Москва +7 (495) 125-15-24 shop@platan.ru | С.-Петербург +7 (812) 232-88-36 shop@platan.spb.ru

Близкие по характеристикам к MG200HF12LEC2

вернуть все фильтры
Параметры товаров
PM200CLA120, модуль 6 IGBT 1200В 200A 5 поколение L серия
PM200CLA120
НН: 43214209
CM200DX-24S, модуль 2 IGBT 200A 1200В NX6
CM200DX-24S
НН: 243781854
CM200DU-24NFH, модуль 2 IGBT 1200В 200A 50кГц NFH серия
CM200DU-24NFH
НН: 357249671
CM200TL-24NF, модуль 6 IGBT 1200В 200A 5 поколение NF серия
CM200TL-24NF
НН: 394512771
CM200DY-24NF, модуль 2 IGBT 1200В 200А 5 поколение NF серия
CM200DY-24NF
НН: 440107425
CM200DY-24A#300G, модуль 2 IGBT 1200В 200A 5 поколение A серия
CM200DY-24A#300G
НН: 442091128
Документация:
PM200DV1A120, IGBT модуль 1200В 200A V1 серия
PM200DV1A120
НН: 654327372
Документация:
CM200RL-24NF, модуль 7 IGBT 1200В 200А 5 поколение NF серия
CM200RL-24NF
НН: 870052186
CM200E3U-24F, IGBT модуль RTC 1200В 200A 4 поколение F серия
CM200E3U-24F
НН: 887203588
FF200R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В,  200А, 1100Вт
FF200R12KT4HOSA1
НН: 2000394300
Документация:
FF200R12KE3HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт
FF200R12KE3HOSA1
НН: 2011040801
Документация:
CM200RXL-24S, IGBT модуль NX6 серия 1200
CM200RXL-24S
НН: 2013055200
MG200HF12MIC2, IGBT модуль 200А 1200В
MG200HF12MIC2
НН: 2014765326
Документация:
SEMiX202GB12E4s, IGBT модуль
SEMiX202GB12E4s
НН: 2014890484
CMH200DU-24NFH, IGBT модуль
CMH200DU-24NFH
НН: 2015054672
CM200DY-24A, модуль IGBT 1200В 200A 5 поколение A серия
CM200DY-24A
НН: 2015431395
Документация:
SKM200GB12T4, Модуль силовой IGBT N-канальный 1200В 313A 7-Pin
SKM200GB12T4
НН: 2015468869
Документация:
MD200HFR120C2S, SiC MOSFET Half Bridge
MD200HFR120C2S
НН: 2015699886
GD200FFY120C6SF, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss
GD200FFY120C6SF
НН: 2015700057
GD200FFY120C6S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss
GD200FFY120C6S
НН: 2015700058
GD200TLY120L3S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss
GD200TLY120L3S
НН: 2015700060
GD200HFQ120C2S, Advanced Trench FS Fast IGBT
GD200HFQ120C2S
НН: 2015700062
GD200HFY120C2S, GD200HFY120C2S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss, аналог CM200DU-24NFH
GD200HFY120C2S
НН: 2015700105
Документация:
GD200HFY120C8S, GD200HFY120C8S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss, замена для 2MBI150U4A-120, аналог
GD200HFY120C8S
НН: 2015700106
GD200HFK120C2S, NPT Low Loss
GD200HFK120C2S
НН: 2015700107
GD200HFU120C2S, NPT Ultra Fast IGBT
GD200HFU120C2S
НН: 2015700108
Документация:
GD200CUY120C2S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss
GD200CUY120C2S
НН: 2015700109
GD200CEY120C2S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss
GD200CEY120C2S
НН: 2015700115
GD200SGY120C2S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss
GD200SGY120C2S
НН: 2015700116
CM200DU-24NFH, модуль 2 IGBT 1200В 200A 50кГц NFH серия
CM200DU-24NFH
НН: 2015706380
MG200HF12LEC2, IGBT модуль, 1200В, 200А, 1358Вт [C2]
MG200HF12LEC2
НН: 2015713875
Документация:
GD200HFU120C2S, Модули IGBT
GD200HFU120C2S
НН: 2015736601
Документация:
GD200HFY120C2S, Модули IGBT
GD200HFY120C2S
НН: 2015884418
Документация:
XNG200B24KC2S, IGBT 1200V 200A Half Bridge
XNG200B24KC2S
НН: 2015891321
XNG200B24UC2S, IGBT 1200V 200A Half Bridge
XNG200B24UC2S
НН: 2015891322
XNG200D24KC4A5, IGBT 1200V 200A SixPack Three Phase Bridge
XNG200D24KC4A5
НН: 2015891324
