| Производитель | | Макс.напр.к-э,В | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | | Номинальный ток одиночного тр-ра,А | | Структура модуля | | Тип силового модуля | | Максимальная частота модуляции,кГц | | Входная емкость затвора,нФ | | Мощность привода, кВт | | Драйвер управления | | Защита по току | | Защита от короткого замыкания | | Защита от перегрева | | Защита от пониженного напряжения питания | | Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | | Максимальный ток эмиттера, А | | Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | | Напряжение эмиттер-коллектор,В | | Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | | Напряжение изоляции, В | | Температурный диапазон,С | | Серия | | Наличие |
| Цена |
|
| | MITSUBISHI | | 1200 | | 2.9 | | 150 | | полумост | | Сборка на IGBT транзисторах | | 15 | | 22 | | - | | внешний | | нет | | нет | | нет | | нет | | 890 | | 300 | | 6 | | 3.2 | | 250 | | 2500 | | -40...150 | | - | | - |
| от 50 - 9302.71 руб. |
|
|
| | MITSUBISHI | | 1200 | | 2.1 | | 150 | | полумост | | Сборка на IGBT транзисторах | | 20 | | 23 | | - | | VLA504 | | нет | | нет | | нет | | нет | | 960 | | 300 | | 7 | | 2.1 | | 100 | | 2500 | | -40...150 | | - | | - |
| от 20 - 9588.50 руб. |
|
|
| | MITSUBISHI | | 1200 | | 2.5 | | 150 | | полумост | | Сборка на IGBT транзисторах | | 25 | | 30 | | - | | внешний | | нет | | нет | | нет | | нет | | 1100 | | 300 | | 6 | | 2.25 | | 350 | | 2500 | | -40...150 | | - | | - |
| от 40 - 14142.29 руб. |
|
|
| | MITSUBISHI | | 1200 | | 5 | | 150 | | полумост | | Сборка на IGBT транзисторах | | 60 | | 24 | | - | | VLA513 | | нет | | нет | | нет | | нет | | 960 | | 300 | | 6 | | 5 | | 150 | | 2500 | | -40...150 | | - | | - |
| от 40 - 7757.52 руб. |
|
|
| | MITSUBISHI | | 1200 | | 1.8 | | 150 | | полумост | | Сборка на IGBT транзисторах | | 20 | | 30 | | - | | VLA504 | | нет | | нет | | нет | | нет | | 780 | | 300 | | 7 | | 1.8 | | 80 | | 2500 | | -40...150 | | - | | - |
| от 70 - 12140.83 руб. |
|
|
| | MITSUBISHI | | 1200 | | 1.8 | | 150 | | полумост | | Сборка на IGBT транзисторах | | 20 | | 59 | | - | | внешний | | нет | | нет | | нет | | нет | | 600 | | 300 | | 6 | | 1.9 | | 80 | | 2500 | | -40...150 | | - | | - |
| от 50 - 9115.48 руб. |
|
|
| | MITSUBISHI | | 1200 | | - | | 150 | | полумост | | Сборка на IGBT транзисторах | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | нет | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | T-series | | - |
от 20 - 3038.16 руб.
от 14 - 3068.77 руб. |
|
|
| | XINER | | 1200 | | - | | 150 | | полумост | | Сборка на IGBT транзисторах | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - |
| от 100 - 2334.04 руб. |
|
|
| | XINER | | 1200 | | - | | 150 | | полумост | | Сборка на IGBT транзисторах | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - |
| от 100 - 2334.04 руб. |
|
|
| | XINER | | 1200 | | - | | 150 | | полумост | | Сборка на IGBT транзисторах | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - |
| от 100 - 2334.04 руб. |
|
|
| | XINER | | 1200 | | - | | 150 | | полумост | | Сборка на IGBT транзисторах | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - |
| от 100 - 2334.04 руб. |
|
|
| | LEAPERS | | 1200 | | - | | 150 | | полумост | | SiC модуль | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - |
| от 100 - 2334.04 руб. |
|
|
| | LEAPERS | | 1200 | | - | | 150 | | полумост | | SiC модуль | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - |
| от 20 - 20195.53 руб. |
|
|
|
