500 2710 2800 2900 3000 3400 3670 3780 3900 4100 4300 4800 5800 6250 6500 6700 6900 8900 9200 10000 10400 12500 13100 13800 14700 15600 17800
Максимальный ток эмиттера, А
10 11 20 22 26 30 40 48 50 60 100 140 150 200 220 300 330 400 450 600 700 800 900 1000 1200 1600 1800 2000 2400 2800 3200 3600 4800
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
4 5.5 6 6.5 7 20
Напряжение эмиттер-коллектор,В
1.2 1.6 1.63 1.66 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 1.98 2 2.1 2.25 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.85 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.4 4 4.6 5
Напряжение изоляции, В
1500 2500 3500 4000 4500 5000 6000 10200
Температурный диапазон,С

Серия
HPD

Силовые IGBTи SiC модули 1168

Силовые IGBTи SiC модули ₁₁₆₈