GD200HFU120C2S, Модуль IGBT 1200В 262А
GD200HFU120C2S
НН: 2015901337
Документация:
GD200HFY120C2S, Модуль IGBT 1200В 200A
GD200HFY120C2S
НН: 2015901342
Документация:
DFS06HF12EZC1, SiC модуль 1200В  200A  полумост E2
DFS06HF12EZC1
НН: 2015912581
Документация:
DFS04HF12EZC1, SiC модуль 1200В  200A  полумост E2
DFS04HF12EZC1
НН: 2015912582
Документация:
DFS200X2CU12I3B2, SiC модуль 1200В  200A  Dual Boost ED3S
DFS200X2CU12I3B2
НН: 2015912597
Документация:
DFS200X2CU12I3B3, SiC модуль 1200В  200A  Dual Boost ED3S
DFS200X2CU12I3B3
НН: 2015912598
Документация:
MG200HF12TLC2, IGBT модуль, 1200В, 200А, 1250Вт [C2]
MG200HF12TLC2
НН: 2015932342
Документация:
MG200HF12TFC2,  IGBT модуль, 1200B, 200A, 1250Вт (C2)  = GD200HFF120C2S   , SKM200GB12T4
MG200HF12TFC2
НН: 2015932349
Документация:
BG200B12LY4-I, Модули IGBT
BG200B12LY4-I
НН: 2015953909
DFI200HF12DF1, Модули IGBT
DFI200HF12DF1
НН: 2016019334
Документация:
DFI200HF12DF1, IGBT модуль, 1200V, 200A, 62mm Half Bridge
DFI200HF12DF1
НН: 2016019963
Документация:
XNG200D24KC4S, IGBT
XNG200D24KC4S
НН: 2016905708
Производитель
Макс.напр.к-э,В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
Структура модуля
Тип силового модуля
Максимальная частота модуляции,кГц
Входная емкость затвора,нФ
Мощность привода, кВт
Драйвер управления
Защита по току
Защита от короткого замыкания
Защита от перегрева
Защита от пониженного напряжения питания
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
Максимальный ток эмиттера, А
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
Напряжение эмиттер-коллектор,В
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс
Напряжение изоляции, В
Температурный диапазон,С
Серия
Наличие
Цена
MITSUBISHI
1200
1.9
200
3-фазный мост
Интеллектуальный модуль IPM
15
-
37
встроенный
нет
есть
есть
есть
1041
400
-
-
1000
2500
-20...150
-
-
от 20 - 55090.99 руб.
шт
MITSUBISHI
1200
-
200
-
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 50 - 5818.14 руб.
шт
MITSUBISHI
1200
5
200
полумост
Сборка на IGBT транзисторах
60
32
-
VLA500
нет
нет
нет
нет
830
400
6
5
80
2500
-40...150
-
-
от 40 - 11220.41 руб.
шт
MITSUBISHI
1200
2.1
200
3-фазный мост
Сборка на IGBT транзисторах
20
35
-
VLA504
нет
нет
нет
нет
1160
400
-
-
-
2500
-40...150
-
-
от 30 - 21601.22 руб.
шт
MITSUBISHI
1200
1.8
200
полумост
Сборка на IGBT транзисторах
20
47
-
VLA504
нет
нет
нет
нет
1130
400
7
1.8
150
2500
-40...150
-
-
от 100 - 12437.36 руб.
шт
MITSUBISHI
1200
2.1
200
полумост
Сборка на IGBT транзисторах
20
35
-
VLA504
нет
нет
нет
нет
1340
400
7
2.1
100
2500
-40...150
-
-
от 20 - 16949.86 руб.
шт
MITSUBISHI
1200
-
200
-
Интеллектуальный модуль IPM
-
-
-
-
-
-
есть
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 20 - 18230.95 руб.
шт
MITSUBISHI
1200
2.1
200
3-фазный мост+тормозной транзистор
Сборка на IGBT транзисторах
20
35
-
VLA504
нет
нет
нет
нет
1160
400
-
-
-
2500
-40...150
-
-
от 20 - 14521.80 руб.
шт
MITSUBISHI
1200
1.8
200
чоппер с диодом
Сборка на IGBT транзисторах
20
78
-
внешний
нет
нет
нет
нет
830
400
6
3.2
80
2500
-40...150
-
-
от 50 - 14348.25 руб.
шт
INFINEON
1200
-
200
-
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 20 - 5909.53 руб.
от 7 - 5909.53 руб.
от 4 - 5909.53 руб.
от 2 - 5909.53 руб.
от 1 - 6153.84 руб.
шт
INFINEON
1200
-
200
-
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 5 - 8033.04 руб.
от 4 - 8033.04 руб.
от 3 - 8260.16 руб.
от 2 - 8593.90 руб.
от 1 - 9014.37 руб.
