| Производитель | | Макс.напр.к-э,В | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | | Номинальный ток одиночного тр-ра,А | | Структура модуля | | Тип силового модуля | | Максимальная частота модуляции,кГц | | Входная емкость затвора,нФ | | Мощность привода, кВт | | Драйвер управления | | Защита по току | | Защита от короткого замыкания | | Защита от перегрева | | Защита от пониженного напряжения питания | | Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | | Максимальный ток эмиттера, А | | Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | | Напряжение эмиттер-коллектор,В | | Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | | Напряжение изоляции, В | | Температурный диапазон,С | | Серия | | Наличие |
| Цена |
|
| | MITSUBISHI | | 1200 | | 2.5 | | 50 | | 3-фазный мост | | Сборка на IGBT транзисторах | | 25 | | 10 | | - | | внешний | | нет | | нет | | нет | | нет | | 400 | | 100 | | 20 | | 3.4 | | 200 | | 2500 | | -40...150 | | - | | - |
| от 40 - 16576.07 руб. |
|
|
| | MITSUBISHI | | 1200 | | 2.9 | | 50 | | чоппер с диодом | | Сборка на IGBT транзисторах | | 15 | | 7.5 | | - | | внешний | | нет | | нет | | нет | | нет | | 400 | | 100 | | 6 | | 3.2 | | 200 | | 2500 | | -40...150 | | - | | - |
| от 70 - 4216.72 руб. |
|
|
| | MITSUBISHI | | 1200 | | 2.5 | | 50 | | полумост | | Сборка на IGBT транзисторах | | 25 | | 10 | | - | | внешний | | нет | | нет | | нет | | нет | | 400 | | 100 | | 20 | | 3.4 | | 150 | | 2500 | | -40...150 | | - | | - |
| от 20 - 5937.03 руб. |
|
|
| | MITSUBISHI | | 1200 | | - | | 50 | | 3-фазный мост | | Интеллектуальный модуль IPM | | 20 | | - | | 7.5 | | встроенный | | есть | | есть | | нет | | есть | | - | | - | | - | | - | | - | | 2500 | | -20...150 | | - | | - |
| от 20 - 8951.44 руб. |
|
|
| | MITSUBISHI | | 1200 | | 2.1 | | 50 | | 3-фазный мост | | Сборка на IGBT транзисторах | | 20 | | 8.5 | | - | | VLA504 | | нет | | нет | | нет | | нет | | 390 | | 100 | | 7 | | 2.1 | | 50 | | 2500 | | -40...150 | | - | | - |
| от 70 - 8288.04 руб. |
|
|
| | MITSUBISHI | | 1200 | | - | | 50 | | - | | Сборка на IGBT транзисторах | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | нет | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - |
| от 20 - 2908.08 руб. |
|
|
| | MITSUBISHI | | 1200 | | 2.9 | | 50 | | 3-фазный мост | | Сборка на IGBT транзисторах | | 15 | | 7.5 | | - | | внешний | | нет | | нет | | нет | | нет | | 400 | | 100 | | 6 | | 3.2 | | 200 | | 2500 | | -40...150 | | - | | - |
от 20 - 3362.47 руб.
от 14 - 3514.98 руб. |
|
|
| | MITSUBISHI | | 1200 | | 1.8 | | 50 | | полумост | | Сборка на IGBT транзисторах | | 20 | | 20 | | - | | VLA504 | | нет | | нет | | нет | | нет | | 320 | | 100 | | 20 | | 1.85 | | 50 | | 2500 | | -40...150 | | - | | - |
| от 70 - 4507.53 руб. |
|
|
| | MITSUBISHI | | 1200 | | 2.9 | | 50 | | полумост | | Сборка на IGBT транзисторах | | 15 | | 7.5 | | - | | внешний | | нет | | нет | | нет | | нет | | 400 | | 100 | | 6 | | 3.2 | | 200 | | 2500 | | -40...150 | | - | | - |
| от 70 - 4825.60 руб. |
|
|
| | MITSUBISHI | | 1200 | | 1.8 | | 50 | | 3-фазный мост | | Сборка на IGBT транзисторах | | 20 | | 20 | | - | | внешний | | нет | | нет | | нет | | нет | | 320 | | 100 | | 6 | | 1.8 | | 50 | | 2500 | | -40...150 | | - | | - |
| от 40 - 9742.08 руб. |
|
|
| | INFINEON | | 1200 | | - | | 50 | | - | | Сборка на IGBT транзисторах | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | нет | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - | | - |
| от 30 - 4832.40 руб. |
|
|
|