шт
MITSUBISHI
1200
-
200
-
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 20 - 19638.48 руб.
шт
YJ
1200
-
200
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 20 - 5100.95 руб.
шт
SEMIKRON
1200
-
200
-
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 20 - 10070.73 руб.
шт
MITSUBISHI
1200
-
200
-
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 20 - 14471.98 руб.
шт
MITSUBISHI
1200
-
200
-
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 20 - 10544.39 руб.
шт
SEMIKRON
1200
-
200
-
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 5 - 10246.39 руб.
от 4 - 10246.39 руб.
от 3 - 10246.39 руб.
от 2 - 10246.39 руб.
от 1 - 10246.39 руб.
шт
STARPOWER
1200
-
200
полумост
SiC модуль
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 20 - 161.75 руб.
шт
STARPOWER
1200
-
200
-
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 20 - 10385.77 руб.
шт
STARPOWER
1200
-
200
-
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 20 - 10385.77 руб.
шт
STARPOWER
1200
-
200
-
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 20 - 10385.77 руб.
шт
STARPOWER
1200
-
200
-
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 20 - 10385.77 руб.
шт
STARPOWER
1200
-
200
-
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 20 - 32519.39 руб.
шт
STARPOWER
1200
-
200
-
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 40 - 5873.92 руб.
шт
STARPOWER
1200
-
200
-
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 20 - 32519.39 руб.
шт
STARPOWER
1200
-
200
-
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 20 - 32519.39 руб.
шт
STARPOWER
1200
-
200
-
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 20 - 32519.39 руб.
шт
STARPOWER
1200
-
200
-
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 20 - 32519.39 руб.
шт
STARPOWER
1200
-
200
-
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 20 - 32519.39 руб.
шт
MITSUBISHI
1200
-
200
-
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 20 - 10130.39 руб.
от 14 - 10653.59 руб.
от 8 - 11176.80 руб.
от 2 - 11700.00 руб.
шт
YJ
1200
-
200
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 50 - 6132.71 руб.
шт
STARPOWER
1200
-
200
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 4 - 4629.23 руб.
от 3 - 4659.49 руб.
от 3 - 4689.74 руб.
от 2 - 4720.00 руб.
от 1 - 4800.00 руб.
шт
STARPOWER
1200
-
200
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 4 - 5133.92 руб.
от 3 - 5165.95 руб.
от 3 - 5197.97 руб.
от 2 - 5230.00 руб.
от 1 - 5300.00 руб.
шт
XINER
1200
-
200
полумост
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 100 - 2334.04 руб.
шт
XINER
1200
-
200
полумост
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 100 - 2334.04 руб.
шт
XINER
1200
-
200
-
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 100 - 2334.04 руб.
шт
STARPOWER
1200
-
200
-
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 5 - 4634.08 руб.
от 4 - 4637.53 руб.
от 3 - 4805.94 руб.
от 2 - 5012.71 руб.
от 1 - 5273.21 руб.
шт
STARPOWER
1200
-
200
-
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 5 - 4625.37 руб.
от 4 - 4628.91 руб.
от 3 - 4797.04 руб.
от 2 - 5003.47 руб.
от 1 - 5263.54 руб.
шт
LEAPERS
1200
-
200
полумост
SiC модуль
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 100 - 2334.04 руб.
шт
LEAPERS
1200
-
200
полумост
SiC модуль
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 20 - 15156.12 руб.
шт
LEAPERS
1200
-
200
Dual Boost
SiC модуль
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 100 - 2334.04 руб.
шт
LEAPERS
1200
-
200
Dual Boost
SiC модуль
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 100 - 2334.04 руб.
шт
YJ
1200
-
200
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 20 - 4685.06 руб.
шт
YJ
1200
-
200
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1 шт
от 30 - 4063.77 руб.
от 21 - 4172.51 руб.
от 12 - 4281.26 руб.
от 3 - 4390.00 руб.
от 1 - 4900.00 руб.
шт
BYD
1200
-
200
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 4 - 3453.76 руб.
от 3 - 3475.84 руб.
от 3 - 3497.92 руб.
от 2 - 3520.00 руб.
от 1 - 3600.00 руб.
шт
LEAPERS
1200
-
200
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 4 - 3771.81 руб.
от 3 - 3794.54 руб.
от 3 - 3817.27 руб.
от 2 - 3840.00 руб.
от 1 - 3900.00 руб.
шт
LEAPERS
1200
-
200
-
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
24 шт
от 30 - 6043.86 руб.
от 21 - 6245.91 руб.
от 12 - 6447.95 руб.
от 3 - 6650.00 руб.
от 1 - 7400.00 руб.
шт
XINER
1200
-
200
-
Сборка на IGBT транзисторах
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
от 500 - 15156.12 руб.
шт